【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种显示装置及其制造方法。
技术介绍
1、最近，随着关于信息显示的关注变高，对显示装置的研发正在持续进行。
技术实现思路
1、本专利技术的一目的在于提供一种通过对沉积在发光元件上的铟锡合金进行真空热处理之后再进行氧热处理来形成像素电极的显示装置的制造方法。
2、本专利技术的另一目的在于提供一种通过上述制造方法形成的显示装置。
3、然而，本专利技术的目的不限于上述目的，在不脱离本专利技术的思想和领域的范围内可以以多种方式扩展。
4、用于实现本专利技术的一目的根据本专利技术的实施例的显示装置的制造方法可以包括如下步骤：将发光元件对齐在基板上的发光区域中；将第一铟锡合金在常温下沉积在基板的整个表面上；对被沉积的所述第一铟锡合金进行热处理而使其沿着所述发光元件各自的侧表面进行回流(reflow)；对所述第一铟锡合金进行有氧热处理来形成第一铟锡氧化物；以及对所述第一铟锡氧化物进行蚀刻来形成与所述发光元件的至少一部分的第一端部接触的第一像素电极。
5、根据一实施例，在使所述第一铟锡合金进行回流的步骤中，可以对所述第一铟锡合金在真空氛围的200℃至230℃的温度范围下进行热处理0.5小时至1小时。
6、根据一实施例，在形成所述第一铟锡氧化物的步骤中，可以对所述第一铟锡合金在250℃以下的氧气氛围下进行所述有氧热处理。
7、根据一实施例，所述第一像素电极的厚度可以是至
8、根据一实施例，所述第一铟锡氧
9、根据一实施例，所述第一铟锡氧化物可以具有85wt％至95wt％的所述氧化铟以及5wt％至15wt％的所述氧化锡的质量百分比。
10、根据一实施例，所述第一铟锡氧化物的电阻率(resistivity)可以是270μω·cm至350μω·cm。
11、根据一实施例，所述发光元件可以具有纳米级的直径及长度。
12、根据一实施例，所述显示装置的制造方法还可以包括如下步骤：在所述第一像素电极上图案化绝缘层；将第二铟锡合金在常温下沉积在所述绝缘层的整个表面上；对被沉积的所述第二铟锡合金进行热处理而使其沿着所述发光元件各自的被暴露的侧表面进行回流；对所述第二铟锡合金进行所述有氧热处理来形成第二铟锡氧化物；以及对所述第二铟锡氧化物进行蚀刻来形成与所述发光元件的所述至少一部分的与所述第一端部对向的第二端部接触的第二像素电极。
13、根据一实施例，所述第二像素电极的厚度可以是至
14、根据一实施例，所述第二铟锡氧化物的电阻率(resistivity)可以是270μω·cm至350μω·cm。
15、根据一实施例，所述显示装置的制造方法还可以包括：在所述像素电极上形成包括颜色转换颗粒或光散射颗粒并填充所述发光区域的颜色转换层；以及在所述颜色转换层上形成包括无机绝缘物质的覆盖层以及具有比所述颜色转换层低的折射率的低折射层。
16、根据一实施例，所述发光元件可以在形成于所述发光区域内的相互相邻的堤图案之间沿一方向被对齐。
17、用于实现本专利技术的一目的的根据本专利技术的实施例的显示装置可以包括：像素电路层，包括晶体管；以及显示元件层，布置在所述像素电路层上。所述显示元件层可以包括：堤图案，在发光区域内相互隔开；发光元件，排列在所述堤图案之间；第一像素电极，与所述发光元件的至少一部分的第一端部接触并电连接到所述像素电路层；以及第二像素电极，与所述发光元件的至少一部分的第二端部接触并电连接到所述像素电路层。所述第一像素电极及所述第二像素电极的厚度可以是至
18、根据一实施例，所述第一像素电极及所述第二像素电极可以包括利用氧化铟及氧化锡组成的铟锡氧化物。
19、根据一实施例，所述铟锡氧化物可以具有85wt％至95wt％的所述氧化铟以及5wt％至15wt％的所述氧化锡的质量百分比。
20、根据一实施例，所述第一像素电极及所述第二像素电极的电阻率(resistivity)可以是270μω·cm至350μω·cm。
21、根据一实施例，所述显示装置还可以包括：颜色转换层，包括颜色转换颗粒或光散射颗粒，并且布置在所述第一像素电极及所述第二像素电极上；以及低折射层，布置在所述颜色转换层上，并且具有比所述颜色转换层低的折射率。
22、根据一实施例，所述发光元件可以具有纳米级的直径及长度。
23、根据本专利技术的实施例的显示装置及其制造方法，能够在发光元件的侧部不间断地稳定地形成约5μm以下的非常薄的厚度的透明的像素电极，所述像素电极具有与普通ito同等水平的透光率以及优异的电阻率特性。因此，能够减少乃至最小化像素的驱动不良。并且，由于像素电极更加薄膜化，因此能够改善可视性及画质，并且能够降低制造费用。
24、然而，本专利技术的效果不限于上述效果，在不脱离本专利技术的思想和领域的范围内可以以多种方式扩展。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
7.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
8.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
9.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，还包括如下步骤：
10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，
11.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，
12.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，还包括如下步骤：
13.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
14.一种显示装置，包括：
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
18.根据权利要求15所述的显示装置，还包括：
19.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
7.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
8.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
9.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，还包括如下步骤：
10.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴俊龙，申铉亿，权圣周，郑参台，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。