【技术实现步骤摘要】
本申请涉及裸管芯组装，具体而言，涉及一种基于裸芯片组装的微波基片的涂刷防护方法。
技术介绍
1、目前在微波行业中对于使用裸管芯组装技术的微波基片，在进行三防(防盐雾、防湿热、防霉菌)处理时，通常有几种方法：第一、使用激光密封或平行封焊等技术，将使用裸管芯组装技术的微波基片密封在腔体内，使其与空气隔绝，起到防盐雾、防湿热、防霉菌的作用。但采用该方案的产品一旦出现问题，必须使用专用工具将密封的盖子去掉，盖子也只能报废，因此可维修性相对较差，且维修成本较高。
2、第二、采用parylene作为封装材料，parylene俗称聚合对二甲苯，是一种新型热塑性塑料,用于制作极薄薄膜或沉积涂层，是一种完全线性的高度晶体结构的材料，利用真空积淀形成独特的热塑性高分子化合物。parylene的沉积流程为：蒸发双聚物→热解成单聚物→沉积多聚物，其中parylene多聚物是通过气相进行沉积的，第一步是在大约150℃下将双聚物进行蒸发，第二步是在680℃下将两个氨基键裂解，从而生成稳定的单聚物基本单元──对二甲苯，最后，单聚物进入室温温度下沉积到腔体内，在这里瞬间吸附在基板或元件上，并进行聚合，但是采用该方案的工艺较为复杂，需用专用设备导致成本较高。
3、第三、采用芯片包封技术，采用的材料一般有环氧、硅橡胶、硅凝胶等等。但硅橡胶和环氧树脂在高低温条件下存在胶体膨胀及收缩所带来的一定量的应力，对于引线焊接面大(约3mm2)、焊接强度高(铅锡焊接)的磁环等来说，影响微乎其微，但对于金丝压焊的裸芯片来说，当胶体膨胀及收缩(－40～+70
技术实现思路
1、本申请的目的在于，为了克服现有的技术缺陷，提供了一种基于l波段内使用裸管芯微组装的方法，通过三防漆对金丝压焊处进行防护使其既不损坏金丝或金带，对产品指标影响小，也能解决使用裸管芯组装技术的微波基片的三防问题。
2、本申请目的通过下述技术方案来实现：
3、第一方面，本申请提出了一种基于裸芯片组装的微波基片的涂刷防护方法，所述方法应用于裸芯片组装的微波基片，所述方法包括：
4、将所述微波基片的表面清洗干净，使用掩蔽带将微波基片中无需刷三防漆的位置进行遮蔽；
5、在微波基片的金丝压焊处滴上导电胶之后对微波基片进行烘烤；
6、将三防漆滴落在烘烤后的微波基片的金丝压焊处，使得三防漆包裹住金丝压焊处，并将微波基片静置；
7、将静置后的微波基片中除了掩蔽带遮蔽的部分和金丝压焊处的区域利用三防漆进行涂刷；
8、将涂刷后的微波基片静置之后进行烘烤，使得微波基片固化；
9、将烘烤后的微波基片干燥之后撕掉掩蔽带得到微波基片成品。
10、在一种可能的实施方式中，所述三防漆选取bectron pl4122-e blf。
11、在一种可能的实施方式中，所述导电胶的型号选取h20e。
12、在一种可能的实施方式中，三防漆位于金丝压焊处之上1～2mm处进行滴落。
13、在一种可能的实施方式中，烘烤滴上导电胶之后的微波基片的时间为2h，温度为120℃。
14、在一种可能的实施方式中，烘烤静置之后微波基片的时间为30min，温度为75℃-85℃。
15、在一种可能的实施方式中，微波基片的静置时间均为2h。
16、在一种可能的实施方式中，三防漆涂刷除了掩蔽带遮蔽的部分和金丝压焊处的区域的漆膜厚度为80～200μm。
17、在一种可能的实施方式中，设置三防漆的粘度流出时间为40～45s。
18、在一种可能的实施方式中，除了掩蔽带遮蔽的部分和金丝压焊处的区域采用45度角进行涂刷
19、上述本申请主方案及其各进一步选择方案可以自由组合以形成多个方案，均为本申请可采用并要求保护的方案；且本申请，(各非冲突选择)选择之间以及和其他选择之间也可以自由组合。本领域技术人员在了解本申请方案后根据现有技术和公知常识可明了有多种组合，均为本申请所要保护的技术方案，在此不做穷举。
20、本申请公开了一种基于裸芯片组装的微波基片的涂刷防护方法，首先将微波基片的表面清洗干净，使用掩蔽带将微波基片中无需刷三防漆的位置进行遮蔽，在微波基片的金丝压焊处滴上导电胶之后对微波基片进行烘烤，将三防漆滴落在烘烤后的微波基片的金丝压焊处，使得三防漆包裹住金丝压焊处，并将微波基片静置，将静置后的微波基片中除了掩蔽带遮蔽的部分和金丝压焊处的区域利用三防漆进行涂刷，将涂刷后的微波基片静置之后进行烘烤，使得微波基片固化最后将烘烤后的微波基片干燥之后撕掉掩蔽带得到微波基片成品。通过三防漆对金丝压焊处进行防护使其既不损坏金丝或金带，对产品指标影响小，也能解决使用裸管芯组装技术的微波基片的三防问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于裸芯片组装的微波基片的涂刷防护方法，其特征在于，所述方法应用于裸芯片组装的微波基片，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，所述三防漆选取BECTRON PL4122-EBLF。
3.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，所述导电胶的型号选取H20E。
4.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，三防漆位于金丝压焊处之上1～2mm处进行滴落。
5.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，烘烤滴上导电胶之后的微波基片的时间为2h，温度为120℃。
6.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，烘烤静置之后微波基片的时间为30min，温度为75℃-85℃。
7.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，微波基片的静置时间均为2h。
8.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，三防漆涂刷除了掩蔽带遮蔽的部分和金丝压焊处的区域的漆膜厚度为80～200μm。
9.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，设置三防漆的粘度流出时间为40～
10.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，除了掩蔽带遮蔽的部分和金丝压焊处的区域采用45度角进行涂刷。
...【技术特征摘要】
1.一种基于裸芯片组装的微波基片的涂刷防护方法，其特征在于，所述方法应用于裸芯片组装的微波基片，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，所述三防漆选取bectron pl4122-eblf。
3.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，所述导电胶的型号选取h20e。
4.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，三防漆位于金丝压焊处之上1～2mm处进行滴落。
5.如权利要求1所述的涂刷防护方法，其特征在于，烘烤滴上导电胶之后的微波基片的时间为2h，温度为120℃。
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：肖攀，王红林，申江，
申请(专利权)人：成都九洲迪飞科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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