本技术提供一种晶舟及半导体设备，该晶舟包括基座及多个位于基座上并垂向延伸支撑部，支撑部上设有多个间隔排列且水平延伸的支撑架，支撑架背离基座的一面具有一支撑平台及一支撑槽，支撑平台连接于支撑部与支撑槽之间，支撑槽朝向支撑平台的一端高于支撑槽远离支撑平台的一端。该晶舟通过在支撑架上设置支撑槽增大高温工艺过程中晶圆与支撑架的接触面积，降低接触点的单位面积压力，降低滑移线产生风险，不降低工艺温度即可减少滑移线的产生，保证产品工作性能的同时提高良率。该半导体设备具有上述的晶舟，降低了晶圆在该半导体设备中进行高温工艺后的滑移线产生的概率，有效地改善了晶圆在该半导体设备中经过高温工艺后良率降低的问题。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体制造设备，涉及一种晶舟及半导体设备。
技术介绍
1、半导体集成电路芯片制作通常在一个晶圆上制作多个各种类型的器件结构，并将多个器件电连接以得到具有完整功能的芯片产品。在芯片产品制作过程中，晶圆是否产生缺陷以及缺陷的尺寸大小是评估产品良率的重要指标，晶圆存在缺陷会严重影响芯片的电学性能及机械性能，其中在芯片产品的制作过程中，任意一步工艺中产生的缺陷均有可能导致芯片产品的制作失败，并且随着芯片集成度越来越高，在工艺制作过程中对产生缺陷的影响越来越大，给半导体器件的制作过程提出了更高的工艺要求。
2、在晶圆的各种缺陷种类中，晶圆表面冗余物、晶体缺陷及机械损伤是较为常见的晶圆表面缺陷，其中，晶体缺陷中的滑移线缺陷产生往往是由于晶体生长时加热不均所导致的，通常位于晶圆的外围边缘处，形成水平的细小直线，目前，通过改善热场分布及控制温度曲线等方式能够减少晶圆中滑移线的产生。但是，在部分高温工艺(如热氧化和高温扩散)中，放置于晶舟中的晶圆表面产生滑移线的现象却时有发生，滑移线的产生引起器件性能失效，对产品良率造成严重影响。
3、因此，如何提供一种晶舟及半导体设备，以实现高温工艺过程中减少晶圆中滑移线的产生以提高产品良率，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
4、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
/>技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种晶舟及半导体设备，用于解决现有技术中晶圆在高温工艺中产生滑移线影响器件性能及产品良率的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种晶舟，包括基座及多个支撑部，多个所述支撑部位于所述基座上并沿垂向延伸，所述支撑部上设有多个间隔排列且水平延伸的支撑架，所述支撑架背离所述基座的一面上具有一支撑平台及一支撑槽，所述支撑平台连接于所述支撑部与所述支撑槽之间，所述支撑槽邻近所述支撑平台的一端高于所述支撑槽远离所述支撑平台的一端。
3、可选地，所述支撑槽具有第一弧面且所述第一弧面呈下凹型，所述第一弧面包括相对设置的第一边及第二边，所述第一边位于所述支撑架远离所述支撑部的一面上。
4、可选地，所述第一弧面相对于所述基座所在平面的倾斜角度范围是2°～10°。
5、可选地，所述支撑槽还包括一斜面，所述第二边位于所述斜面上，所述斜面与所述第一弧面通过所述第二边连接。
6、可选地，所述支撑槽还包括第二弧面且所述第二弧面呈下凹型，所述第二边位于所述第二弧面上，所述第二弧面与所述第一弧面通过所述第二边连接，且所述第一弧面相对于所述基座所在平面的倾斜角度与所述第二弧面相对于所述基座所在平面的倾斜角度不同。
7、可选地，所述支撑槽在水平方向上的投影面积小于所述支撑平台在水平方向上的投影面积。
8、可选地，所述支撑槽与所有相邻的面之间均光滑连接。
9、本技术还提供一种半导体设备，所述半导体设备具有如上所述的晶舟。
10、可选地，所述半导体设备包括退火炉、氧化炉及扩散炉中的至少一种。
11、可选地，所述半导体设备的工作温度范围包括大于或等于1100℃。
12、如上所述，本技术的晶舟通过在支撑架上设置支撑槽以支撑晶圆，增大高温工艺过程中晶圆与支撑架的接触面积，降低接触点处的单位面积压力，降低滑移线产生的风险，能够在不降低工艺温度的情况下减少滑移线的产生，保证产品工作性能的同时提高产品良率。本技术的半导体设备，具有如上所述的晶舟，降低了晶圆在该半导体设备中进行高温工艺后的滑移线产生的概率，有效地改善了晶圆在该半导体设备中经过高温工艺后良率降低的问题。
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【技术保护点】
1.一种晶舟，其特征在于：包括基座及多个支撑部，多个所述支撑部位于所述基座上并沿垂向延伸，所述支撑部上设有多个间隔排列且水平延伸的支撑架，所述支撑架背离所述基座的一面上具有一支撑平台及一支撑槽，所述支撑平台连接于所述支撑部与所述支撑槽之间，所述支撑槽邻近所述支撑平台的一端高于所述支撑槽远离所述支撑平台的一端。
2.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于：所述支撑槽具有第一弧面且所述第一弧面呈下凹型，所述第一弧面包括相对设置的第一边及第二边，所述第一边位于所述支撑架远离所述支撑部的一面上。
3.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于：所述第一弧面相对于所述基座所在平面的倾斜角度范围是2°～10°。
4.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于：所述支撑槽还包括一斜面，所述第二边位于所述斜面上，所述斜面与所述第一弧面通过所述第二边连接。
5.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于：所述支撑槽还包括第二弧面且所述第二弧面呈下凹型，所述第二边位于所述第二弧面上，所述第二弧面与所述第一弧面通过所述第二边连接，且所述第一弧面相对于所述基座所在平面的倾斜角度与所述第二弧面相对于所述基座所在平面的倾斜角度不同。
6.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于：所述支撑槽在水平方向上的投影面积小于所述支撑平台在水平方向上的投影面积。
7.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于：所述支撑槽与所有相邻的面之间均光滑连接。
8.一种半导体设备，其特征在于：所述半导体设备具有如权利要求1～7任一项所述的晶舟。
9.根据权利要求8所述的半导体设备，其特征在于：所述半导体设备包括退火炉、氧化炉及扩散炉中的至少一种。
10.根据权利要求8所述的半导体设备，其特征在于：所述半导体设备的工作温度范围包括大于或等于1100℃。
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【技术特征摘要】
1.一种晶舟，其特征在于：包括基座及多个支撑部，多个所述支撑部位于所述基座上并沿垂向延伸，所述支撑部上设有多个间隔排列且水平延伸的支撑架，所述支撑架背离所述基座的一面上具有一支撑平台及一支撑槽，所述支撑平台连接于所述支撑部与所述支撑槽之间，所述支撑槽邻近所述支撑平台的一端高于所述支撑槽远离所述支撑平台的一端。
2.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于：所述支撑槽具有第一弧面且所述第一弧面呈下凹型，所述第一弧面包括相对设置的第一边及第二边，所述第一边位于所述支撑架远离所述支撑部的一面上。
3.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于：所述第一弧面相对于所述基座所在平面的倾斜角度范围是2°～10°。
4.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于：所述支撑槽还包括一斜面，所述第二边位于所述斜面上，所述斜面与所述第一弧面通过所述第二边连接。
5.根据权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈明，许乐军，关子豪，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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