【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装结构，且特别是涉及一种大面积高效能载板的封装结构。
技术介绍
1、由于集成电路(integrated circuit,ic)载板受惠高速运算、高功率及电子集成密度提高，因而带动高阶载板面积扩充至大面积应用等发展趋势。然而，在制作工艺温度负荷下，可能因各材料热膨胀系数差异，造成各结构间的热变形量不同，导致结构产生翘曲变形，上述变形可能造成细线化不易、结构脱层、线路结构层的线路断裂以及锡球破坏等，进而影响后续芯片的可应用性范围限缩。
技术实现思路
1、本专利技术是针对一种封装结构，其有效降低结构整体翘曲变形。
2、本专利技术的封装结构，包括电路板、多个线路结构层、至少一个桥接结构以及至少一个支撑结构。线路结构层配置于电路板上。桥接结构连接于两两相邻的线路结构层之间。支撑结构位于两相邻的线路结构层之间，且支撑结构具有相对的第一端与第二端，分别连接桥接结构与电路板。
3、在本专利技术的一实施例中，上述的各桥接结构包括缓冲层。
4、在本专利技术的一实施例中，上述的各桥接结构还包括金属线路层，金属线路层配置于缓冲层上，金属线路层电连接于两相邻的线路结构层之间。
5、在本专利技术的一实施例中，上述的封装结构还包括多个第一焊点，第一焊点配置于各线路结构层与电路板之间，其中各线路结构层通过这些第一焊点与电路板电连接。
6、在本专利技术的一实施例中，上述的封装结构还包括多个第二焊点，第二焊点配置于各桥接结构与这些线路结构
7、在本专利技术的一实施例中，上述的封装结构还包括至少一弹性层，弹性层配置于支撑结构的第二端与电路板之间。
8、在本专利技术的一实施例中，上述的封装结构还包括至少一第一胶体与多个第二胶体，第一胶体配置于支撑结构的第二端与电路板之间，这些第二胶体配置于各桥接结构与这些线路结构层之间。
9、在本专利技术的一实施例中，上述的支撑结构的第一端与第二端分别直接连接桥接结构与电路板。
10、在本专利技术的一实施例中，上述的封装结构还包括至少一连接结构，连接结构配置于支撑结构的第一端与桥接结构之间，且连接结构为非导电材料。
11、在本专利技术的一实施例中，上述的封装结构还包括至少一连接结构，连接结构配置于支撑结构的第一端与桥接结构之间，且连接结构为导电材料。
12、在本专利技术的一实施例中，上述的支撑结构的形状包括梯形柱。
13、在本专利技术的一实施例中，上述的支撑结构的第一端具有第一宽度，第二端具有第二宽度，第一宽度大于第二宽度。
14、在本专利技术的一实施例中，上述的支撑结构的第一端具有第一宽度，第二端具有第二宽度，第一宽度小于第二宽度。
15、在本专利技术的一实施例中，上述的支撑结构为中空结构。
16、在本专利技术的一实施例中，上述的各支撑结构还包括延伸段，延伸段位于各支撑结构的第二端，延伸段具有相对的第三端与第四端，分别连接于两相邻的线路结构层。
17、在本专利技术的一实施例中，上述的各支撑结构还包括位于第一端与第二端之间的中间区段以及位于中间区段的延伸段，延伸段具有相对的第三端与第四端，分别连接于两相邻的线路结构层。
18、在本专利技术的一实施例中，上述的各支撑结构还包括多个延伸段，延伸段分别位于第一端与第二端，各延伸段具有相对的第三端与第四端，分别连接于两相邻的线路结构层。
19、在本专利技术的一实施例中，上述的这些线路结构层阵列排列于电路板上。
20、在本专利技术的一实施例中，上述的各支撑结构的杨氏系数介于1gpa至150gpa之间。
21、在本专利技术的一实施例中，上述的各支撑结构的热膨胀系数介于1ppm至50ppm之间。
22、基于上述，在本专利技术的封装结构中，桥接结构连接于两相邻的线路结构层之间，支撑结构位于桥接结构下，用以支撑桥接结构，以使支撑结构的相对两端分别连接桥接结构与电路板。如此一来，当封装结构因制作工艺温度上升时，通过桥接结构与支撑结构的设计可以有效降低封装结构整体的翘曲变形。
23、为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，各所述桥接结构包括缓冲层。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，各所述桥接结构还包括金属线路层，配置于所述缓冲层上，所述金属线路层电连接于两相邻的所述线路结构层之间。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述至少一个支撑结构的所述第一端直接连接所述至少一个桥接结构，所述第二端直接连接所述电路板。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
11.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述至少一个支撑结构的形状包括梯形柱。
12.根据权利要求11所述的封装结
13.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述至少一个支撑结构的所述第一端具有第一宽度，所述第二端具有第二宽度，所述第一宽度小于所述第二宽度。
14.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述至少一个支撑结构为中空结构。
15.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，各所述支撑结构还包括延伸段，位于各所述支撑结构的所述第二端，所述延伸段具有相对的第三端与第四端，分别连接于两相邻的所述线路结构层。
16.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，各所述支撑结构还包括位于所述第一端与所述第二端之间的中间区段以及位于所述中间区段的延伸段，所述延伸段具有相对的第三端与第四端，分别连接于两相邻的所述线路结构层。
17.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，各所述支撑结构还包括多个延伸段，分别位于所述第一端与所述第二端，各所述延伸段具有相对的第三端与第四端，分别连接于两相邻的所述线路结构层。
18.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述多个线路结构层阵列排列于所述电路板上。
19.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，各所述支撑结构的杨氏系数介于1GPa至150GPa之间。
20.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，各所述支撑结构的热膨胀系数介于1ppm至50ppm之间。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，各所述桥接结构包括缓冲层。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，各所述桥接结构还包括金属线路层，配置于所述缓冲层上，所述金属线路层电连接于两相邻的所述线路结构层之间。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述至少一个支撑结构的所述第一端直接连接所述至少一个桥接结构，所述第二端直接连接所述电路板。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
11.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述至少一个支撑结构的形状包括梯形柱。
12.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述至少一个支撑结构的所述第一端具有第一宽度，所述第二端具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。
13.根据权利要求11所述的封装结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄昱玮，余庆峰，萧志诚，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。