【技术实现步骤摘要】
本技术属于磁控溅射，涉及一种靶材结构，尤其涉及一种增加使用寿命的靶材结构。
技术介绍
1、溅射靶材是半导体集成电路制备过程中重要的原材料之一，主要用于集成电路中接触、通孔、互连线、阻挡层以及封装等薄膜的制备。磁控溅射过程中，用加速的离子轰击靶材表面，使表面的原子沉积在基底表面。
2、溅射靶材多次使用后，其溅射面不再是平整的结构，而且会呈现出凹凸不平的形貌。如果溅射靶材的溅射面起伏比较大，会造成溅射薄膜的均匀度、沉积速率或颗粒数量不达标。为了降低集成电路的制作成本，提高靶材寿命，可以通过改变靶材的形状及尺寸来降低生产成本，提高靶材寿命。
3、cn212357372u公开了一种长寿命溅射靶材组件，该长寿命靶材组件包括阶梯状靶材与环形背板；阶梯状靶材包括靶材基板以及突出于靶材基板溅射面的凸块，靶材基板的中心与凸块的中心同心；所述靶材基板的侧壁与环形背板的内壁连接。
4、该长寿命溅射靶材组件通过增加溅射面的厚度来提高靶材使用寿命，并不能达到节省靶材用料的目的。
5、cn204097558u公开了一...
【技术保护点】
1.一种增加使用寿命的靶材结构，其特征在于，以靶材结构的溅射面的中心为基底，沿由内向外的方向，所述靶材结构的溅射面包括第一溅射区与第二溅射区；
2.根据权利要求1所述的靶材结构，其特征在于，所述第一溅射区与第二溅射区的延长面夹角为α；
3.根据权利要求2所述的靶材结构，其特征在于，所述第一溅射区向靶材结构的中心方向凹陷。
4.根据权利要求3所述的靶材结构，其特征在于，所述第一溅射区与靶材结构的底面夹角为3°至6°。
5.根据权利要求1所述的靶材结构，其特征在于，所述第一溅射区的面积为溅射面总面积的90-94％。
<...【技术特征摘要】
1.一种增加使用寿命的靶材结构，其特征在于，以靶材结构的溅射面的中心为基底，沿由内向外的方向，所述靶材结构的溅射面包括第一溅射区与第二溅射区；
2.根据权利要求1所述的靶材结构，其特征在于，所述第一溅射区与第二溅射区的延长面夹角为α；
3.根据权利要求2所述的靶材结构，其特征在于，所述第一溅射区向靶材结构的中心方向凹陷。
4.根据权利要求3所述的靶材结构，其特征在于，所述第一溅射区与靶材结构的底面夹角为3°至6°。
5.根据权利要求1所述的靶材结构，其特征在于，所述第一溅射区的...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，戴振茜，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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