一种基于EPS系统的传感器保护电路技术方案

技术编号:40718320 阅读:22 留言:0更新日期:2024-03-22 12:56
本技术涉及转向系统技术领域,具体地说是一种基于EPS系统的传感器保护电路。一种基于EPS系统的传感器保护电路,包括电阻、电容、MOS管,其特征在于:MOS管的栅极与源极之间连接电阻一,MOS管的漏极连接电阻二的一端及电容的一端,电阻二及电容的另一端合并接地。同现有技术相比,提供一种基于EPS系统的传感器保护电路,结合硬件和软件,解决EPS传感器需要软件标定后重启或工作状态异常无法及时将传感器隔离问题以及传感器长时间供电导致的功耗大和寿命低问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及转向系统,具体地说是一种基于eps系统的传感器保护电路。


技术介绍

1、目前汽车eps(电动助力转向系统)传感器正朝着微型化,智能化、低功耗和高精度方向发展,很多传感器集成了数据处理、存储、双向通讯、可编程等功能。例如:转向系统的角度传感器,当外部供电电压异常,工作磁场异常,传感器内部异常等导致传感器自身工作状态异常时,此时传感器将故障信息上传至mcu(控制单元)主处理器,为防止传感器进一步恶化,mcu主处理器需要发出指令将传感器输入电源关断,对传感器进行保护,否则可能会导致传感器精度降低甚至功能失效。长期给传感器供电,不仅增加功耗,还会影响传感器寿命,因此mcu主控制器根据系统功能需要,控制传感器输入电源导通与关断,降低功耗并延长传感器寿命。


技术实现思路

1、本技术为克服现有技术的不足,提供一种基于eps系统的传感器保护电路,结合硬件和软件,解决eps传感器需要软件标定后重启或工作状态异常无法及时将传感器隔离问题以及传感器长时间供电导致的功耗大和寿命低问题。

2、为实现上述目的,设计本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于EPS系统的传感器保护电路,包括电阻、电容、MOS管,其特征在于:MOS管(Q1)的栅极与源极之间连接电阻一(R1),MOS管(Q1)的漏极连接电阻二(R2)的一端及电容(C1)的一端,电阻二(R2)及电容(C1)的另一端合并接地。

2.根据权利要求1所述的一种基于EPS系统的传感器保护电路,其特征在于:所述的MOS管(Q1)的源极连接SBC电源管理芯片的VCC端口;MOS管(Q1)的栅极连接MCU微处理器的I/O端口;MOS管(Q1)的漏极连接EPS系统传感器的VDD端口。

3.根据权利要求2所述的一种基于EPS系统的传感器保护电路,其特征在于:所述...

【技术特征摘要】

1.一种基于eps系统的传感器保护电路,包括电阻、电容、mos管,其特征在于:mos管(q1)的栅极与源极之间连接电阻一(r1),mos管(q1)的漏极连接电阻二(r2)的一端及电容(c1)的一端,电阻二(r2)及电容(c1)的另一端合并接地。

2.根据权利要求1所述的一种基于eps系统的传感器保护电路,其特征在于:所述的mos管(q1)的源极连接sbc电源管理芯片的vcc端口;mos管(q1)的栅极连接mcu微处理器的i/o端口;mos管(q1)的漏极连接eps系统传感器的vdd端口。

3.根据权利要求2所述的一种基于eps系统的传感器保护电路,其特征在于:所述的sbc电源管理芯片与mcu...

【专利技术属性】
技术研发人员:李建新石刘丽吴世保吴夏青陆劲锋刘顺
申请(专利权)人:博世华域转向系统有限公司
类型:新型
国别省市:

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