System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种波导型电声调制器及其版图结构制造技术_技高网

一种波导型电声调制器及其版图结构制造技术

技术编号:40771309 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-25 20:19
本申请提供一种波导型电声调制器及其版图结构,该调制器包括:衬底;导电层,其设置于所述衬底一侧;波导层,其设置于所述导电层远离所述衬底的一侧;波导路径,其设置于所述波导层远离所述导电层的一侧,声波由所述输入路径传入后经过各所述子路径汇入所述输出路径;第一电极,其设置于其中一条所述子路径远离所述波导层的一侧,或者设置于两个所述子路径之间;以及,第二电极,其设置于所述波导层远离所述导电层的一侧,且所述第二电极与所述导电层连接,所述第一电极接入正电压、所述第二电极接地,以在对应的子路径上形成电场对声波进行调制。本申请的调制器调制效率高,串扰小,可满足不同调制需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路应用领域,尤其涉及一种波导型电声调制器及其版图结构


技术介绍

1、固体中的声波的应用十分广泛,包括微波滤波器、振荡器、延迟线和传感器等。与电磁波相比,声波具有波长较小的优势,声波能够用于在极小的占用体积中的信号处理和操纵,且器件与器件、器件与环境之间的串扰较小。因此,片上声子集成电路系统已经成为量子计算和存储的未来解决方案之一。

2、对声波的调制是声子集成电路需要的基本功能之一。声波调制可用于无线电通信、雷达和信号处理等领域。然而,目前缺乏主动控制声波的相位、振幅、频率和非互易性的技术。


技术实现思路

1、鉴于以上现有技术存在的问题,本专利技术提出一种波导型电声调制器,主要解决现有集成电路难以实现有效声波调制的问题。

2、为了实现上述目的及其他目的,本专利技术采用的技术方案如下。

3、本申请提供一种波导型电声调制器,包括:衬底;导电层,其设置于所述衬底一侧;波导层,其设置于所述导电层远离所述衬底的一侧;波导路径,其设置于所述波导层远离所述导电层的一侧,所述波导路径包括一条输入路径、一条输出路径以及两条子路径,声波由所述输入路径传入后经过各所述子路径汇入所述输出路径;第一电极,其设置于其中一条所述子路径远离所述波导层的一侧,或者设置于两个所述子路径之间;以及,第二电极,其设置于所述波导层远离所述导电层的一侧,且所述第二电极与所述导电层连接,所述第一电极接入正电压、所述第二电极接地,以在对应的子路径上形成电场对声波进行调制。</p>

4、在本申请一实施例中,所述子路径包括连接段和调制段,所述子路径分别通过各自的连接段与所述输入路径对接;且两条所述子路径的所述调制段相互平行。

5、在本申请一实施例中,所述第一电极设置于所述调制段远离所述波导层的一侧。

6、在本申请一实施例中,所述输入路径与对应的连接段、所述输出路径与对应的连接段分别形成y型结构。

7、在本申请一实施例中,所述第一电极设置于两条所述子路径的调制段之间,所述第二电极分别设置于两条所述子路径远离所述第一电极的一侧,所述第一电极与所述第二电极相对设置以在上电后形成穿过对应子路径的电场。

8、在本申请一实施例中,所述第一电极到两侧所述第二电极的距离相等,且所述第一电极到两侧所述调制段的距离相等。

9、在本申请一实施例中,波导型电声调制器还包括通孔,其贯通所述波导层,所述第二电极通过所述通孔与所述导电层连接。

10、在本申请一实施例中,所述波导路径的材料至少包括氮化铝、钪掺杂氮化铝、铌酸锂或氮化镓。

11、在本申请一实施例中,所述衬底的材料至少包括硅、氧化硅、碳化硅、石英或蓝宝石。

12、本申请还提供一种波导型电声调制器的版图结构,包括多个前述的波导型电声调制器,各所述波导型电声调制器形成阵列结构。

13、如上所述,本申请提出的一种波导型电声调制器及其版图结构,具有以下有益效果。

14、本申请的波导型电声调制器可通过施加调制电场,利用电声效应对波导路径中的声波相位进行调制,实现微纳米加工工艺下的声波信号控制,为射频通信中的声波信号应用提供可靠的技术支撑。

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【技术保护点】

1.一种波导型电声调制器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的波导型电声调制器,其特征在于,所述子路径包括连接段和调制段,所述子路径分别通过各自的连接段与所述输入路径对接;且两条所述子路径的所述调制段相互平行。

3.根据权利要求2所述的波导型电声调制器,其特征在于,所述第一电极设置于所述调制段远离所述波导层的一侧。

4.根据权利要求2所述的波导型电声调制器,其特征在于,所述输入路径与对应的连接段、所述输出路径与对应的连接段分别形成Y型结构。

5.根据权利要求2所述的波导型电声调制器,其特征在于,所述第一电极设置于两条所述子路径的调制段之间,所述第二电极分别设置于两条所述子路径远离所述第一电极的一侧,所述第一电极与所述第二电极相对设置以在上电后形成穿过对应子路径的电场。

6.根据权利要求5所述的波导型电声调制器,其特征在于,所述第一电极到两侧所述第二电极的距离相等,且所述第一电极到两侧所述调制段的距离相等。

7.根据权利要求1所述的波导型电声调制器,其特征在于,还包括通孔,其贯通所述波导层,所述第二电极通过所述通孔与所述导电层连接。

8.根据权利要求1所述的波导型电声调制器,其特征在于,所述波导路径的材料至少包括氮化铝、钪掺杂氮化铝、铌酸锂或氮化镓。

9.根据权利要求1所述的波导型电声调制器,其特征在于,所述衬底的材料至少包括硅、氧化硅、碳化硅、石英或蓝宝石。

10.一种波导型电声调制器的版图结构,其特征在于,包括多个如权利要求1-9任一所述的波导型电声调制器,各所述波导型电声调制器形成阵列结构。

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【技术特征摘要】

1.一种波导型电声调制器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的波导型电声调制器,其特征在于,所述子路径包括连接段和调制段,所述子路径分别通过各自的连接段与所述输入路径对接;且两条所述子路径的所述调制段相互平行。

3.根据权利要求2所述的波导型电声调制器,其特征在于,所述第一电极设置于所述调制段远离所述波导层的一侧。

4.根据权利要求2所述的波导型电声调制器,其特征在于,所述输入路径与对应的连接段、所述输出路径与对应的连接段分别形成y型结构。

5.根据权利要求2所述的波导型电声调制器,其特征在于,所述第一电极设置于两条所述子路径的调制段之间,所述第二电极分别设置于两条所述子路径远离所述第一电极的一侧,所述第一电极与所述第二电极相对设置以在上电后形成穿过对...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴涛罗智方邵率
申请(专利权)人:上海科技大学
类型:发明
国别省市:

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