【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
1、碳化硅二极管和mosfet等功率器件都愈来愈成熟，对可靠性的要求也愈来愈高，需要器件在极端条件下运作。高湿度高温反向偏压测试(h3trb：high humidity hightemperature reverse bias test)要求器件在高温、高热和高电场的条件下能够长时间运作，并保持参数变化百分比小于一定数值，用于评估器件在极端环境下的变化，尤其是使用在车载上等涉及到安全问题的应用上。
2、然而，目前的碳化硅器件在高湿度高温反向偏压测试下存在阳极腐蚀和电迁移的问题。因此，有必要提供一种更有效、更可靠的技术方案，避免碳化硅器件中的阳极腐蚀和电迁移问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体结构，可以避免碳化硅器件中的阳极腐蚀和电迁移问题。
2、本申请的一个方面提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的外延层中形成有阱区，所述第二区域的外延层表面形成有场氧化物层，所述阱区表面形成有栅极结构；在所述栅极结构表面和侧壁形成层间介质层；在所述第一区域的外延层表面形成覆盖所述层间介质层和所述外延层的金属层。
3、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：对所述场氧化物层表面进行快速热退火。
4、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述场氧化物层表面形成
5、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述钝化层表面和侧壁以及所述场氧化物层侧壁形成聚酰亚胺层。
6、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：刻蚀所述场氧化物层形成若干暴露所述外延层表面的开口；在所述场氧化物层表面和侧壁以及所述开口中形成聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层延伸至部分所述金属层表面。
7、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在靠近所述金属层的部分场氧化物层表面形成钝化层，所述钝化层延伸至部分金属层表面。
8、在本申请的一些实施例中，所述栅极结构两侧的阱区中还形成有第一离子注入区，所述第一离子注入区两侧的外延层中还形成有第二离子注入区，部分第二离子注入区位于所述场氧化物层下方。
9、在本申请的一些实施例中，所述场氧化物层下方的外延层中还形成有至少一个第三离子注入区，所述第三离子注入区表面的场氧化物层表面形成有所述金属层，所述第三离子注入区表面的场氧化物层表面的金属层贯穿所述第三离子注入区表面的场氧化物层电连接所述第三离子注入区。
10、本申请的另一个方面还提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的外延层中形成有阱区，所述第二区域的外延层表面形成有场氧化物层，所述阱区表面形成有栅极结构；层间介质层，位于所述栅极结构表面和侧壁；金属层，覆盖所述第一区域的外延层和所述层间介质层。
11、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：钝化层，位于所述场氧化物层表面，所述钝化层延伸至部分金属层表面。
12、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：聚酰亚胺层，位于所述钝化层表面和侧壁以及所述场氧化物层侧壁。
13、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：位于所述场氧化物层中暴露所述外延层表面的若干开口；位于所述场氧化物层表面和侧壁以及所述开口中的聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层延伸至部分所述金属层表面。
14、在本申请的一些实施例中，所述半导体结构还包括：钝化层,位于靠近所述金属层的部分场氧化物层表面，所述钝化层延伸至部分金属层表面。
15、在本申请的一些实施例中，所述栅极结构两侧的阱区中还形成有第一离子注入区，所述第一离子注入区两侧的外延层中还形成有第二离子注入区，部分第二离子注入区位于所述场氧化物层下方。
16、在本申请的一些实施例中，所述场氧化物层下方的外延层中还形成有至少一个第三离子注入区，所述第三离子注入区表面的场氧化物层表面形成有所述金属层，所述第三离子注入区表面的场氧化物层表面的金属层贯穿所述第三离子注入区表面的场氧化物层电连接所述第三离子注入区。
17、在本申请的一些实施例中，所述金属层延伸至部分所述场氧化物层表面。
18、在本申请的一些实施例中，所述栅极结构表面的部分层间介质层的厚度为1000至10000埃。
19、在本申请的一些实施例中，所述栅极结构侧壁的部分层间介质层的厚度为1000至10000埃。
20、本申请提供一种半导体结构，可以避免碳化硅器件在高湿度高温反向偏压测试中的阳极腐蚀和电迁移问题。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：钝化层，位于所述场氧化物层表面，所述钝化层延伸至部分金属层表面。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：聚酰亚胺层，位于所述钝化层表面和侧壁以及所述场氧化物层侧壁。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述场氧化物层中暴露所述外延层表面的若干开口；位于所述场氧化物层表面和侧壁以及所述开口中的聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层延伸至部分所述金属层表面。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：钝化层,位于靠近所述金属层的部分场氧化物层表面，所述钝化层延伸至部分金属层表面。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构两侧的阱区中还形成有第一离子注入区，所述第一离子注入区两侧的外延层中还形成有第二离子注入区，部分第二离子注入区位于所述场氧化物层下方。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述场氧化物层下方的外延层中还形成有至少一个第三离子注入区，所述第三
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层延伸至部分所述场氧化物层表面。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构表面的部分层间介质层的厚度为1000至10000埃。
10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构侧壁的部分层间介质层的厚度为1000至10000埃。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：钝化层，位于所述场氧化物层表面，所述钝化层延伸至部分金属层表面。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：聚酰亚胺层，位于所述钝化层表面和侧壁以及所述场氧化物层侧壁。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述场氧化物层中暴露所述外延层表面的若干开口；位于所述场氧化物层表面和侧壁以及所述开口中的聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层延伸至部分所述金属层表面。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：钝化层,位于靠近所述金属层的部分场氧化物层表面，所述钝化层延伸至部分金属层表面。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构两侧的阱区中还形成有...
【专利技术属性】
技术研发人员：李浩南，张永杰，周永昌，黄晓辉，董琪琪，
申请(专利权)人：飞锃半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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