【技术实现步骤摘要】
本申请涉及照明领域，特别是涉及一种led正装水平芯片及其制作方法、发光器件。
技术介绍
1、led芯片是led发光器件中的核心部件，led芯片是五面出光，90％的光是从正面出射，10％的光是从侧面出射。正装芯片是led芯片中的一种，正装芯片是水平结构，正装芯片的正电极、负电极位于芯片顶部。目前led正装水平芯片的光效已经很高，当前的技术水平基本很难将光效进一步提升。
2、因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种led正装水平芯片及其制作方法、发光器件，以提升led正装水平芯片的光效。
2、为解决上述技术问题，本申请提供一种led正装水平芯片，包括：反射层、沟槽和led芯片，所述led芯片包括由下至上依次层叠的衬底、外延结构层和电极；
3、所述沟槽位于所述led芯片的内部且对应所述led芯片的侧面；所述沟槽在深度方向上由所述衬底的下表面延伸至所述外延结构层的上表面；所述沟槽在宽度方向上由所述led芯片的外侧向内部延伸；
4、所述沟槽包括两个相对的倾斜表面，两个所述倾斜表面之间的距离由所述衬底的下表面至所述外延结构层的上表面方向上逐渐减小；
5、所述反射层位于两个所述倾斜表面彼此相对的表面。
6、可选的，所述沟槽的形状为倒“v”字形。
7、可选的，所述沟槽的形状为梯形。
8、可选的，所述led芯片包括四个侧面，所述沟槽的数量为四个，所
9、可选的，所述反射层包括分布式布拉格反射层。
10、可选的，所述反射层包括金属银层。
11、可选的，还包括：
12、填充物，所述填充物填满所述沟槽。
13、本申请还提供一种led正装水平芯片的制作方法，包括：
14、制备led芯片；所述led芯片包括由下至上依次层叠的衬底、外延结构层和电极；
15、在所述led芯片的底面、按照预设方向进行切割，形成沟槽；所述沟槽由所述衬底的下表面延伸至所述外延结构层的上表面；所述沟槽在宽度方向上由所述led芯片的外侧向内部延伸；所述沟槽包括两个相对的倾斜表面，两个所述倾斜表面之间的距离在所述预设方向上逐渐减小；所述预设方向为由所述衬底的下表面向所述外延结构层的上表面；
16、在两个所述倾斜表面彼此相对的表面上沉积反射层，得到led正装水平芯片。
17、可选的，在两个所述倾斜表面彼此相对的表面上沉积反射层之后，还包括：
18、向所述沟槽中沉积填充物，使所述填充物填满所述沟槽。
19、本申请还提供一种led发光器件，所述发光器件包括上述任一种所述的led正装水平芯片。
20、本申请所提供的一种led正装水平芯片，包括：反射层、沟槽和led芯片，所述led芯片包括由下至上依次层叠的衬底、外延结构层和电极；所述沟槽位于所述led芯片的内部且对应所述led芯片的侧面；所述沟槽在深度方向上由所述衬底的下表面延伸至所述外延结构层的上表面；所述沟槽在宽度方向上由所述led芯片的外侧向内部延伸；所述沟槽包括两个相对的倾斜表面，两个所述倾斜表面之间的距离由所述衬底的下表面至所述外延结构层的上表面方向上逐渐减小；所述反射层位于两个所述倾斜表面彼此相对的表面。
21、可见，本申请中的led正装水平芯片在led芯片内设有沟槽，沟槽两个相对的之间的距离由衬底的下表面至外延结构层的上表面方向上逐渐减小，沟槽在宽度方向上由led芯片的侧面向内部延伸。即沟槽中一个倾斜表面靠近led芯片的内部，另一个倾斜表面靠近led芯片的侧面。当led芯片发光时，向led芯片侧面发射的光线照射在靠近led芯片内部的倾斜表面上，且由于该倾斜表面与另一个倾斜表面相对的表面上设有反射层，光线在该倾斜表面上发生反射，由led芯片的正面出射，使得led正装水平芯片正面出光增多。当led正装水平芯片的侧面出射的光线照射到相邻led正装水平芯片上时，侧面出射的光线照射到相邻led正装水平芯片上靠近led芯片侧面的倾斜表面上，且由于该倾斜表面与另一个倾斜表面相对的表面上设有反射层，光线在该倾斜表面上发生反射，从led芯片的正面出射，使得led正装水平芯片正面出光增多。所以，本申请中的led正装水平芯片可以提升正面出光量，即提升光效。
22、此外，本申请还提供一种具有上述优点的led正装水平芯片的制作方法以及led发光器件。
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1.一种LED正装水平芯片，其特征在于，包括：反射层、沟槽和LED芯片，所述LED芯片包括由下至上依次层叠的衬底、外延结构层和电极；
2.如权利要求1所述的LED正装水平芯片，其特征在于，所述沟槽的形状为倒“V”字形。
3.如权利要求1所述的LED正装水平芯片，其特征在于，所述沟槽的形状为梯形。
4.如权利要求1所述的LED正装水平芯片，其特征在于，所述LED芯片包括四个侧面，所述沟槽的数量为四个，所述沟槽对应所述LED芯片的每一个侧面。
5.如权利要求1所述的LED正装水平芯片，其特征在于，所述反射层包括分布式布拉格反射层。
6.如权利要求1所述的LED正装水平芯片，其特征在于，所述反射层包括金属银层。
7.如权利要求1至6任一项所述的LED正装水平芯片，其特征在于，还包括：
8.一种LED正装水平芯片的制作方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的LED正装水平芯片的制作方法，其特征在于，在两个所述倾斜表面彼此相对的表面上沉积反射层之后，还包括：
10.一种LED
...【技术特征摘要】
1.一种led正装水平芯片，其特征在于，包括：反射层、沟槽和led芯片，所述led芯片包括由下至上依次层叠的衬底、外延结构层和电极；
2.如权利要求1所述的led正装水平芯片，其特征在于，所述沟槽的形状为倒“v”字形。
3.如权利要求1所述的led正装水平芯片，其特征在于，所述沟槽的形状为梯形。
4.如权利要求1所述的led正装水平芯片，其特征在于，所述led芯片包括四个侧面，所述沟槽的数量为四个，所述沟槽对应所述led芯片的每一个侧面。
5.如权利要求1所述的led正装水平芯片，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜元宝，赵丽霞，张耀华，尹辉，王国君，
申请(专利权)人：天津工业大学，
类型：发明
国别省市：
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