【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于存储器，具体涉及一种基于多层氧化铪薄膜的铁电存储器件及制造方法。
技术介绍
1、在这个信息高速增长的时代，个人电脑、物联网设备和人工智能计算无时无刻不在产生大量数据。在传统的冯诺依曼架构下，存储和计算的分离直接导致内存和cpu之间的数据传输效率低下，从而产生了内存墙和功耗墙等问题。虽然动态随机存取存储器(dram)和闪存(nand flash)在过去几十年中得到了快速发展，但相比于cpu等数字计算芯片，存储芯片制程缩小速度较慢，设备性能的提升非常困难，它们的缺点也越来越明显。dram虽然读写速度快、成本低，但属于易失性存储器，断电后无法保存数据，且由于需要一直刷新，功耗相对较高，限制了其在一些低功耗领域的应用。对于闪存来说，三维结构的出现提高了其密度，使其性能显著提升。但是读写速度慢、耐用性差的问题仍有待改进。
2、铁电随机存取存储器(feram)具有功耗低(<100fj/bit)、写入速度快(～10ns)、数据保持时间长(超过10年)和耐久性好(>1014次循环)等特点，因此被认为是一类非常有潜力...
【技术保护点】
1.一种基于多层氧化铪薄膜的铁电存储器件，其特征在于：包括顶电极层(1)、中间介质层(2)以及底电极层(3)，所述的顶电极层(1)设置于中间介质层(2)的顶部，所述的底电极层(3)设置于中间介质层(2)的底部，所述的中间介质层(2)包括若干层氧化铪薄膜，所述的氧化铪薄膜包括铁电性氧化铪薄膜(201)和反铁电性氧化铪薄膜(202)。
2.根据权利要求1所述的一种基于多层氧化铪薄膜的铁电存储器件，其特征在于：所述的顶电极层(1)和底电极层(3)均为金属电极层。
3.根据权利要求1所述的一种基于多层氧化铪薄膜的铁电存储器件，其特征在于：所述的中间介质...
【技术特征摘要】
1.一种基于多层氧化铪薄膜的铁电存储器件，其特征在于：包括顶电极层(1)、中间介质层(2)以及底电极层(3)，所述的顶电极层(1)设置于中间介质层(2)的顶部，所述的底电极层(3)设置于中间介质层(2)的底部，所述的中间介质层(2)包括若干层氧化铪薄膜，所述的氧化铪薄膜包括铁电性氧化铪薄膜(201)和反铁电性氧化铪薄膜(202)。
2.根据权利要求1所述的一种基于多层氧化铪薄膜的铁电存储器件，其特征在于：所述的顶电极层(1)和底电极层(3)均为金属电极层。
3.根据权利要求1所述的一种基于多层氧化铪薄膜的铁电存储器件，其特征在于：所述的中间介质层(2)包括2n+1层氧化铪薄膜，2n+1层所述的氧化铪薄膜由n+1层铁电性氧化铪薄膜(201)和n层反铁电性氧化铪薄膜(202)构成，其中，n为[1,5]范围内的整数。
4.根据权利要求3所述的一种基于多层氧化铪薄膜的铁电存储器件，其特征在于：所述的n+1层铁电性氧化铪薄膜(201)和n层反铁电性氧化铪薄膜(202)交替设置，位于顶端的铁电性氧化铪薄膜(201)的顶部与顶电极层(1)的底部连接，位于底端的铁电性氧化铪薄膜(201)...
【专利技术属性】
技术研发人员：任天令，杨煜哲，刘厚方，许文嘉，郭一达，张盛，李昌荣，
申请(专利权)人：晶铁半导体技术广东有限公司，
类型：发明
国别省市：
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