【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及肌电信号采集，特别是涉及一种多通道高密度电极阵列。
技术介绍
1、高密度电极阵列在生物医疗、运动监测、恢复治疗、可穿戴智能设备等领域具有巨大的应用潜力。无源肌电电极已表现出了在各个领域的发展前景，然而无源电极的信噪比较差，在进行信号传输时会有较大的损失，导致最后的信号失真以及引入较大的噪声，更有甚者会将有用信号淹没于噪声信号之中，为之后信号的解调带来很大的困难。肌电信号的噪声主要由运动伪影、接口电路以及工频信号产生，运动伪影可以通过电极的粘贴方式来减弱，例如使用导电膏、将电极与皮肤固定的更牢固等方式，工频信号的引入可以通过设计带通滤波器以及50hz陷波器去消除，电极片与信号处理电路通过接口电路相连接，传统的无源肌电电极将电极片与放大电路分开设计，放大电路会位于信号处理电路之中，此时肌电信号已通过了接口电路也就引入了接口电路所带来的噪声信号，此时信号处理电路会将噪声信号与肌电信号所组成的混合信号一同进行放大与之后的处理，这样将难以区分有用的肌电信号与无用的噪声信号，与无源肌电电极相比，有源电极在电极片上就可将信号进行放大，此时肌电信号还未通过接口电路也就不会引入接口电路所带来的噪声。在应用于通道数量较少的肌电电极时，可以直接在每一个通道的后方添加放大模块，但这种技术难以应用于多通道高密度的电极阵列，在通道数量变多时所需的放大模块也将增多，这样不仅提升了成本也会影响电极的柔性，且在通道数量增加的同时电极上所需要引出的信号线也将增多，而这也将增大接口电路噪声的复杂性，综上，由于通道数量剧增传统多通道高密度电极阵列的信号采
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种多通道高密度电极阵列，可以很好的解决由于通道数量剧增造成传统多通道高密度电极阵列信号采集的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
3、一种多通道高密度电极阵列，包括：
4、n个金属电极阵列、n个模拟开关芯片、n个放大电路、一个接口电路和一个主控芯片；n为大于或等于1的正整数；每个金属电极阵列均包括m个金属电极通道，每个金属电极通道均包括多个金属电极；m为大于或等于1的正整数；
5、第i个金属电极阵列中第j个金属电极通道中所有金属电极均与第i个模拟开关芯片中第j个第一端连接，第i个模拟开关芯片的第二端与第i个放大电路的第一端连接，各所述放大电路的第二端均与所述接口电路的第一端连接，所述接口电路的第二端与所述主控芯片连接；1≤i≤n，1≤j≤m。
6、可选的，所述多通道高密度电极阵列，还包括：滤波电路；所述接口电路的第二端通过所述滤波电路与所述主控芯片连接。
7、可选的，所述滤波电路为rc有源滤波器。
8、可选的，所述多通道高密度电极阵列，还包括：滤波模块，各所述放大电路的第二端均通过所述滤波模块与所述接口电路的第一端连接。
9、可选的，所述滤波模块包括：两个串联的有源双t带阻滤波器，第一个有源双t带阻滤波器的第一端分别与各所述放大电路的第二端连接，第二个有源双t带阻滤波器的第二端与所述接口电路的第一端连接。
10、可选的，所述模拟开关芯片为单刀多掷开关；第i个金属电极阵列中第j个金属电极通道中所有金属电极均与第i个单刀多掷开关中第j个不动端连接，第i个单刀多掷开关的动端与第i个放大电路的第一端连接。
11、可选的，所述放大电路为固定增益放大芯片或ad620电路放大芯片。
12、可选的，所述多通道高密度电极阵列，还包括：柔性电路板，所述金属电极阵列、所述模拟开关芯片、所述放大电路和所述接口电路均设置在所述柔性电路板上。
13、根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
14、本专利技术公开的多通道高密度电极阵列包括n个金属电极阵列、n个模拟开关芯片、n个放大电路、一个接口电路和一个主控芯片；每个金属电极阵列均包括m个金属电极通道，每个金属电极通道均包括多个金属电极；第i个金属电极阵列中第j个金属电极通道中所有金属电极均与第i个模拟开关芯片中第j个第一端连接，第i个模拟开关芯片的第二端与第i个放大电路的第一端连接，各放大电路的第二端均与接口电路的第一端连接，接口电路的第二端与主控芯片连接，与传统的多通道高密度电极阵列每个通道后面都添加放大模块相比，本专利技术不用在每个通道后面都添加一个放大电路，只需要添加在模拟开关芯片后面即可，可以降低成本，且，降低对电极柔性的影响，也会解决因为引出的信号线增多，导致接口电路噪声的复杂性增大的问题，可以很好的解决由于通道数量剧增造成传统多通道高密度电极阵列信号采集的问题。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种多通道高密度电极阵列，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多通道高密度电极阵列，其特征在于，还包括：滤波电路；所述接口电路的第二端通过所述滤波电路与所述主控芯片连接。
3.根据权利要求2所述的多通道高密度电极阵列，其特征在于，所述滤波电路为RC有源滤波器。
4.根据权利要求1所述的多通道高密度电极阵列，其特征在于，还包括：滤波模块，各所述放大电路的第二端均通过所述滤波模块与所述接口电路的第一端连接。
5.根据权利要求4所述的多通道高密度电极阵列，其特征在于，所述滤波模块包括：两个串联的有源双T带阻滤波器，第一个有源双T带阻滤波器的第一端分别与各所述放大电路的第二端连接，第二个有源双T带阻滤波器的第二端与所述接口电路的第一端连接。
6.根据权利要求1所述的多通道高密度电极阵列，其特征在于，所述模拟开关芯片为单刀多掷开关；第i个金属电极阵列中第j个金属电极通道中所有金属电极均与第i个单刀多掷开关中第j个不动端连接，第i个单刀多掷开关的动端与第i个放大电路的第一端连接。
7.根据权利要求1所述的多通
8.根据权利要求1所述的多通道高密度电极阵列，其特征在于，还包括：柔性电路板，所述金属电极阵列、所述模拟开关芯片、所述放大电路和所述接口电路均设置在所述柔性电路板上。
...【技术特征摘要】
1.一种多通道高密度电极阵列，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多通道高密度电极阵列，其特征在于，还包括：滤波电路；所述接口电路的第二端通过所述滤波电路与所述主控芯片连接。
3.根据权利要求2所述的多通道高密度电极阵列，其特征在于，所述滤波电路为rc有源滤波器。
4.根据权利要求1所述的多通道高密度电极阵列，其特征在于，还包括：滤波模块，各所述放大电路的第二端均通过所述滤波模块与所述接口电路的第一端连接。
5.根据权利要求4所述的多通道高密度电极阵列，其特征在于，所述滤波模块包括：两个串联的有源双t带阻滤波器，第一个有源双t带阻滤波器的第一端分别与各所述放大电路的第...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。