【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子通信，更具体地说，涉及一种用于提高tft显示屏帧率的高效spi数据传输连接方式。
技术介绍
1、现代电子设备中，薄膜晶体管(tft)显示屏因其出色的显示特性而被广泛采用。为了驱动这些显示屏，微处理器单元(mcu)需要处理和传输大量图像数据。通常，这一过程涉及至少两路高速串行外设接口(spi)：一路连接tft屏，负责送出显示数据；另一路连接外部flash存储器，负责读取存储的图像数据。为了优化显示效果和减少数据传输次数，mcu还需内嵌较大容量的ram以暂存数据。
2、在现有技术中，驱动tft显示屏通常要求微处理器单元(mcu)具备两路高速串行外设接口(spi)：一路连接tft显示屏以传输显示数据，另一路连接外部flash存储器以读取图像数据。为减少数据搬运次数，mcu还需要较大的ram资源。在这一配置下，mcu需先从外部flash通过spi读取数据，然后存入内部ram，再通过另一路spi将数据传输到tft显示屏。这种方案虽然可行，但存在诸多缺点，如对mcu性能要求高，芯片管脚损耗多，以及通信效率低下。
3、因此，针对上述技术问题，有必要提供一种用于提高tft显示屏帧率的高效spi数据传输连接方式。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种用于提高tft显示屏帧率的高效spi数据传输连接方式，以解决上述的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术一实施例提供的技术方案如下：
3、一种用于提高tft显示屏帧率的高效sp
4、微控制单元(mcu)；
5、所述微控制单元(mcu)具有正电源输入引脚(vdd)和接地引脚(vss)，所述微控制单元(mcu)的正电源输入引脚(vdd)连接至正电源电压(vcc)，所述微控制单元(mcu)的接地引脚(vss)连接至接地(gnd)；
6、外部flash存储器；
7、所述外部flash存储器设置有多个引脚，所述外部flash存储器的接地(gnd)引脚连接至一个公共接地，所述外部flash存储器的电源(vcc)引脚连接至正电源电压(vcc)，所述外部flash存储器的数据输出(do)引脚通过一个上拉电阻(r2)连接至正电源电压(vcc)，所述上拉电阻(r2)的电阻值为4.7千欧姆，所述外部flash存储器的片选(cs#)引脚通过一个上拉电阻(r3)连接至正电源电压(vcc)，所述上拉电阻(r3)的电阻值为4.7千欧姆，所述外部flash存储器的数据输入(di)引脚通过一个限流电阻(r5)连接至外部flash存储器的数据输出(do)引脚，所述限流电阻(r5)的电阻值为360欧姆；
8、tft屏幕；
9、所述tft屏幕具有第1引脚至第13引脚，所述第9引脚和第10引脚均与正电源电压(vcc)连接，所述第8引脚、第11引脚和第13引脚均连接至接地(gnd)，所述正电源电压(vcc)与所述第12引脚之间通过一个电阻元件(r1)连接，所述电阻元件(r1)为51欧姆(51r)，所述正电源电压(vcc)通过一个电容元件(c1)连接至接地(gnd)，所述电容元件(c1)为1微法拉(1uf)。
10、作为本专利技术的进一步改进，所述微控制单元(mcu)通过单一串行外设接口(spi)与外部flash存储器和tft屏幕连接。
11、作为本专利技术的进一步改进，所述微控制单元(mcu)的spi时钟线(spi_sck)连接到外部flash存储器的时钟输入(sck)和tft屏幕的时钟输入(sck)。
12、作为本专利技术的进一步改进，所述微控制单元(mcu)的主输出从输入线(spi_mosi)与主输入从输出线(spi_miso)相连，并且共同连接到外部flash存储器的主输入从输出线(miso)和tft屏幕的主输出从输入线(mosi)。
13、作为本专利技术的进一步改进，所述外部flash存储器和tft屏幕的片选线(cs)分别连接到mcu的不同i/o端口。
14、作为本专利技术的进一步改进，所述微控制单元(mcu)在与外部flash存储器通信时能够使能外部flash存储器的片选线(cs)，同时失能tft屏幕的片选线(cs)。
15、作为本专利技术的进一步改进，所述微控制单元(mcu)在与tft屏幕通信时能够使能tft屏幕的片选线(cs)，同时失能外部flash存储器的片选线(cs)。
16、作为本专利技术的进一步改进，所述微控制单元(mcu)在接收数据时能够使能其spi主输入从输出线(spi_miso)，并将主输出从输入线(spi_mosi)设置为输入模式。
17、作为本专利技术的进一步改进，所述微控制单元(mcu)在发送数据时能够使能其spi主输出从输入线(spi_mosi)，并将主输入从输出线(spi_miso)设置为输入模式。
18、作为本专利技术的进一步改进，所述微控制单元(mcu)在需要将外部flash存储器的数据透传到tft屏幕时，能够将其spi主输出从输入线(spi_mosi)和主输入从输出线(spi_miso)设置为输入模式，并控制spi时钟线(spi_sck)发送时钟信号。
19、相比于现有技术，本专利技术的优点在于：
20、本方案通过单一的串行外设接口(spi)高效连接微控制单元(mcu)、外部flash存储器和tft显示屏，实现了一种简化的硬件架构，从而显著提高了tft显示屏的帧率。由于spi接口允许图像数据直接从flash存储器传输到tft屏幕，绕过了mcu的中间处理，这不仅加快了数据传输速度，还减轻了mcu的工作负担，降低了对其性能的依赖，此外减少了所需的mcu i/o管脚数量，降低了内存需求，进一步减少了系统的总成本和功耗。通过电阻串联的方式降低了信号干扰，提高了传输稳定性，可以降低芯片资源要求，提高刷屏效率和效果，适合于对高分辨率和流畅显示性能有高要求的应用，提供了成本效益和性能之间的优化平衡。
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1.一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式，其特征在于：所述微控制单元(MCU)通过单一串行外设接口(SPI)与外部Flash存储器和TFT屏幕连接。
3.根据权利要求1所述的一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式，其特征在于：所述微控制单元(MCU)的SPI时钟线(SPI_SCK)连接到外部Flash存储器的时钟输入(SCK)和TFT屏幕的时钟输入(SCK)。
4.根据权利要求1所述的一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式，其特征在于：所述微控制单元(MCU)的主输出从输入线(SPI_MOSI)与主输入从输出线(SPI_MISO)相连，并且共同连接到外部Flash存储器的主输入从输出线(MISO)和TFT屏幕的主输出从输入线(MOSI)。
5.根据权利要求1所述的一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式，其特征在于：所述外部Flash存储器和TFT屏幕的片选线(
6.根据权利要求1所述的一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式，其特征在于：所述微控制单元(MCU)在与外部Flash存储器通信时能够使能外部Flash存储器的片选线(CS)，同时失能TFT屏幕的片选线(CS)。
7.根据权利要求1所述的一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式，其特征在于：所述微控制单元(MCU)在与TFT屏幕通信时能够使能TFT屏幕的片选线(CS)，同时失能外部Flash存储器的片选线(CS)。
8.根据权利要求1所述的一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式，其特征在于：所述微控制单元(MCU)在接收数据时能够使能其SPI主输入从输出线(SPI_MISO)，并将主输出从输入线(SPI_MOSI)设置为输入模式。
9.根据权利要求1所述的一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式，其特征在于：所述微控制单元(MCU)在发送数据时能够使能其SPI主输出从输入线(SPI_MOSI)，并将主输入从输出线(SPI_MISO)设置为输入模式。
10.根据权利要求1所述的一种用于提高TFT显示屏帧率的高效SPI数据传输连接方式，其特征在于：所述微控制单元(MCU)在需要将外部Flash存储器的数据透传到TFT屏幕时，能够将其SPI主输出从输入线(SPI_MOSI)和主输入从输出线(SPI_MISO)设置为输入模式，并控制SPI时钟线(SPI_SCK)发送时钟信号。
...【技术特征摘要】
1.一种用于提高tft显示屏帧率的高效spi数据传输连接方式，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于提高tft显示屏帧率的高效spi数据传输连接方式，其特征在于：所述微控制单元(mcu)通过单一串行外设接口(spi)与外部flash存储器和tft屏幕连接。
3.根据权利要求1所述的一种用于提高tft显示屏帧率的高效spi数据传输连接方式，其特征在于：所述微控制单元(mcu)的spi时钟线(spi_sck)连接到外部flash存储器的时钟输入(sck)和tft屏幕的时钟输入(sck)。
4.根据权利要求1所述的一种用于提高tft显示屏帧率的高效spi数据传输连接方式，其特征在于：所述微控制单元(mcu)的主输出从输入线(spi_mosi)与主输入从输出线(spi_miso)相连，并且共同连接到外部flash存储器的主输入从输出线(miso)和tft屏幕的主输出从输入线(mosi)。
5.根据权利要求1所述的一种用于提高tft显示屏帧率的高效spi数据传输连接方式，其特征在于：所述外部flash存储器和tft屏幕的片选线(cs)分别连接到mcu的不同i/o端口。
6.根据权利要求1所述的一种用于提高tft显示屏帧率的高效spi数据传输连接方式，其特征在于：所述微控制单元(mcu)在与外部f...
【专利技术属性】
技术研发人员：李卓晖，
申请(专利权)人：亿希格实业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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