高玻璃化转变温度高介电聚芳醚腈复合材料及其制备方法与应用技术

本发明专利技术属于材料制备技术领域，涉及一种高玻璃化转变温度高介电聚芳醚腈复合材料及其制备方法与应用。首先采用亲核取代反应合成邻苯二甲腈封端联苯结构的聚芳醚腈基体树脂，其次利用化学接枝法在埃洛石纳米管表面引入酞菁铜修饰层制备新型功能化纳米填料，再通过流延成膜法结合后固相化学反应制得。所述功能化纳米填料中的氰基既能改善与基体树脂的相容性又可加速氰基交联，提升复合材料的耐热性与机械强度，以最终获得高玻璃化转变温度、高热分解温度、高介电常数及介电性能稳定且易加工的聚芳醚腈薄膜，制备工艺简单，效果优异，可规模化生产与应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料制备，涉及高分子材料合成及纳米复合材料的制备工艺，具体涉及一种高玻璃化转变温度高介电聚芳醚腈复合材料的制备方法，尤其为一种储能薄膜电容器用高玻璃化转变温度高介电聚芳醚腈复合材料的制备方法。

技术介绍

1、随着科技的发展，人们对电子设备的需求与要求不断提高，有关实现电子器件的集成化、轻量化和可便携化的研究引起人们极大的兴趣，而作为电子器件核心部件之一的电介质薄膜也逐渐成为人们关注的热点。为了获取高性能的电介质材料，科研人员们致力于提高聚合物材料的介电性能、热稳定性等。然而，目前使用最广泛的双轴取向聚丙烯(bopp)，虽在室温时展现出较高的击穿强度，但工作温度仅为105℃，当温度继续升高，材料内部的漏电流密度迅速上升，则会导致电容器的充放电效率、能量密度急剧下降。因此，拓宽储能薄膜电容器的工作温度是非常有必要的。

2、为了获得高介电常数的复合材料，研究人员往往在聚合物基体中掺入各种功能性填料，包括铁电陶瓷，导电纳米颗粒和有机电介质等。然而，填充少量的填料到基体树脂中很难形成微电容通路，形成高介电常数；但填充大量粒子到基体树脂则会牺本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高玻璃化转变温度高介电聚芳醚腈复合材料的制备方法，其特征在于，通过亲核取代反应、化学接枝法、溶液流延法、后固相化学反应协同的方式制备高玻璃化转变温度高介电常数的聚芳醚腈薄膜；具体包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的高玻璃化转变温度高介电聚芳醚腈复合材料的制备方法，其特征在于，每1g邻苯二甲腈封端联苯结构的聚芳醚腈粉末中加入(10～15)mL的N-甲基吡咯烷酮，每1g含酞菁铜修饰层的埃洛石纳米填料中加入(10～15)mL的N-甲基吡咯烷酮；所述聚芳醚腈与含酞菁铜修饰层的埃洛石纳米填料的质量比为1：(0.02～0.4)。

3.根据权利要求1或2所述的高玻璃...

【技术特征摘要】

1.一种高玻璃化转变温度高介电聚芳醚腈复合材料的制备方法，其特征在于，通过亲核取代反应、化学接枝法、溶液流延法、后固相化学反应协同的方式制备高玻璃化转变温度高介电常数的聚芳醚腈薄膜；具体包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的高玻璃化转变温度高介电聚芳醚腈复合材料的制备方法，其特征在于，每1g邻苯二甲腈封端联苯结构的聚芳醚腈粉末中加入(10～15)ml的n-甲基吡咯烷酮，每1g含酞菁铜修饰层的埃洛石纳米填料中加入(10～15)ml的n-甲基吡咯烷酮；所述聚芳醚腈与含酞菁铜修饰层的埃洛石纳米填料的质量比为1：(0.02～0.4)。

3.根据权利要求1或2所述的高玻璃化转变温度高介电聚芳醚腈复合材料的制备方法，其特征在于，所述流延法成膜的升温过程为：在80℃、100℃、120℃和160℃下各保温1h，再在200℃下保温2～4h。

4.根据权利要求1所述的高玻璃化转变温度高介电聚芳醚腈复合材料的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述pen/hnt...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤勇，陈思怡，毛小花，黄欣薏，杨霜，左芳，
申请(专利权)人：西南民族大学，
类型：发明
国别省市：