【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及质量分析装置。
技术介绍
1、使试料溶液在施加了高电压的毛细管中流动，从毛细管前端喷射试料，从周边吹出加热后的气体，从而产生带电液滴。该带电液滴进行蒸发和分裂，从而产生离子。通过电场等将该离子引入用真空泵抽真空的低真空中。该离子通过具有各种作用的离子透镜后，导入到四极滤质器(以下称为滤质器)。滤质器由4根杆电极(以下称为q杆)和固定它们的陶瓷制保持器(以下简称保持器)构成。4个q杆固定在保持器上，使得作为其截面的圆的中心分别位于正方形的顶点。将相对的q杆彼此接线，在第一q杆的组合中施加u+vcosωt，在第二q杆的组合施加-u-vcosωt。这里，u是直流电压，vcosωt是高频电压。以下，将vcosωt(-vcosωt)叠加到u(-u)的电压也被称为高频电压。通过将高频电压施加到q杆上，带电荷的离子在被滤质器的q杆包围的空间中振动。根据施加在q杆上的电压、频率，一定的离子进行稳定的振动并通过滤质器。另一方面，除此之外的离子在通过滤质器的过程中振动变大，与q杆产生碰撞等，从而无法通过。由此，滤质器能够仅分离一定的离子。
2、在滤质器的保持器中产生高频引起的感应损耗，并发热。通过该发热，q杆及保持器热膨胀，相对的q杆间距离2r0发生变化。如图16所示，相对的q杆间距离由q杆的内切圆70的半径r0定义。已知通过相对的q杆间距离的变化，产生通过滤质器的离子即检测出的离子的质量数的偏移。如果q杆的内切圆70的半径r0的偏移量设为δr，则从原理式出发，检测出的质量数m的偏移δm表示为δm/m＝-2(δr/r0)。
3、保持器产生的热量流向与保持器连接的q杆。q杆被加热并沿其直径方向延伸。由此，内切圆半径r0变化。另外，流向q杆的热量进一步通过连接用于对q杆施加高电压的控制基板和q杆的金属板流向控制基板。即，q杆在轴向上也具有温度分布。其结果，滤质器中的内切圆半径r0不一致，沿着q杆的轴向复杂地变化。特别是在进行高质量离子检测时，由于需要增大直流电压u、高频电压vcosωt，因此保持器的发热量增大，检测出的质量数m的偏移量也增大。图17是保持器温度t、(t+δt)时检测到的质谱曲线71、72。横轴是质量电荷比(m/z)，是离子的质量除以该离子的电荷数(价数)而得到的值。如图17所示，由于温度上升δt，质谱曲线的峰值从m1/z 1变化为m2/z2。这种质谱曲线的峰值的变化称为质量轴偏移。若要求出的离子的质量电荷比为m1/z 1，则由于质量轴偏移，信号强度从a降低到b。因此，质量轴偏移量越大，进行高质量数的离子检测时，这种灵敏度降低越显著。
4、在专利文献1所公开的质量分析装置中，为了降低产生质量轴偏移的保持器的发热量，增大从保持器的热释放(热辐射散失)。具体而言，对与保持器相对的真空室内表面实施辐射率较高的镀黑镍加工处理，使热释放增大。
5、在专利文献2所公开的质量分析装置中，同样为了降低保持器的发热量，增大向载置保持器的保持器保持台的热释放(热传导引起的热散失)。具体而言，为了在保持器保持台上固定保持器，使用热导率较大、具有弹簧性的磷青铜制的固定带。
6、在专利文献3所公开的质量分析装置中，预先求出根据提供给滤质器的每单位时间的功率来预测保持器的温度变化的近似式、及保持器的温度变化与用于校正质量轴偏移量的高频电压的校正量的关系。在分析作业时，使用这些信息，根据向保持器提供的功率值来预测保持器的温度变化，控制对滤质器的施加电压值，以校正质量轴偏移。
7、在专利文献4所公开的质量分析装置中，在保持器上安装应变传感器，预先求出应变量与质量轴偏移量的关系。在分析作业时，根据测定的应变量来预测质量轴偏移量，控制对滤质器的施加电压值，以校正质量轴偏移量。
8、在专利文献5所公开的质量分析仪中，公开了在保持器的一部分开孔，在该孔部配置温度传感器，进行保持器的温度测量的方法。
9、现有技术文献
10、专利文献
11、专利文献1：国际公开第2019/155542号
12、专利文献2：国际公开第2019/155543号
13、专利文献3：日本专利特开平10－112282号公报
14、专利文献4：日本专利特开平10－106484号公报
15、专利文献5：日本专利特开平5－217548号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、在利用质量分析装置进行质量分析作业时，由于高频的介电损耗，保持器发热，产生质量轴的偏移。该质量轴的偏移使想要检测的离子的信号强度降低，导致灵敏度降低等性能劣化。
3、专利文献1、2公开了积极地进行来自保持器的散热，抑制发热的影响的方法。但是，在专利文献1的结构中，在保持器的发热引起的温度上升值为几℃左右的情况下，辐射热散失引起的保持器的温度上升抑制的效果较低，有可能不能充分抑制保持器的温度上升。另外，在专利文献2的结构中，若保持器的介电损耗引起的发热量变大，则热释放不充分，有可能不能充分降低质量轴偏移。
4、另一方面，专利文献3、4公开了通过根据质量轴偏移来校正施加给滤质器的高频电压，从而抵消发热引起的质量轴偏移的方法。但是，在专利文献3中，根据向滤质器的供电来推定保持器的温度变化，有可能因推定误差而不能得到充分的效果。另一方面，在专利文献4中，利用应变传感器直接感测保持器的变化，但在真空中产生从应变传感器向真空中的出气，有可能降低真空的质量。另外，在保持器上长时间不剥离应变传感器而稳定地粘接是相当困难的。专利文献5是直接测定保持器的温度的文献，但为了可靠进行接触型温度传感器与保持器的接触，需要使用粘接材料。因此，与专利文献4的情况相同，将出气产生量抑制在容许值以下，不使真空的质量劣化，并且多年来保持良好的粘接状态是相当困难的。
5、另外，在分析作业中作为基准的质谱曲线的峰值的位置是使用质量已知的标准试料进行分析作业而得到的，质量轴偏移是由于偏离标准试料的分析条件而引起的。保持器的温度变化不仅是由分析作业时的高频引起的介电损耗引起的，还由设置质量分析装置的环境温度、向装置接通电源、直到能够开始分析作业为止的装置待机动作引起的热负荷引起，由此，质量轴偏移，成为降低装置灵敏度的主要原因。
6、本专利技术是鉴于上述问题点而完成的，以比较廉价的结构高精度地测定滤质器的保持器温度，抑制质量分析装置的质量轴偏移。
7、用于解决技术问题的技术手段
8、本专利技术的一个实施方式的质量分析装置具有：具备杆电极、保持杆电极的保持器、载置保持器的保持器支承台、利用其弹力将保持器按压固定在保持器支承台上的板簧的滤质器；温度传感器；以及控制部，该控制部根据温度传感器的测定信号，控制施加在杆电极上的高频电压的电压值，温度传感器相对于板簧固定。
9、专利技术效果
10、本专利技术提供一种能够以比较廉价的结构抑制质量轴偏移的质量分析装置。上述以外的问题、结构以及效果通过以下实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种质量分析装置，其特征在于，具有：
2.如权利要求1所述的质量分析装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的质量分析装置，其特征在于，
4.如权利要求3所述的质量分析装置，其特征在于，
5.如权利要求2所述的质量分析装置，其特征在于，
6.如权利要求1所述的质量分析装置，其特征在于，
7.如权利要求1所述的质量分析装置，其特征在于，
8.如权利要求1所述的质量分析装置，其特征在于，
9.如权利要求8所述的质量分析装置，其特征在于，
10.如权利要求8所述的质量分析装置，其特征在于，
11.如权利要求10所述的质量分析装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种质量分析装置，其特征在于，具有：
2.如权利要求1所述的质量分析装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的质量分析装置，其特征在于，
4.如权利要求3所述的质量分析装置，其特征在于，
5.如权利要求2所述的质量分析装置，其特征在于，
6.如权利要求1所述的质量分析装...
【专利技术属性】
技术研发人员：石黑浩二，皆田晋介，安田博幸，当真嗣尚，菅原佑香，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：
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