低噪声放大器和电子设备制造技术

本申请实施例提供一种低噪声放大器和电子设备，涉及射频技术领域，其中低噪声放大器具有较大的相对带宽。低噪声放大器包括：射频输入端；第一电感，第一电感的第一端电连接于射频输入端；第一电容，第一电容的第一端电连接于射频输入端；第二电感，第二电感的第一端电连接于第一电容的第二端；第三电感，第三电感的第一端电连接于第一电容的第二端；第二电容，第二电容的第一端电连接于第三电感的第二端；第四电感，第四电感的第一端电连接于第二电容的第二端；第一晶体管，第一晶体管的控制端电连接于第三电感的第二端，第一晶体管的第一端电连接于第四电感的第一端；第一电感耦合于第二电感，第二电感耦合于第三电感。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及射频，特别涉及一种低噪声放大器和电子设备。

技术介绍

1、在通信领域，随着高速数据传输的发展，5g毫米波(millimeter wave，mmw)频谱被广泛应用，如表1所示。

2、表1

3、

4、根据表1所示可知，对于通信设备而言，为了兼容不同频段及标准，需要兼容5g通信的频率范围和感知领域(例如车载和室内)的频率范围。也就是说，为了能够应用于不同的毫米波领域，需要低噪声放大器(low noise amplifier，lna)的相对带宽较大。然而，目前的lna相对带宽较小。

技术实现思路

1、一种低噪声放大器和电子设备，其中低噪声放大器具有较大的相对带宽。

2、第一方面，提供一种低噪声放大器，包括：输入级放大电路，输入级放大电路包括：射频输入端；第一电感，第一电感的第一端电连接于射频输入端，第一电感的第二端接地；第一电容，第一电容的第一端电连接于射频输入端；第二电感，第二电感的第一端电连接于第一电容的第二端，第二电感的第二端电连接于第一偏置电压端；第三本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，

10.根据权利要求1...

【技术特征摘要】

1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的低噪声放大器，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明名，丘启霖，邓伟，赵夫源，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：