复合半导体材料的制备方法及传感器电极技术

本公开关于一种复合半导体材料的制备方法及传感器电极，涉及半导体材料的制备技术领域。该方法包括：1、向第一柠檬酸钠溶液中加入铋源、镧源、铈源，获得第一溶液；柠檬酸钠的物质的量大于铋元素、镧元素、铈元素的物质的量之和；向第二柠檬酸钠溶液加入钒源，获得第二溶液；铋元素、镧元素、铈元素的摩尔比为(7～9)：(0.5～1.5)：(0.5～1.5)；2、将第二溶液分批加入第一溶液中，获得第三溶液；3、调节第三溶液的pH值至4～8后，水热反应获得La/Ce‑BiVO<subgt;4</subgt;；4、将La/Ce‑BiVO<subgt;4</subgt;分散在水中，并加入钴源、NH<subgt;4</subgt;F和CO(NH<subgt;2</subgt;)<subgt;2</subgt;，反应获得前驱体；5、将前驱体加热煅烧，获得复合半导体材料。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体材料的制备，具体而言，涉及一种复合半导体材料的制备方法及传感器电极。

技术介绍

1、光电化学传感器因具有操作简单、易于微型化、价格低廉、灵敏度高、反应响应快速等优势成为了研究热点，广泛应用于食品检测、免疫分析、dna分析、工农业等领域。目前，人们更多的是利用n型半导体易被空穴氧化的特性设计传感器。然而，用于实际样品检测时，一方面，一些共存还原性物质会产生较大的干扰，如抗坏血酸、半胱氨酸、尿酸、多巴胺等。另一方面，对于改善光电阳极传感器的策略也是非常有限，对共存物质的选择性较差。相比之下，p型半导体能够不受还原物质的干扰，在开发适用性更强的生物传感器方面表现出巨大潜力。

2、bivo4是一种常见的无机颜料，因具有适合的能带隙(2.4～2.5ev)，与太阳能的中心光谱接近(2.6ev)，显示出良好的可见光吸收能力而被广泛应用。除此之外，因其无毒、廉价、稳定性好、对环境友好等特性，还可用作取代铅、铬、镉等有毒元素的光电材料，制备安全无毒的pec生物传感器。bivo4还具有声光转换性、光催化活性以及离子导电性等性质。这使得bivo4在生本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的复合半导体材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述铋元素、镧元素、铈元素的摩尔比为8：1：1。

3.根据权利要求1所述的复合半导体材料的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，所述钴源、NH4F、CO(NH2)2的摩尔比为1：2：5。

4.根据权利要求1所述的复合半导体材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述铋源为Bi(NO3)3·5H2O，所述镧源为La(NO3)3·6H2O，所述铈源为Ce(NO3)3·6H2O，所述钒源为NH4VO3；

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种复合半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的复合半导体材料的制备方法，其特征在于，在步骤s1中，所述铋元素、镧元素、铈元素的摩尔比为8：1：1。

3.根据权利要求1所述的复合半导体材料的制备方法，其特征在于，在步骤s4中，所述钴源、nh4f、co(nh2)2的摩尔比为1：2：5。

4.根据权利要求1所述的复合半导体材料的制备方法，其特征在于，在步骤s1中，所述铋源为bi(no3)3·5h2o，所述镧源为la(no3)3·6h2o，所述铈源为ce(no3)3·6h2o，所述钒源为nh4vo3；

5.根据权利要求1所述的复合半导体材料的制备方法，其特征在于，在步骤s5中，所述四氧化三钴包覆的镧、铈掺杂的...

【专利技术属性】
技术研发人员：安玉峰，尹娟娟，齐亚琴，唐嘉琪，李昭，郭瑞，牧骞，
申请(专利权)人：西安稀有金属材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：