【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及合金锻造,具体涉及一种降低铝铜合金铸锭晶粒尺寸的方法。
技术介绍
1、磁控溅射是物理气相沉积(physical vapor deposition,pvd)的一种,磁控溅射的原理是:电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子和电子,电子飞向基片,氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。目前,溅射靶材一般主要应用于半导体芯片、平板显示器、太阳能电池以及信息存储等领域,并且应用时要求靶材具有良好的内部组织均匀性以及较小的晶粒的尺寸。
2、铝铜合金靶材是重要的溅射靶材之一,现有铝铜合金靶材的制备方法所得合金的微观晶粒尺寸较大,难以进一步降低晶粒的大小。一般来说,晶粒越细小,晶界面积越大,对靶材的性能影响较大,对于同一种靶材而言,晶粒细小靶材的溅射速率比晶粒粗大靶材的溅射速率快,而且晶粒尺寸均匀的靶材在溅射沉积薄膜时的薄膜厚度分布更加均匀。
3、例如,cn115233123a中公开了一种铝铜合金靶坯及其制备方法,包括将铜
...【技术保护点】
1.一种降低铝铜合金铸锭晶粒尺寸的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述第一整形处理的温度为150-200℃。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述第一热处理的温度为260-280℃;
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,步骤(2)所述第一冷锻处理的过程包括:对第一铸锭的三个互相垂直的方向,即右手定则中的X轴方向、Y轴方向、Z轴方向依次进行锻造,每个方向依次进行镦粗和拔长;
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种降低铝铜合金铸锭晶粒尺寸的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述第一整形处理的温度为150-200℃。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,步骤(1)所述第一热处理的温度为260-280℃;
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法,其特征在于,步骤(2)所述第一冷锻处理的过程包括:对第一铸锭的三个互相垂直的方向,即右手定则中的x轴方向、y轴方向、z轴方向依次进行锻造,每个方向依次进行镦粗和拔长;
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,步骤(2)所述第二热处理的温度为260-280℃;
...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军,潘杰,孙明亮,陈勇军,周友平,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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