【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于有机电子器件，具体涉及到一种自弯曲柔性有机单晶及其制备方法和应用。
技术介绍
1、有机半导体材料具有质量轻、价格便宜、可化学修饰、可溶液加工等优点，在有机场效应晶体管(ofet)有机发光二极管(oled)有机太阳能电池(osc)等有机电子器件领域具有广泛的应用前景。有机单晶具有分子长程有序，缺陷少，晶界密度低等优点，一般具有较高的载流子迁移率，能够很好地提升有机场效应晶体管的电学性能。目前柔性电子器件发展迅速，关于机械柔韧性有机单晶的研究也在不断深入，所以为了提高柔性有机场效应晶体管的性能，需要制备高质量的柔性有机单晶，然而绝大多数有机单晶不具备柔性，在外力刺激下容易断裂或开裂，不利于柔性电子器件的构筑，另一方面有机单晶的晶体质量稳定性较低，有机单晶结晶过程强烈依赖于外部环境条件，包括溶剂的种类、温度、溶液浓度和表面活性剂。目前为止，对不同有机半导体单晶的生长进行动力学控制进而优化得到优异的光电性能并应用于相应器件仍然是一项艰巨的任务。因而，发展一种简单、便捷和低成本的高质量柔性有机单晶的制备方法是十分重要的。
技术实现思路
1、本部分的目的在于概述本专利技术的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和专利技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和专利技术名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本专利技术的范围。
2、鉴于上述和/或现有技术中存在的问题，提出了本专利技术。
3、因此，本专利技
4、为解决上述技术问题，本专利技术提供了如下技术方案：所述自弯曲柔性有机单晶通过含对称二噻吩酰酞亚胺基的有机半导体材料溶于有机溶剂后通过溶液法生长得到；
5、其中，所述含对称二噻吩酰酞亚胺基的有机半导体材料为dti2tpa，结构式如式(ⅰ)所示；
6、
7、本专利技术的另一目的是，克服现有技术中的不足，提供一种自弯曲柔性有机单晶的制备方法。
8、为解决上述技术问题，本专利技术提供了如下技术方案：包括，
9、向半导体材料中滴加有机溶剂，超声处理使得半导体材料充分溶解，得到储备溶液；
10、将储备溶液滴注在预处理后的硅片上，静置使得储备溶液完全挥发，得到自弯曲柔性有机单晶；
11、其中，所述有机溶剂包括氯苯、甲醇、乙醇中的一种或两种。
12、作为本专利技术所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法一种优选方案，其中：所述氯苯与甲醇的混合比例为1～9:1；所述氯苯与乙醇的混合比例为1～9:1。
13、作为本专利技术所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法一种优选方案，其中：所述超声处理的时间为30min。
14、作为本专利技术所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法一种优选方案，其中：所述储备溶液的浓度为0.1～1mg/ml。
15、作为本专利技术所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法一种优选方案，其中：所述预处理包括经过去离子水，丙酮，乙醇清洗15min，在清洗完成之后表面经过紫外处理和十八烷基硅烷修饰。
16、作为本专利技术所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法一种优选方案，其中：所述静置的温度为12～18℃。
17、作为本专利技术所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法一种优选方案，其中：所述静置的时间为24～48h。
18、本专利技术的又一目的是，克服现有技术中的不足，提供一种自弯曲柔性有机单晶在制备有机单晶场效应晶体管中的应用。
19、本专利技术的再一目的是，克服现有技术中的不足，提供一种有机单晶场效应晶体管。
20、为解决上述技术问题，本专利技术提供了如下技术方案：包含自弯曲柔性有机单晶。
21、本专利技术有益效果：
22、本专利技术通过选取包含对称二噻吩酰酞亚胺基的有机半导体材料，使其溶于有机溶剂并通过溶液法生长有机单晶，通过改变有机溶剂的种类以及配比实现了对有机单晶的形貌调控，从而获得高质量的有机单晶，与基于直晶体的ofet器件相比，本专利技术制得的自弯曲柔性晶体构筑的ofet器件的最高迁移率提高了6倍以上，最高迁移率达到0.8cm2v-1s-1，有利于促进未来机械弯曲诱导电性能增强的柔性有机晶体材料体系的创建，有望为未来的可穿戴光电技术带来突破性进展。
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1.一种自弯曲柔性有机单晶，其特征在于：所述自弯曲柔性有机单晶通过含对称二噻吩酰酞亚胺基的有机半导体材料溶于有机溶剂后通过溶液法生长得到；
2.如权利要求1所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法，其特征在于：包括，
3.如权利要求2所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法，其特征在于：所述氯苯与甲醇的混合比例为1～9:1；所述氯苯与乙醇的混合比例为1～9:1。
4.如权利要求1所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法，其特征在于：所述超声处理的时间为30min。
5.如权利要求1所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法，其特征在于：所述储备溶液的浓度为0.1～1mg/ml。
6.如权利要求1所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法，其特征在于：所述预处理包括经过去离子水，丙酮，乙醇清洗15min，在清洗完成之后表面经过紫外处理和十八烷基硅烷修饰。
7.如权利要求1所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法，其特征在于：所述静置的温度为12～18℃。
8.如权利要求1所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法，其特征在于：所述静置的时间为24
9.如权利要求1～8任一所述的制备方法制得的自弯曲柔性有机单晶在制备有机单晶场效应晶体管中的应用。
10.一种有机单晶场效应晶体管，其特征在于：包含权利要求1所述的自弯曲柔性有机单晶。
...【技术特征摘要】
1.一种自弯曲柔性有机单晶，其特征在于：所述自弯曲柔性有机单晶通过含对称二噻吩酰酞亚胺基的有机半导体材料溶于有机溶剂后通过溶液法生长得到；
2.如权利要求1所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法，其特征在于：包括，
3.如权利要求2所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法，其特征在于：所述氯苯与甲醇的混合比例为1～9:1；所述氯苯与乙醇的混合比例为1～9:1。
4.如权利要求1所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法，其特征在于：所述超声处理的时间为30min。
5.如权利要求1所述的自弯曲柔性有机单晶的制备方法，其特征在于：所述储备溶液的浓度为0.1～1mg/ml。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘城芳，张宇恒，罗倩，赖文勇，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：
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