二氧化硅粒子、调色剂、静电潜像显影剂、调色剂盒、处理盒、图像形成装置及方法制造方法及图纸

技术编号:40775005 阅读:18 留言:0更新日期:2024-03-25 20:21
一种二氧化硅粒子、调色剂、静电潜像显影剂、调色剂盒、处理盒、图像形成装置及方法,所述二氧化硅粒子具有:二氧化硅母粒;包覆结构,包覆所述二氧化硅母粒,并且由3官能硅烷化合物的反应产物构成;及含氮元素化合物,附着于所述包覆结构,并且含有钼元素,在利用SEM‑EDX创建的钼元素图中,在钼元素的总面积中所占的形成长径500nm以上的团簇的区域的总面积为5%以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种二氧化硅粒子、调色剂、静电潜像显影剂、调色剂盒、处理盒、图像形成装置及方法


技术介绍

1、专利文献1中公开了一种静电潜像显影调色剂,其混合调色剂粒子和外添用电荷控制粒子而成,外添用电荷控制粒子为由载体粒子和电荷控制剂构成的外添用电荷控制粒子,并且相对于载体粒子1质量份具有1×10-3~1×10-1质量份的范围的电荷控制剂,所述载体粒子由通过对利用溶胶凝胶法获得的亲水性球状二氧化硅微粒的表面进行疏水化处理而得的平均粒径20~500nm的疏水性球状二氧化硅微粒构成,所述电荷控制剂被覆盖在载体粒子的表面上,所述静电潜像显影调色剂相对于调色剂粒子1质量份混合外添用电荷控制粒子0.001~0.05质量份而成。

2、专利文献2中公开了一种二氧化硅粒子,其含有季铵盐,由清洗前的二氧化硅粒子的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为2nm以下的频度的最大值fbefore与由清洗后的二氧化硅粒子的氮气吸附法的孔分布曲线求出的孔径为2nm以下的频度的最大值fafter之比fbefore/fafter为0.90以上且1.10以下,并且最大值fbefor本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二氧化硅粒子,其具有:

2.根据权利要求1所述的二氧化硅粒子,其中,

3.根据权利要求1所述的二氧化硅粒子,其中,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的二氧化硅粒子,其中,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的二氧化硅粒子,其中,

6.根据权利要求1至4中任一项所述的二氧化硅粒子,其中,

7.根据权利要求1至6中任一项所述的二氧化硅粒子,其中,

8.根据权利要求1至7中任一项所述的二氧化硅粒子,其平均一次粒径为10nm以上且200nm以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的二氧化硅...

【技术特征摘要】

1.一种二氧化硅粒子,其具有:

2.根据权利要求1所述的二氧化硅粒子,其中,

3.根据权利要求1所述的二氧化硅粒子,其中,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的二氧化硅粒子,其中,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的二氧化硅粒子,其中,

6.根据权利要求1至4中任一项所述的二氧化硅粒子,其中,

7.根据权利要求1至6中任一项所述的二氧化硅粒子,其中,

8.根据权利要求1至7中任一项所述的二氧化硅粒子,其平均一次粒径为10nm以上且200nm以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的二氧化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员:関三枝子竹内栄銭谷优香菅原启持田麻衣野原晃太
申请(专利权)人:富士胶片商业创新有限公司
类型:发明
国别省市:

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