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【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体,更具体的说,涉及一种半导体晶棒的生长系统及生长半导体晶棒的方法。
技术介绍
1、目前,国内基于单晶切割得到晶圆,现有的制备晶棒的方法包括直拉法和加热脱附法,但基于现有方法制备得到的晶棒的厚度均较小,且制备过程中,用来制备晶棒的材料的利用率较低,使得制备晶棒时造成资源的浪费,且制备晶棒的成本增加,生产效率较低,该问题在制备8英寸的晶棒时更为明显,现有技术制备得到的8英寸的晶棒的厚度尺寸分布在0-20mm,且材料利用率较低,仅为30%左右。
技术实现思路
1、有鉴于此,本申请提供了一种半导体晶棒的生长系统及生长半导体晶棒的方法,所述生长系统包括:
2、具有生长腔室的加热体,所述生长腔室包括:第一区域,所述第一区域用于放置原料;第二区域,所述第二区域位于所述第一区域的上方;所述第二区域的顶部内侧具有籽晶固定区域;
3、设置在所述生长腔室外侧的线圈组件,所述线圈组件包括:第一线圈,所述第一线圈围绕在所述第一区域的侧壁外侧;第二线圈,所述第二线圈围绕在所述第二区域的侧壁外侧;
4、其中,在第一工作阶段,所述第一线圈与所述第二线圈处于第一功率,以对所述生长腔室内的原料进行加热;在第二工作阶段,所述第二线圈维持处于所述第一功率,所述第一线圈从所述第一功率开始逐渐增大,以增大所述第一区域内所述原料的升华速率。
5、优选的,在上述生长系统中,所述线圈组件还包括:
6、第三线圈,所述第三线圈设置在所述第一区域的底部外侧。
...【技术保护点】
1.一种半导体晶棒的生长系统,其特征在于,所述生长系统包括:
2.根据权利要求1所述的生长系统,其特征在于,所述线圈组件还包括:
3.根据权利要求2所述的生长系统,其特征在于,在所述第一工作阶段和所述第二工作阶段,所述第三线圈均处于所述第一功率;
4.根据权利要求2所述的生长系统,其特征在于,所述第三线圈包括:
5.根据权利要求1所述的生长系统,其特征在于,在所述第二工作阶段,所述第一线圈的功率增速满足:
6.根据权利要求1所述的生长系统,其特征在于,所述生长系统还包括:保温结构,所述加热体位于所述保温结构内;所述线圈组件位于所述保温结构的外侧;所述加热体能够响应所述线圈组件的磁场控制,产生热量。
7.根据权利要求1所述的生长系统,其特征在于,所述加热体包括:
8.根据权利要求1所述的生长系统,其特征在于,所述生长系统还包括:支撑装置,所述加热体置于所述支撑装置上;所述支撑装置能够调节所述加热体的高度位置;
9.根据权利要求1所述的生长系统,其特征在于,在所述加热体的高度方向上,所述第
10.一种基于如上述权利要求1-9任一项所述半导体晶棒的生长系统生长半导体晶棒的方法,其特征在于,所述生长半导体晶棒的方法包括:
...【技术特征摘要】
1.一种半导体晶棒的生长系统,其特征在于,所述生长系统包括:
2.根据权利要求1所述的生长系统,其特征在于,所述线圈组件还包括:
3.根据权利要求2所述的生长系统,其特征在于,在所述第一工作阶段和所述第二工作阶段,所述第三线圈均处于所述第一功率;
4.根据权利要求2所述的生长系统,其特征在于,所述第三线圈包括:
5.根据权利要求1所述的生长系统,其特征在于,在所述第二工作阶段,所述第一线圈的功率增速满足:
6.根据权利要求1所述的生长系统,其特征在于,所述生长系统还包括:保温结构,所述加热体位于所述保温结构内;所述线圈组件位于所述保温结...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈奕涵,眭旭,郭钰,刘春俊,彭勇,曾江,彭同华,杨建,
申请(专利权)人:深圳市重投天科半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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