【技术实现步骤摘要】
本申请属于脑机接口，具体涉及一种柔性电极的制作方法、柔性电极及可读存储介质。
技术介绍
1、本部分旨在为权利要求书中陈述的本申请的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
2、脑机接口是一项重要的技术，它通过传感终端将大脑与计算机或其他外部设备直接连接，以实现大脑信号的提取和解码最终转换成可用于操控外部设备的指令信号，而无需依赖传统的输出通道。其中，脑机接口的关键组成之一是信息提取，即将生物脑中的信息读取出来，而目前通常存在两种信息提取方式，分别是非植入式和植入式信息提取方式。非植入式的方式是通过带在头皮的脑电帽读取eeg(脑电图)数据；而植入式的方式包括通过植入式的微电极阵列、深脑电极以及半植入式的ecog(脑皮层电图)电极获得脑电数据。在这些技术中，ecog电极因其较高的信号分辨率、相对较长时间的稳定性以及相对较少的侵入性而在脑机接口领域得到了广泛的应用。ecog通过在大脑硬脑膜下空间植入电极阵列来测量皮层神经元的同步信号，这些信号主要由低频成分(<200hz(赫兹))组成，幅度从微伏到毫伏不等。与传统的硬质mea(多通道电极阵列)电极相比，ecog电极使用柔性材料，并朝着超高密度记录、大范围记录、微型化以及高生物相容性方向发展。
3、目前柔性电极的制作工艺复杂且对设备要求较高。例如，一些电极制备过程中包括脱合金化处理，而脱合金化处理往往需要专用炉或反应器。因此，如何提供一种制作工艺较为简单，设备要求较低的柔性电极的制作方法是一个亟待解决的问题。
>技术实现思路
1、针对上述现有技术中存在的问题，提出了一种柔性电极的制作方法、柔性电极及可读存储介质，利用这种柔性电极的制作方法、柔性电极及可读存储介质，能够使得柔性电极的制作工艺较为简单，设备要求较低。
2、本申请提供了以下方案。
3、第一方面，本申请实施例提供了一种柔性电极的制作方法，包括：
4、在硅片基底表面设置电极柔性支撑层；
5、在电极柔性支撑层上设置光刻胶，光刻胶覆盖电极柔性支撑层的部分表面；
6、在电极柔性支撑层上沉积形成第一金属层，第一金属层包括在光刻胶上的金属层和在电极柔性支撑层上的电极结构金属层，电极结构金属层包括电极触点、电极触点与焊点之间引线以及电极焊点；
7、去除光刻胶；
8、在电极柔性支撑层上设置封装层，并去除封装层在电极触点和电极焊点上方的部分；
9、将电极柔性支撑层从硅片基底上剥离，获得柔性电极。
10、作为一种可能的实施方式，在电极柔性支撑层上设置光刻胶，包括：在电极柔性支撑层上光刻显影后形成预设图案的光刻胶。
11、作为一种可能的实施方式，光刻胶的形成采用正胶反转工艺，显影后的预设图案的光刻胶的边缘轮廓截面为倒梯形。
12、作为一种可能的实施方式，在电极柔性支撑层上设置光刻胶后，方法还包括：对覆盖有光刻胶的电极柔性支撑层的上表面进行离子体处理。
13、作为一种可能的实施方式，在电极柔性支撑层上沉积形成第一金属层，包括：通过薄膜沉积工艺在电极柔性支撑层上沉积形成第一金属层。
14、作为一种可能的实施方式，薄膜沉积工艺包括电子束蒸发、热蒸发和磁控溅射中任一种工艺。
15、作为一种可能的实施方式，去除光刻胶，包括：
16、使用丙酮或n-甲基吡咯烷酮通过加热水浴剥离光刻胶，光刻胶上的金属层随着光刻胶一同被剥离。
17、作为一种可能的实施方式，去除封装层在电极触点和电极焊点上方的部分，包括：
18、在封装层上设置光刻胶，光刻胶覆盖封装层的部分表面；
19、在封装层上沉积形成第二金属层，第二金属层包括在光刻胶上的金属层和在封装层上的金属层；
20、去除光刻胶；
21、对封装层上无第二金属层覆盖的区域进行刻蚀，从而去除封装层在电极触点和电极焊点上方的部分。
22、作为一种可能的实施方式，在对封装层上无第二金属层覆盖的区域进行刻蚀后，还包括：
23、去除第二金属层。
24、作为一种可能的实施方式，封装层上无第二金属层覆盖的区域包括电极结构金属层对应的区域和电极开槽区域；
25、对封装层上无第二金属层覆盖的区域进行刻蚀，从而去除封装层在电极触点和电极焊点上方的部分，包括：
26、对封装层上无第二金属层覆盖的区域进行刻蚀，从而去除封装层在电极触点和电极焊点上方的部分和电极开槽区域的电极柔性支撑层和封装层。
27、作为一种可能的实施方式，对封装层上无第二金属层覆盖的区域进行刻蚀，包括：
28、使用反应离子刻蚀工艺，对封装层上无第二金属层覆盖的区域进行刻蚀。
29、作为一种可能的实施方式，在封装层上设置光刻胶后，方法还包括：
30、对覆盖有光刻胶的封装层的上表面进行离子体处理。
31、作为一种可能的实施方式，第二金属层的材料包括镉、铝、铜、钨、铂和钛中的至少一种。
32、作为一种可能的实施方式，电极结构金属层包括电极触点、电极触点与焊点之间引线以及电极焊点，该方法还包括：在柔性电极上电镀的方法沉积金属，使得电极触点与封装层平齐或电极触点高于封装层。
33、作为一种可能的实施方式，电极触点的直径在10um-1500um之间。
34、作为一种可能的实施方式，第一金属层包括金、铝、钨、铂和钛中的至少一种。
35、作为一种可能的实施方式，第一金属层的厚度在1nm-2000nm之间。
36、作为一种可能的实施方式，电极柔性支撑层的厚度在1um-1000um之间。
37、作为一种可能的实施方式，电极柔性支撑层的材料包括聚酰亚胺、su-8、液晶聚合物、和parylene-c中的至少一种。
38、第二方面，本申请提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有程序，当程序被单核或多核处理器执行时，使得单核或多核处理器执行上述的柔性电极的制作方法。
39、第三方面，本申请提供了一种柔性电极，该柔性电极通过上述的柔性电极的制作方法制成。
40、本申请实施例提供的柔性电极的制作方法，通过在电极柔性支撑层上设置光刻胶，然后在电极柔性支撑层上沉积形成第一金属层，第一金属层包括在光刻胶上的金属层和在电极柔性支撑层上的电极结构金属层，并去除光刻胶，光刻胶上的金属层也随着光刻胶一起被去除，能够省略相关技术中脱合金化处理的步骤，使得柔性电极的制作工艺较为简单，设备要求较低。
41、本申请的其他优点将配合以下的说明和附图进行更详细的解说。
42、应当理解，上述说明仅是本申请技术方案的概述，以便能够更清楚地了解本申请的技术手段，从而可依照说明书的内容予以实施。为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举例说明本申请的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种柔性电极的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述电极柔性支撑层上设置光刻胶，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻胶的形成采用正胶反转工艺，显影后的预设图案的光刻胶的边缘轮廓截面为倒梯形。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电极柔性支撑层上设置光刻胶后，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述电极柔性支撑层上沉积形成第一金属层，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述薄膜沉积工艺包括电子束蒸发、热蒸发和磁控溅射中任一种工艺。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除光刻胶，包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述封装层在所述电极结构金属层上方的部分，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在对所述封装层上无第二金属层覆盖的区域进行刻蚀后，还包括：
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述封装层上无
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述对所述封装层上无第二金属层覆盖的区域进行刻蚀，包括：
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述封装层上设置光刻胶后，所述方法还包括：
13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二金属层的材料包括镉、铝、铜、钨、铂和钛中的至少一种。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述电极触点的直径在10um-1500um之间。
16.根据权利要求1-15任一项所述的方法，其特征在于，所述第一金属层包括金、钨、铂和钛中的至少一种。
17.根据权利要求1-15任一项所述的方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度在1nm-2000nm之间。
18.根据权利要求1-15任一项所述的方法，其特征在于，所述电极柔性支撑层的厚度在1um-1000um之间。
19.根据权利要求1-15任一项所述的方法，其特征在于，所述电极柔性支撑层的材料包括聚酰亚胺、SU-8、液晶聚合物和Parylene-C中的至少一种。
20.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有程序，当所述程序被单核或多核处理器执行时，使得所述单核或多核处理器执行如权利要求1-19任一项所述的方法。
21.一种柔性电极，其特征在于，通过权利要求1-19任一项所述的方法制成。
...【技术特征摘要】
1.一种柔性电极的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述电极柔性支撑层上设置光刻胶，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻胶的形成采用正胶反转工艺，显影后的预设图案的光刻胶的边缘轮廓截面为倒梯形。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电极柔性支撑层上设置光刻胶后，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述电极柔性支撑层上沉积形成第一金属层，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述薄膜沉积工艺包括电子束蒸发、热蒸发和磁控溅射中任一种工艺。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除光刻胶，包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述封装层在所述电极结构金属层上方的部分，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在对所述封装层上无第二金属层覆盖的区域进行刻蚀后，还包括：
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述封装层上无第二金属层覆盖的区域包括所述电极结构金属层对应的区域和电极开槽区域；
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述对所述封装层上无第二金属层覆盖的区域进行刻蚀，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：张冰杰，高庆，袁柳，
申请(专利权)人：深圳微灵医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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