【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜形成方法。
技术介绍
1、在半导体元件和液晶元件的制造中，进行使用光致抗蚀剂材料的利用光刻法的微细加工。特别是在半导体元件的制造中，近年来随着lsi的高集成化和高速化，要求图案尺寸的进一步微细化。为了应对这样的图案尺寸的微细化，形成抗蚀剂图案时所使用的光刻用光源正在从krf准分子激光(248nm)向arf准分子激光(193nm)短波长化。
2、例如，作为可适合于使用arf准分子激光的抗蚀剂图案形成的光致抗蚀剂材料，专利文献1所公开的专利技术涉及一种正型抗蚀剂组合物，其中，该组合物使用了利用酸解离性的溶解抑制基保护(甲基)丙烯酸的羧基中的羟基的树脂。
3、此外，近年来，除了图案尺寸的微细化，通过堆叠单元的叠层化来实现存储器的大容量化的三维结构器件的开发也得到了发展。而且，在三维结构器件的制造中，在制成比现有技术高膜厚的厚膜抗蚀剂膜的基础上，进行了抗蚀剂图案的形成。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2003－241385号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、对于如此制造半导体元件和液晶元件等各种器件时所使用的光致抗蚀剂材料，所需要的特性根据其器件的种类而不同。因此，需要一种能够形成适合各种器件的制造的抗蚀剂膜的光致抗蚀剂材料。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本专利技术提供一种含有树脂和包含
5、即，本专利技术提供以下的[1]～[14]。
6、[1]一种抗蚀剂组合物，其中，含有树脂(a)和包含下述通式(b－1)所示的化合物(b1)的溶剂(b)，上述抗蚀剂组合物的以总量为基准的有效成分的含量为45质量％以下。
7、
8、上述式(b－1)中，r1为碳原子数1～10的烷基。
9、[2]如上述[1]所述的抗蚀剂组合物，其中，还含有选自感光剂和酸发生剂中的至少一种添加剂(c)。
10、[3]如上述[1]或[2]所述的抗蚀剂组合物，其中，上述通式(b－1)中的r1为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基。
11、[4]如上述[1]～[3]中任一项所述的抗蚀剂组合物，其中，上述通式(b－1)中的r1为乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基。
12、[5]如上述[1]～[4]中任一项所述的抗蚀剂组合物，其中，上述溶剂(b)含有上述化合物(b1)以外的溶剂(b2)。
13、[6]如上述[5]所述的抗蚀剂组合物，其中，上述溶剂(b)含有选自α－甲氧基异丁酸甲酯、α－甲酰氧基异丁酸甲酯、α－乙酰氧基异丁酸甲酯和3－羟基异丁酸甲酯中的一种以上作为上述溶剂(b2)。
14、[7]如上述[5]所述的抗蚀剂组合物，其中，上述溶剂(b)含有选自α－甲氧基异丁酸甲酯、α－甲酰氧基异丁酸甲酯、α－乙酰氧基异丁酸甲酯、3－羟基异丁酸甲酯和1－甲氧基－2－丙醇中的一种以上作为上述溶剂(b2)。
15、[8]如上述[5]～[7]中任一项所述的抗蚀剂组合物，其中，以上述化合物(b1)的总量(100质量％)为基准，上述溶剂(b2)的含量为100质量％以下。
16、[9]如上述[8]所述的抗蚀剂组合物，其中，以上述化合物(b1)的总量(100质量％)为基准，上述溶剂(b2)的含量低于70质量％。
17、[10]如上述[8]或[9]所述的抗蚀剂组合物，其中，以上述化合物(b1)的总量(100质量％)为基准，上述溶剂(b2)的含量为0.0001质量％以上。
18、[11]如上述[5]～[10]中任一项所述的抗蚀剂组合物，其中，以抗蚀剂组合物的总量(100质量％)为基准，上述溶剂(b2)的含量低于100质量％。
19、[12]如上述[1]～[11]中任一项所述的抗蚀剂组合物，其中，上述树脂(a)包含酚醛清漆型树脂(a1)。
20、[13]如上述[1]～[11]中任一项所述的抗蚀剂组合物，其中，上述树脂(a)包含树脂(a2)，该树脂(a2)具有来自含酚性羟基的化合物的结构单元(a2－1)和能够通过酸、碱或热的作用而分解形成酸性官能团的结构单元(a2－2)中的至少一方。
21、[14]如上述[1]～[11]中任一项所述的抗蚀剂组合物，其中，上述树脂(a)包含树脂(a3)，该树脂(a3)具有含有金刚烷结构的结构单元(a3－1)。
22、[15]如上述[14]所述的抗蚀剂组合物，其中，上述树脂(a3)是具有结构单元(a3－1)和含有内酯结构的结构单元(a3－2)的共聚物。
23、[16]如上述[14]或[15]所述的抗蚀剂组合物，其中，相对于上述树脂(a3)的结构单元的总量，具有取代有羟基的金刚烷结构的结构单元(a3－1α)的含量低于50摩尔％。
24、[17]如上述[1]～[11]中任一项所述的抗蚀剂组合物，其中，上述树脂(a)包含树脂(a4)，该树脂(a4)具有来自含酚性羟基的化合物的结构单元(a2－1)、能够通过酸、碱或热的作用而分解形成酸性官能团的结构单元(a2－2)、含有金刚烷结构的结构单元(a3－1)和含有内酯结构的结构单元(a3－2)中的任意两个以上的结构单元。
25、[18]一种抗蚀剂膜的形成方法，其中，包括：工序(1)：将上述[1]～[17]中任一项所述的抗蚀剂组合物涂布在基板上形成涂膜的工序；工序(2)：在工序(1)之后进行加热处理的工序；和工序(3)：形成抗蚀剂图案的工序。
26、专利技术效果
27、本专利技术的优选的一种方式的抗蚀剂组合物尽管将包含树脂的有效成分的含量限制在规定值以下，仍能够形成适于制造各种器件的抗蚀剂膜。
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1.一种抗蚀剂组合物，其特征在于：
2.如权利要求1所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
4.如权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
6.如权利要求5所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
7.如权利要求5所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
8.如权利要求5～7中任一项所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
9.如权利要求8所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
10.如权利要求8或9所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
11.如权利要求5～10中任一项所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
12.如权利要求1～11中任一项所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
13.如权利要求1～11中任一项所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
14.如权利要求1～11中任一项所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
15.如权利要求14所述的抗蚀
16.如权利要求14或15所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
17.如权利要求1～11中任一项所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
18.一种抗蚀剂膜的形成方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种抗蚀剂组合物，其特征在于：
2.如权利要求1所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
4.如权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
6.如权利要求5所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
7.如权利要求5所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
8.如权利要求5～7中任一项所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
9.如权利要求8所述的抗蚀剂组合物，其特征在于：
10.如权利要求8或9所述的抗...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈田拓巳，星野良辅，佐藤英之，片桐诚之，铃木周，越后雅敏，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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