一种GaN HEMT器件的寄生电容放电损耗的检测电路制造技术

本技术提供一种GaN HEMT器件的寄生电容放电损耗的检测电路，其特征在于包括供电电源、一系列并联的电容值为0.5pf‑100pf的电容组、由一组串联电阻构成的分压电路和运算放大器LM324PW组成的电压检测单元、电流检测电路以及控制电容并联进电路和从电路断开的单片机控制单元；本技术可在GaN HEMT的寄生电容随着电压而变化时，通过电压检测单元测得寄生电容两端电压并根据C‑V曲线获得此电压等级下Cds的电容值，并由MCU单元控制与其相等的电容并入电路并由电流检测电路获得其放电电流Ioss，并由MCU通过串口通讯由RXD、TXD引脚传输至上位机的放电电流Ioss与漏源电压Vds算得损耗Eoss。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及于电力电子，尤其涉及一种gan hemt器件的寄生电容放电损耗的检测电路。

技术介绍

1、氮化镓高电子迁移率晶体管(gan hemt)是第三代半导体器件中继sic晶体管之后的新型宽禁带半导体器件，其具有的直接带隙的纤锌矿晶体结构使它拥有着3.39ev的禁带宽度与远高于硅锗以及砷化镓材料的电子迁移率。因此，gan hemt器件能够制备出具有高耐压、大电流、高耐温、高频、强抗干扰等优越性能的晶体管。gan hemt器件目前是一个新的领域，具有远大的应用前景、市场机遇与巨大的发展潜力。

2、基于与algan形成的异质结的gan hemt，在其自身的自发极化以及晶格常数所形成的势阱中存在着体密度高达1019量级的高浓度二维电子气(2deg)，使得其导通阻抗非常低。且gan hemt器件层间材料禁带宽，介电常数高，从而可以将结电容控制到非常低的水平，例如gan systems公司的gs66502b型号gan hemt输入电容(ciss)、输出电容(coss)、米勒电容(crss)在栅源电压vgs＝0v、漏源电压vds＝400v、频率为100kh本文档来自技高网...

【技术保护点】

1. 一种 GaN HEMT 器件的寄生电容放电损耗的检测电路，其特征在于包括供电电源、一系列并联的电容组、由一组串联电阻构成的分压电路和运算放大器组成的电压检测单元、电流检测电路、以及控制电容并联进电路和从电路断开的单片机控制单元；

2.根据权利要求 1 所述的一种 GaN HEMT 器件的寄生电容放电损耗的检测电路，其特征在于所述运算放大器为四运放集成电路，所述运算放大器的芯片型号为 LM324PW，所述运算放大器采用 SOP 封装，所述运算放大器一共有 14 个引脚，四组所述运算放大器的输出引脚分别为：引脚 1、引脚 7、引脚 8、引脚 14，四组所述运算放大器的正向和...

【技术特征摘要】

1. 一种 gan hemt 器件的寄生电容放电损耗的检测电路，其特征在于包括供电电源、一系列并联的电容组、由一组串联电阻构成的分压电路和运算放大器组成的电压检测单元、电流检测电路、以及控制电容并联进电路和从电路断开的单片机控制单元；

2.根据权利要求 1 所述的一种 gan hemt 器件的寄生电容放电损耗的检测电路，其特征在于所述运算放大器为四运放集成电路，所述运算放大器的芯片型号为 lm324pw，所述运算放大器采用 sop 封装，所述运算放大器一共有 14 个引脚，四组所述运算放大器的输出引脚分别为：引脚 1、引脚 7、引脚 8、引脚 14，四组所述运算放大器的正向和反向输入端分别为引脚 2、引脚 3、引脚 5、引脚 6、引脚 9、引脚 10、引脚 12、引脚 13，所述引脚4 为 vcc+引脚，所述引脚 4 连接到 5v 供电电源，所述引脚 11 为 vcc-引脚接地，所述运算放大器个数为四个，四个所述运算放大器形式完全相同，除电源共用之外相互独立，一个单独的所述运算放大器，其拥有五个信号引出脚，其中“+”，“-”为两个信号输入端，“v+”、“v-”为正、负电源端，“vo”为输出端，两个信号输入端中,vi-为反相输入端，表示运放输出端 vo 的信号与该输入端的相位相反；vi+为同向输入端，表示运放输出端 vo 的信号与该输入端的相位相同。

3.根据权利要求 2 所述的一种 gan hemt 器件的寄生电容放电损耗的检测电路，其特征在于所述四运放集成电路的运算放大器内部电压跟随器的电路中 r1 为消反射电阻，该运放的 5、6 脚电压相同且输入阻抗无穷大，输入信号的电流主要通过 r4 流入地，输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：高圣伟，傅孝愚，王昭，田金锐，牛萍娟，
申请(专利权)人：天津工业大学，
类型：新型
国别省市：