电子器件制造技术

本申请的实施例公开了一种电子器件，该电子器件包括：第一元件；第二元件，与第一元件相邻；中介层，承载第一元件与第二元件，中介层的上半部具有连接第一元件的光波导，实现第一元件与第二元件之间信号沟通的是中介层中的第一信号沟通线路，第一信号沟通线路包括位于中介层的下半部中的第一信号线。上述技术方案至少能够缩短电子器件中的第一元件与第二元件之间的信号沟通/传导路径，减少信号损失。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，更具体地，涉及一种电子器件。

技术介绍

1、图1为现有技术中的封装结构10的截面示意图，参见图1，在2.5d光学中介层(optical interposer)11的封装结构10中，是将光子集成电路(photonicsintegratedcircuit,pic)12与硅中介层14接合在一起之后，例如用混合接合技术(hybrid bonding,hbi)接合在一起之后，后续将所需的电子集成电路(electronic integrated circuit,eic)16直接以倒装焊接(flipchip bonding,fcb)方式设置在pic 12的顶表面20，形成收发器(transceiver)32。图2为现有技术中的电子器件30的截面示意图，参见图2，收发器32和特定应用集成电路(asic)芯片34都放置在基底38上，收发器32(图1中的eic 16)与asic34之间的信号沟通/传导需要通过pic 12(见图1)、硅中介层14(见图1)和基底38，导致信号路径较长，信号损失严重。另外，继续参见图2，如果将光学中介层11(见图1)应用到高性能运算(high performance computing,hpc)领域，还需要设置高带宽存储器(high bandwidthmemory,hbm)36等元件，需要面对如何设置各元件能够缩短元件之间的信号沟通/传导路径的技术问题，例如如何缩短asic 34与eic 16(见图1)之间以及asic 34与hbm 36之间的信号沟通/传导路径。此外，需要考虑如何对各元件进行供电。</p>

技术实现思路

1、针对电子器件中元件之间信号沟通/传导的路径较长，信号损失严重的问题，本申请的实施例提出了一种电子器件，至少能够缩短电子器件中的第一元件与第二元件之间的信号沟通/传导路径，减少信号损失。

2、根据本申请的一个方面，提供了一种电子器件，该电子器件包括：第一元件；第二元件，与第一元件相邻；中介层，承载第一元件与第二元件，中介层的上半部具有连接第一元件的光波导，实现第一元件与第二元件之间信号沟通的是中介层中的第一信号沟通线路，第一信号沟通线路包括位于中介层的下半部中的第一信号线。

3、在一个或多个实施例中，中介层的上半部为光子集成电路，中介层的下半部为硅中介层。

4、在一个或多个实施例中，第一元件为电子集成电路。

5、在一个或多个实施例中，多个第一元件设置于中介层上。

6、在一个或多个实施例中，中介层还承载有激光二极管，并且激光二极管设置在第二元件与电子集成电路之间，所述电子集成电路与所述激光二极管通过所述光波导信号沟通。

7、在一个或多个实施例中，中介层具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，第一侧为中介层的顶表面，第二侧为中介层的底表面，其中，中介层中具有多个第一硅通孔，多个第一硅通孔从第一侧到第二侧以贯穿上半部与下半部，从而形成为第二元件供电的第一供电路径。

8、在一个或多个实施例中，中介层还承载有第一存储器，第一存储器相邻于第二元件，其中，实现第一存储器与第二元件之间的信号沟通的是中介层中的第二信号沟通线路，第二信号沟通线路包括位于中介层的下半部中的第二信号线。

9、在一个或多个实施例中，中介层中具有多个第二硅通孔，多个第二硅通孔从第一侧到第二侧以贯穿上半部与下半部，从而形成为第一存储器供电的第二供电路径。

10、在一个或多个实施例中，第二元件为多芯片堆叠结构，多芯片堆叠结构包括处理器以及设置于处理器上的第二存储器。

11、在一个或多个实施例中，中介层的上半部中还具有调变器和第二通孔，第一元件通过第二通孔连接到调变器以将来自第一元件的电信号转成光信号，光信号经由光波导传出。

12、本技术的技术效果包括：本技术提供的电子器件能够缩短第一元件与第二元件之间的信号沟通/传导路径，减少信号损失。本技术提供的电子器件从第二元件的被动面为第二元件供电。本技术提供的电子器件还包括承载在中介层上并且相邻于第二元件的第一存储器，从第一存储器的主动面为第一存储器供电。

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【技术保护点】

1.一种电子器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述中介层的上半部为光子集成电路，所述中介层的下半部为硅中介层。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一元件为电子集成电路。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，多个所述第一元件设置于所述中介层上。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述中介层还承载有激光二极管，并且所述激光二极管设置在所述第二元件与所述电子集成电路之间，所述电子集成电路与所述激光二极管通过所述光波导信号沟通。

6.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述中介层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述第一侧为所述中介层的顶表面，所述第二侧为所述中介层的底表面，

7.根据权利要求6所述的电子器件，其特征在于，所述中介层还承载有第一存储器，所述第一存储器相邻于所述第二元件，

8.根据权利要求7所述的电子器件，其特征在于，所述中介层中具有多个第二硅通孔，所述多个第二硅通孔从所述第一侧到所述第二侧以贯穿所述上半部与所述下半部，从而形成为所述第一存储器供电的第二供电路径。

9.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第二元件为多芯片堆叠结构，所述多芯片堆叠结构包括处理器以及设置于所述处理器上的第二存储器。

10.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述中介层的上半部中还具有调变器和第二通孔，所述第一元件通过所述第二通孔连接到所述调变器以将来自所述第一元件的电信号转成光信号，所述光信号经由所述光波导传出。

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【技术特征摘要】

1.一种电子器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述中介层的上半部为光子集成电路，所述中介层的下半部为硅中介层。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一元件为电子集成电路。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，多个所述第一元件设置于所述中介层上。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述中介层还承载有激光二极管，并且所述激光二极管设置在所述第二元件与所述电子集成电路之间，所述电子集成电路与所述激光二极管通过所述光波导信号沟通。

6.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述中介层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述第一侧为所述中介层的顶表面，所述第二侧为所述中介层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：康荣瑞，李长祺，郭宏钧，丁俊彦，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：