【技术实现步骤摘要】
本专利技术特别涉及一种单片集成探测芯片及提高耦合探测效率的方法，属于微纳制造。
技术介绍
1、太赫兹波因为具有微波、红外以及x射线等已经被广泛应用的其它波段电磁波所不具备的高透射性、低能量性、高分辨率等特性引起了人们广泛的关注。太赫兹技术发展的关键任务是发展高灵敏度、可阵列化的太赫兹探测器，但目前探测器的灵敏度不够高，并且探测需要在相对较为严格的环境下进行，以确保信号质量和测量准确性，可能考虑的如温度和湿度、电磁屏蔽效应、低振动环境、实验室内干净的环境和仪器校准等因素，这使得太赫兹技术的应用受到了很大的阻碍。
2、本案专利技术人近年来开展了场效应晶体管太赫兹波混频探测器的研究，先后实现了太赫兹波的高灵敏度探测器和太赫兹波调制器，在自混频直接探测器及其阵列化和外差混频探测器方面取得了重要进展，建立的混频探测物理模型准确指导了混频器的设计开发，所研制的室温太赫兹波混频探测器技术处于国际先进水平。
3、探测器上太赫兹天线的集成使得场效应晶体管探测器可以实现高灵敏度探测，但是依然存在一些问题需要进行优化以继续提升探测灵敏...
【技术保护点】
1.一种提高探测器耦合探测效率的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述提高探测器耦合探测效率的方法，其特征在于，包括：在所述衬底的第一表面形成多个探测器结构，从而形成探测器阵列。
3.根据权利要求1或2所述提高探测器耦合探测效率的方法，其特征在于：所述探测器结构包括太赫兹探测器结构，所述电磁波包括太赫兹波。
4.根据权利要求1所述提高探测器耦合探测效率的方法，其特征在于，包括：在所述衬底的第二表面形成耦合结构前体，并将所述耦合结构前体加工形成所述耦合结构，或者，直接将耦合结构与所述衬底的第二表面结合。
5.根据...
【技术特征摘要】
1.一种提高探测器耦合探测效率的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述提高探测器耦合探测效率的方法，其特征在于，包括：在所述衬底的第一表面形成多个探测器结构，从而形成探测器阵列。
3.根据权利要求1或2所述提高探测器耦合探测效率的方法，其特征在于：所述探测器结构包括太赫兹探测器结构，所述电磁波包括太赫兹波。
4.根据权利要求1所述提高探测器耦合探测效率的方法，其特征在于，包括：在所述衬底的第二表面形成耦合结构前体，并将所述耦合结构前体加工形成所述耦合结构，或者，直接将耦合结构与所述衬底的第二表面结合。
5.根据权利要求1或4所述提高探测器耦合探测效率的方法，其特征在于：所述耦合结构包...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚文伟，孙建东，秦华，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：
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