【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及一种显示基板及显示装置。
技术介绍
1、微型oled(micro oled)显示器涉及有机发光二极管(oled)技术和cmos技术的结合，与光电子产业和微电子产业的交叉集成相关，促进了新一代微型显示技术的发展，也推进了硅上有机电子、甚至是硅上分子电子的研究和发展。
2、微型oled(micro oled)显示器具有优秀的显示特性，例如分辨率高、亮度高、色彩丰富、驱动电压低、响应速度快、功耗低等，具有广阔的发展前景。
技术实现思路
1、本公开至少一实施例提供一种显示基板，包括衬底基板以及在所述衬底基板上的子像素，所述子像素包括像素电路，所述像素电路包括数据写入子电路、存储子电路、驱动子电路和电阻器。所述数据写入子电路与所述存储子电路的第一端电连接，并配置为响应于控制信号将数据信号传输至所述存储子电路的第一端；所述驱动子电路包括控制电极、第一电极和第二电极，所述驱动子电路的控制电极与所述存储子电路的第一端电连接，所述驱动子电路的第一电极配置为接收第一电源电压，所述驱动子电路的第二电极及所述电阻器的第一端电连接；所述电阻器的第二端用于与发光元件的第一电极电连接，所述驱动子电路配置为响应于所述存储子电路的第一端的电压驱动所述发光元件发光；所述电阻器与所述驱动子电路的控制电极同层绝缘设置，且所述电阻器的电阻率高于所述驱动子电路的控制电极的电阻率。
2、在一些示例中，所述电阻器和所述驱动子电路的控制电极的材料均为多晶硅材料。
3、在一些示例中
4、在一些示例中，所述驱动子电路的第二电极与所述衬底基板之间形成pn结，所述电阻器的阻值配置为当所述驱动晶体管工作在饱和区时，所述pn结关断。
5、在一些示例中，所述电阻器的阻值其中，vs为所述衬底基板的偏置电压，vcom1为提供给所述发光元件的第二电极的公共电压，von为所述pn结的导通电压，is为所述驱动晶体管的饱和电流。
6、在一些示例中，所述存储子电路包括存储电容，所述存储电容包括第一电容电极和第二电容电极，所述第一电容电极和所述第二电容电极分别作为所述存储子电路的第一端和第二端；所述第一电容电极与所述电阻器同层绝缘设置。
7、在一些示例中，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述第一数据写入晶体管和所述驱动晶体管位于所述存储电容的相对两侧。
8、在一些示例中，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述电阻器与所述第一数据写入晶体管位于所述第一电容电极的同一侧。
9、在一些示例中，所述电阻器为u型结构，所述u型结构的开口朝向所述第一电容电极；所述电阻器的第一端和第二端分别位于所述u型结构的两个端部。
10、在一些示例中，在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述电阻器的第二端更靠近所述驱动晶体管。
11、在一些示例中，所述子像素还包括第一连接电极，所述第一连接电极将所述电阻器的第一端与所述驱动晶体管的第二极电连接。
12、在一些示例中，所述第一连接电极通过第一过孔与所述电阻器的第一端电连接，并通过第二过孔与所述驱动晶体管的第二极电连接；在平行于所述衬底基板的板面的方向上，所述第一过孔与所述第二过孔分别位于所述第一电容电极的相对两侧。
13、在一些示例中，所述存储电容还包括第三电容电极；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第三电容电极位于所述第一电容电极远离所述第二电容电极的一侧，并配置为与所述第二电容电极电连接。
14、在一些示例中，所述第三电容电极与所述第一连接电极同层绝缘设置且材料相同。
15、在一些示例中，所述第三电容电极包括间隔的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第二部分分别位于所述第一连接电极的两侧，并分别配置为与所述第二电容电极电连接。
16、在一些示例中，所述存储电容的第二电容电极为所述衬底基板的第一区，并与所述第一电容电极在垂直于所述衬底基板的方向上重叠。
17、在一些示例中，所述存储电容的第一电容电极与所述驱动晶体管的栅极同层设置且为一体的结构。
18、在一些示例中，所述控制信号还包括第二控制信号，所述数据写入子电路还包括第二数据写入晶体管，所述第二数据写入晶体管为n型金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第二数据写入晶体管的栅极配置为接收第二控制信号，所述第二数据写入晶体管的第一极和第一数据写入晶体管的第一极电连接；所述第二数据写入晶体管的第二极与所述第一数据写入晶体管的第二极电连接。
19、在一些示例中，所述第一数据写入晶体管和所述第二数据写入晶体管的栅极沿第一方向并排设置，且关于沿所述第二方向的对称轴对称；所述第一方向与所述第二方向相交。
20、在一些示例中，所述子像素还包括第二连接电极，所述第二连接电极包括第一端、第二端和第三端，所述第二连接电极的第一端与所述第一数据写入晶体管的第二极电连接，所述第二连接电极的第二端与所述第二数据写入晶体管的第二极电连接，所述第二连接电极的第三端与所述存储子电路的第一端电连接。
21、在一些示例中，所述显示基板包括4个所述子像素，所述4个子像素构成一个像素单元组，所述4个子像素沿第一方向和第二方向排为阵列，所述第一方向与所述第二方向相交，所述4个子像素的电阻器在所述衬底基板的正投影位于所述衬底基板中的同一n型阱区内。
22、在一些示例中，在所述第一方向上相邻的子像素的电阻器关于沿所述第二方向的对称轴对称，在所述第二方向上相邻的子像素的电阻器关于沿所述第一方向的对称轴对称。
23、在一些示例中，所述存储子电路包括存储电容，所述存储电容包括第一电容电极和第二电容电极，所述第一电容电极和所述第二电容电极分别作为所述存储子电路的第一端和第二端；在所述第一方向上相邻的两个子像素的第一电容电极关于沿所述第二方向的对称轴对称，在所述第二方向上相邻的两个子像素的第一电容电极关于沿所述第一方向的对称轴对称。
24、在一些示例中，所述4个子像素中的第一电容电极在所述衬底基板的正投影位于所述n型阱区外，且环绕所述n型阱区。
25、在一些示例中，所述存储电容还包括第三电容电极，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第三电容电极位于所述第一电容电极远离所述第二电容电极的一侧，并配置为与所述第二电容电极电连接；在所述第一方向上相邻的两个子像素的第三本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的子像素，其中，所述子像素包括像素电路，所述像素电路包括数据写入子电路、存储子电路和驱动子电路，
2.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部分别从所述主体部的两端沿所述第一方向并朝着相反的方向延伸出来。
3.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述子像素的长度方向平行与所述第二方向，所述主体部的长度大于所述第一延伸部的长度，并大于所述第二延伸部的长度。
4.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述电源线连接电极的图案为轴对称图案，对称轴与所述第二方向平行。
5.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述接触孔区位于在所述第一方向上相邻的两个子像素之间，且为所述相邻的两个子像素共享。
6.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述电源线连接电极位于在所述第一方向上相邻的两个子像素之间，且为所述相邻的两个子像素共享。
7.如权利要求6所述的显示基板，其中，所述第一延伸部与所述第二延伸部分别朝向所述两个相邻的子像素延伸，并分别与对应的子像素交叠。p>
8.如权利要求1所述的显示基板，还包括位于所述衬底基板和所述电源线连接电极之间的绝缘层，其中，
9.如权利要求1所述的显示基板，还包括沿所述第一方向延伸的第一电源线，其中，
10.如权利要求9所述的显示基板，还包括沿所述第二方向延伸的第二电源线，其中，
11.如权利要求10所述的显示基板，还包括沿所述第二方向延伸的第三电源线，其中，
12.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述存储子电路包括存储电容，所述存储电容包括第一电容电极和第二电容电极，分别作为所述存储子电路的第一端和第二端；
13.如权利要求12所述的显示基板，其中，所述第二电容电极为所述衬底基板中的第一区。
14.如权利要求12所述的显示基板，还包括位于所述电源线连接电极靠近所述衬底基板一侧的多晶硅层，其中，
15.如权利要求14所述的显示基板，其中，所述接触孔区位于所述多晶硅层在所述衬底基板上的正投影之外。
16.如权利要求1-15任一所述的显示基板，其中，所述衬底基板为硅基板，所述接触孔区为所述硅基板中的重掺杂区。
17.一种显示装置，包括如权利要求1-16任一所述的显示基板和所述发光元件，其中，所述发光元件配置为与所述驱动子电路的第二电极连接。
...【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的子像素，其中，所述子像素包括像素电路，所述像素电路包括数据写入子电路、存储子电路和驱动子电路，
2.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部分别从所述主体部的两端沿所述第一方向并朝着相反的方向延伸出来。
3.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述子像素的长度方向平行与所述第二方向，所述主体部的长度大于所述第一延伸部的长度，并大于所述第二延伸部的长度。
4.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述电源线连接电极的图案为轴对称图案，对称轴与所述第二方向平行。
5.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述接触孔区位于在所述第一方向上相邻的两个子像素之间，且为所述相邻的两个子像素共享。
6.如权利要求1所述的显示基板，其中，所述电源线连接电极位于在所述第一方向上相邻的两个子像素之间，且为所述相邻的两个子像素共享。
7.如权利要求6所述的显示基板，其中，所述第一延伸部与所述第二延伸部分别朝向所述两个相邻的子像素延伸，并分别与对应的子像素交叠。
8.如权利要求1所述的显示基板，还包括位于所述衬底基板和所述电源线...
【专利技术属性】
技术研发人员：李大超，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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