【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体激光器领域，更为具体地涉及vcsel芯片及其制备方法和vcsel晶圆。
技术介绍
1、近年来，vcsel(vertical-cavity surface-emitting laser，垂直腔面发射激光器)是指在衬底的垂直方向上形成谐振腔，沿垂直方向出射激光的一种半导体激光器。vcsel具有易于光纤耦合、功耗较低、动态单模性较佳等特点，被广泛应用于光通信、光储存、光互连等领域。
2、vcsel通常包括多个发光点，形成vcsel阵列，各个发光点的性能将影响vcsel阵列的整体性能。在实际应用中，vcsel阵列的多个发光点中，如果超过1％的发光点为性能未达标的暗坏点，将极大程度地影响vcsel阵列的整体性能。
3、具体地，在vcsel成型工艺中，最终形成的发光点如果出现外延缺陷(例如，差排、空洞、杂质)，其性能被影响，无法达到预设标准，成为暗坏点。且在后续的烧测(即，加速老化测试)过程中，所述外延缺陷容易发生扩散，导致更多的发光点成为暗坏点，即，导致暗坏点的比例上升。
4、更具体地，在vcs...
【技术保护点】
1.一种VCSEL芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其中每个所述VCSEL发光单元包括衬底层、第一反射层、有源区、具有发光孔的限制层和第二反射层，其中所述晶格延伸方向与所述衬底层的晶格延伸方向相一致，其中一个所述发光孔与其最相邻的另一所述发光孔的排布方向与所述晶格延伸方向之间具有夹角。
3.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其中多个所述VCSEL发光单元的多个所述发光孔呈规则的阵列布置，并且相邻的两个所述发光孔的排布方向与所述晶格延伸方向相偏离。
4.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其中多个所述...
【技术特征摘要】
1.一种vcsel芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的vcsel芯片，其中每个所述vcsel发光单元包括衬底层、第一反射层、有源区、具有发光孔的限制层和第二反射层，其中所述晶格延伸方向与所述衬底层的晶格延伸方向相一致，其中一个所述发光孔与其最相邻的另一所述发光孔的排布方向与所述晶格延伸方向之间具有夹角。
3.根据权利要求1所述的vcsel芯片，其中多个所述vcsel发光单元的多个所述发光孔呈规则的阵列布置，并且相邻的两个所述发光孔的排布方向与所述晶格延伸方向相偏离。
4.根据权利要求1所述的vcsel芯片，其中多个所述vcsel发光单元的多个所述发光孔呈不规则的离散型布置，其中至少部分所述发光孔中一个所述发光孔与其最相邻的另一所述发光孔的排布方向与所述晶格延伸方向之间具有夹角从而与所述晶格延伸方向相偏离。
5.根据权利要求1所述的vcsel芯片，其中所述晶格延伸方向包括互相垂直的第一方向和第二方向，其中一个所述发光孔与其最相邻的另一所述发光孔的排布方向是其中心的连线的延伸方向并且沿与所述第一方向和所述第二方向均存在夹角的第三方向延伸。
6.根据权利要求1所述的vcsel芯片，其中部分所述发光孔中，至少三个相邻的所述发光孔沿弧线方向延伸地布置。
7.根据权利要求1所述的vcsel芯片，其中部分所述发光孔中，多个所述发光孔布置沿着环绕的方向布置以形成圆环状发光孔组，所述圆环状发光孔组的相邻两个所述发光孔都是位置最邻近并且其排布方向都不在所述晶格延伸方向上。
8.根据权利要求1所述的vcsel芯片，其中部分所述发光孔中，相邻的四个或更多个所述发光孔的中心连线形成的多边形形状与所述vcsel芯片的晶格的形状不同。
9.根据权利要求1所述的vcsel芯片，其中所述vcsel...
【专利技术属性】
技术研发人员：王朝成，田志偉，王聖允，
申请(专利权)人：浙江睿熙科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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