【技术实现步骤摘要】
本技术的实施例涉及一种电子器件。
技术介绍
1、参见图1，现有技术的封装结构1的电源(power)与信号(signal)线路都位于在芯片4的同一侧(例如下侧)，需要多设计讯号阻碍功能的线路避免干扰，造成重布线层(rdl)5需要布局(layout)更多层以及需解决寄生电容或讯号干扰等问题，对于薄化的结构翘曲影响较大，其中电源线路的线宽/线距(l/s)＞8/8μm，信号线路的线宽/线距＜5/5μm，扇出重布线层5的层数大于6层(6层介电层及其中的线路，即“6p6m”配置)，集成电压调节器6并排地设置在封装结构1的外部。针对笔记型电脑、平板等产品，处理器封装件(pkg)追求厚度尽量较薄，但在平面尺寸上可以做让位。但因为处理器封装件需要高输入/输出(i/o)数，使重布线层5具有过多层，也会导致扇出模块(fanout module)的翘曲(例如大于±150μm)难以控制及上板的问题。
2、参见图2，在现有技术的背侧电源输送(backside power delivery)的封装结构1中，集成电压调节器6叠置在芯片4上，电源线路位于芯片4的背侧(无源面)，信号线路位于芯片4的前侧(有源面)，在散热的需求下，在将封装结构1放置在印刷电路板(pcb)2上之后，设置散热片(heat sink)3提升散热效果。但由于散热片3为后续添加，虽然可提升散热效果，但对抑制封装结构1翘曲(warpage)的效果有限，使封装结构1与散热片3之间的连接容易脱层，影像散热效果，此外，散热片3需留出芯片4上放置集成电压调节器6的空间，导致散热片3的其他部
技术实现思路
1、针对相关技术中存在的问题，本技术的目的在于提供一种电子器件以至少减少电子器件的翘曲和厚度。
2、为实现上述目的，本技术提供了一种电子器件，包括：散热片；半导体芯片和功率调节元件，并排地设置在散热片上方；重布线结构，设置在半导体芯片和功率调节元件上方，并且电连接半导体芯片和功率调节元件；桥接元件，用于将来自功率调节元件的电源提供给半导体芯片。
3、在一些实施例中，散热片包括横向部和纵向部，半导体芯片和功率调节元件位于横向部上方，纵向部连接重布线结构。
4、在一些实施例中，电子器件还包括：封装层，包覆散热片、半导体芯片、功率调节元件以及桥接元件。
5、在一些实施例中，重布线结构形成在封装层上。
6、在一些实施例中，半导体芯片包括连接散热片的接地元件。
7、在一些实施例中，电子器件还包括：第一引线，电连接接地元件和散热片。
8、在一些实施例中，电子器件还包括：导电材料层，位于半导体芯片和散热片之间，半导体芯片通过导电材料层附接到散热片，接地元件接触导电材料层并且接地元件通过导电材料层电连接散热片。
9、在一些实施例中，导电材料层的材料是导电银膏。
10、在一些实施例中，桥接元件包括设置在重布线结构和半导体芯片之间的电容器。
11、在一些实施例中，桥接元件还包括电连接半导体芯片和功率调节元件的第二引线。
12、在一些实施例中，桥接元件是位于半导体芯片、功率调节元件和重布线结构之间、并且电连接半导体芯片和功率调节元件的电容器。
13、在一些实施例中，桥接元件设置在半导体芯片、功率调节元件和散热片之间，桥接元件包括介电层以及部分地内埋于介电层中的导电线路。
14、在一些实施例中，半导体芯片的前侧具有导电元件，导电元件至少部分地嵌入介电层中并连接导电线路。
15、在一些实施例中，导电元件是顶针。
16、在一些实施例中，桥接元件还包括位于介电层、导电线路上方并且电连接导电线路的电容器。
17、在一些实施例中，电容器位于半导体芯片和功率调节元件之间。
18、在一些实施例中，电容器是深沟槽电容器。
19、在一些实施例中，电子器件还包括：第一导电柱，位于半导体芯片和重布线结构之间并且电连接半导体芯片和重布线结构；第二导电柱，位于功率调节元件和重布线结构之间并且电连接功率调节元件和重布线结构。
20、在一些实施例中，功率调节元件是集成电压调节器。
21、在一些实施例中，电子器件还包括：衬底，位于重布线结构上方并且电连接重布线结构。
22、本技术的有益技术效果在于：
23、本申请的实施例利用散热片本身的刚性抑制电子器件的翘曲，同时也降低了电子器件的整体厚度。
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1.一种电子器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述散热片包括横向部和纵向部，所述半导体芯片和所述功率调节元件位于所述横向部上方，所述纵向部连接所述重布线结构。
3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述半导体芯片包括连接所述散热片的接地元件。
5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述桥接元件是位于所述半导体芯片、所述功率调节元件和所述重布线结构之间、并且电连接所述半导体芯片和所述功率调节元件的电容器。
8.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述桥接元件设置在所述半导体芯片、所述功率调节元件和所述散热片之间，所述桥接元件包括介电层以及部分地内埋于所述介电层中的导电线路。
9.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述半导体芯片的前侧具有导电元件，所述导电元
10.根据权利要求9所述的电子器件，其特征在于，所述导电元件是顶针。
...【技术特征摘要】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述散热片包括横向部和纵向部，所述半导体芯片和所述功率调节元件位于所述横向部上方，所述纵向部连接所述重布线结构。
3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述半导体芯片包括连接所述散热片的接地元件。
5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1所述的电子器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：闵繁宇，李铮鸿，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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