一种玉米种植方法技术

本发明专利技术属于作物生产技术领域，具体涉及一种玉米种植方法。本发明专利技术通过羧基化纳米碳点调节玉米根系发育，意图构建密植玉米的“理想根型”，协调优化根层与冠层结构、平衡根层与土壤水分养分供给，进一步提高玉米产量和水肥利用效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于作物生产，具体涉及一种玉米种植方法。

技术介绍

1、当前玉米生产中，提高种植密度已经成为进一步提高产量的必然趋势。然而，在高密度群体内，玉米植株之间相互遮光，群体冠层透光性降低，个体之间对光资源竞争加剧；同时，根系对土壤中水分和养分的竞争也加剧，这些共同导致后期了高密度种植条件下，玉米生长发育早衰严重，叶片光合性能下降，穗粒数和千粒重降低，最终造成产量降低。

2、为适应高密度种植系统，选育耐密高产的玉米品种是最主要的技术手段。育种技术通过改良叶夹角、雄穗大小和开花-吐丝间隔等性状，有效改善了密植玉米的群体冠层结构，增强群体的通风透光性和冠层光辐射截获，从而获得较高的群体光合效率和干物质积累效率。

3、尽管没有以根系构型改良为育种目标，最新的研究发现不同年代选育的玉米自交系的根系构型也发生了明显的选择，现代的耐密玉米品种具有更加陡峭的根系，即根系夹角变小，与株型一样更为紧凑，这可能使根系向更深的土层延伸。较深的根系可以提高水氮利用效率，减少密植条件下根与根之间的竞争。专利技术人前期的研究也表明利用土壤深耕措施，减少玉米根本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.羧基化纳米碳点在调控密植玉米根系构型中的应用或在玉米种植中的应用。

2.种子引发溶液，其特征在于，含有羧基化纳米碳点；

3.根据权利要求2所述的种子引发溶液，其特征在于，所述种子引发溶液还包括：180-220mg/L的KH2PO4；180-220mg/L的CaCl2·2H2O；和1000-1400mg/L的(NH4)2SO4；

4.一种玉米种植方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的玉米种植方法，其特征在于，所述引发处理为在温度为25-30℃条件下，引发时间6-8小时。

6.根据权利要求4或5所述的玉米种植方法，其...

【技术特征摘要】

1.羧基化纳米碳点在调控密植玉米根系构型中的应用或在玉米种植中的应用。

2.种子引发溶液，其特征在于，含有羧基化纳米碳点；

3.根据权利要求2所述的种子引发溶液，其特征在于，所述种子引发溶液还包括：180-220mg/l的kh2po4；180-220mg/l的cacl2·2h2o；和1000-1400mg/l的(nh4)2so4；

4.一种玉米种植方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的玉米种植方法，其特征在于，所述引发处理为在温度为25-30℃条件下，引发时间6-8小时。

6.根据权利要求4或5所述的玉米种植方法，其特征在于，经所述种子引发溶液引发后，使玉米拔节前的总根长增加11.9％-34.5％，优选增加为20.7％-34.5％，更优选增加34.5％。

7.根据权利要求4-6任一项所述的玉米种植方法，其特征在于，通过在拔节期施入羧基化纳米碳点，...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁在松，周宝元，李从锋，王新兵，黄素华，
申请(专利权)人：中国农业科学院作物科学研究所，
类型：发明
国别省市：