【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于无铅压电材料改性领域，具体涉及一种过渡金属掺杂铌酸钾钠织构厚 膜改性的方法。
技术介绍
压电陶瓷做为传感器、制动器和变频器被广泛的应用于工业控制、环境监控、通 讯、信息系统及医疗器械等领域。微机电系统(MEMS)的发展例如硅基电路所使用的微传感 器、微型马达等小型器件成为微电子领域的一个重要组成部分。器件性能的提高、制造成本 的降低及相应时间的减少都促进了器件小型化的发展。压电材料也开始由块体材料向着膜 材料的方向发展。薄膜材料以尺寸小、重量轻、工作电压低等优点被广泛地应用于微型压电 装置，但是，其驱动力小、压电性差限制了它的应用。而厚膜材料兼顾了块体材料和薄膜的 优点，一方面，其厚度相比较块体来说大大减小，降低了其在电路中的驱动电压，可使其工 作在低电压高频率环境，这为在集成电路中使用提供了条件；另一方面，其拥有可与块体材 料相媲美的电气性能和抗疲劳性能。目前应用最广泛的是钙钛矿型的锆钛酸铅(PZT)基压电材料，但是其中PbO的含 量高达70%，在制备、使用及废弃后处理过程中会对人类和环境造成严重的危害。近年来， 随着人们环保意识的增强，压电材料...
【技术保护点】
一种过渡金属掺杂改性铌酸钾钠织构厚膜的方法，包括下列步骤： １）选择过渡金属化合物，所述过渡金属化合物选自Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｃｒ↓［２］Ｏ↓［３］、ＭｎＣＯ↓［３］、Ｃｏ↓［２］Ｏ↓［３］或ＭｎＯ↓［２］中的一种； ２）将所述过渡金属化合物、铌酸钠片状模板与铌酸钾钠基料按一定的比例配料置于球磨罐中，加入配好的溶剂，球磨１２－１５小时后加入粘结剂继续球磨３－５小时，制得浆料；取出制好的浆料，使用流延刮刀在玻璃板上进行流延；流延后平放静置，将膜片从玻璃板上刮下；将得到的膜片切割后，放在刷有铂电极的氧化铝板上进行等静压；取出压好的样品热处理，得到过渡金属掺杂改性的铌酸钾钠织构厚膜。
【技术特征摘要】
一种过渡金属掺杂改性铌酸钾钠织构厚膜的方法，包括下列步骤1)选择过渡金属化合物，所述过渡金属化合物选自Fe2O3、Cr2O3、MnCO3、Co2O3或MnO2中的一种；2)将所述过渡金属化合物、铌酸钠片状模板与铌酸钾钠基料按一定的比例配料置于球磨罐中，加入配好的溶剂，球磨12 15小时后加入粘结剂继续球磨3 5小时，制得浆料；取出制好的浆料，使用流延刮刀在玻璃板上进行流延；流延后平放静置，将膜片从玻璃板上刮下；将得到的膜片切割后，放在刷有铂电极的氧化铝板上进行等静压；取出压好的样品热处理，得到过渡金属掺杂改性的铌酸钾钠织构厚膜。2.如权利要求1所述制备过渡金属掺杂铌酸钾钠织构厚膜的方法，其特征在于，步骤 2)中，以过渡金属化合物、铌酸钠片状模板和铌酸钾钠基料的重量之和为基础计，所述过渡 金属元素化合物所占的重量百分比为_5%。3.如权利要求1所述制备过渡金属掺杂铌酸钾钠织构厚膜的方法，...
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