电子器件制造用水溶液、制造抗蚀剂图案的方法及制造器件的方法技术

技术编号：40652172 阅读：3 留言：0更新日期：2024-03-13 21:29

[问题]本发明专利技术提供一种电子器件制造用水溶液，其可防止图案崩塌、或抑制抗蚀剂图案宽度的不均匀性。[解决方案]一种电子器件制造用水溶液，其包含烷基羧酸化合物(A)、及溶剂(B)：其中，烷基羧酸化合物(A)以式(a)表示：A<subgt;1</subgt;‑COOH式(a)，式中，A<subgt;1</subgt;为C<subgt;3‑12</subgt;烷基；且溶剂(B)包含水。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种电子器件制造用水溶液、制造抗蚀剂图案的方法及制造器件的方法。

技术介绍

1、近年来lsi的高集成化的需求提高，寻求图案的精细化。为了对应这样的需求，正在将使用短波长的krf准分子激光(248nm)、arf准分子激光(193nm)、极紫外线(euv；13nm)、x射线、电子束等的光刻工序实用化。为了对应这样的抗蚀剂图案的精细化，对于在精细加工时作为抗蚀剂使用的感光性树脂组合物，也需要具有高分辨率。虽然以短波长的光进行曝光可形成更精细的图案，但为了形成非常精细的结构，精细图案的崩塌等成品率成为问题。

2、这样的状况中，专利文献1中探讨了与以往的含有表面活性剂的体系同样地图案崩塌裕度(margin)、缺陷、lwr等性能优异，在溶化方面也具有优异特性的光刻用清洗液。

3、另外，作为不一样的尝试，也探讨了使用含有氟的表面活性剂(专利文献2及专利文献3)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、[专利文献1]：日本特开2014-219577号公报

7、[专利文献2]：国际公开2018/095885号

8、[专利文献3]：国际公开2017/220479号

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题

2、专利技术人等认为如今仍存在需要改良的一个或多个课题。它们可举出例如如下：减少精细的抗蚀剂图案中缺陷；抑制抗蚀剂图案中产生桥；在精细的抗蚀剂图案中防止抗蚀剂图案崩塌；抑制抗蚀剂图案宽度的

3、本专利技术是基于如上所述的技术背景完成的，提供一种电子器件制造用水溶液。

4、用于解决技术问题的方案

5、本专利技术的电子器件制造用水溶液包含烷基羧酸化合物(a)、及溶剂(b)；其中，烷基羧酸化合物(a)以式(a)表示；且溶剂(b)包含水。

6、a1-cooh式(a)

7、式中，a1为c3-12烷基。

8、本专利技术的制造抗蚀剂图案的方法为使用上述电子器件制造用水溶液的方法。

9、本专利技术的制造器件的方法包括上述制造抗蚀剂图案的方法。

10、专利技术效果

11、通过使用本专利技术的电子器件制造用水溶液，可期待下述一个或多个效果。

12、可减少精细的抗蚀剂图案中缺陷。可抑制在抗蚀剂图案中产生桥。可在精细的抗蚀剂图案中防止抗蚀剂图案崩塌。可抑制抗蚀剂图案宽度的不均匀性。可减少去除电子器件制造用水溶液后的残渣。可降低电子器件制造用水溶液的表面张力。可降低电子器件制造用水溶液的环境影响。可降低电子器件制造用水溶液的处理的危险性。可使电子器件制造用水溶液的保存稳定性变优异。可减低电子器件制造用水溶液对抗蚀剂图案造成的影响。

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【技术保护点】

1.一种电子器件制造用水溶液，其包含烷基羧酸化合物(A)、及溶剂(B)：其中，烷基羧酸化合物(A)以式(a)表示；且溶剂(B)包含水；

2.根据权利要求1所述的电子器件制造用水溶液，其进一步包含含氮化合物(C)。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件制造用水溶液，其中，以电子器件制造用水溶液为基准，烷基羧酸化合物(A)的含量为0.01～10质量％；

4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的电子器件制造用水溶液，其进一步包含含羟基化合物(D)；优选地，进一步包含表面活性剂(E)。

5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的电子器件制造用水溶液，其进一步包含添加物(F)；

6.根据权利要求1至5中一项或多项所述的电子器件制造用水溶液，其为半导体制造用水溶液：

7.一种抗蚀剂图案的制造方法，其使用权利要求1至6中一项或多项所述的电子器件制造用水溶液。

8.一种制造抗蚀剂图案的方法，其包括下述步骤：

9.根据权利要求8所述的制造抗蚀剂图案的方法，其中，所述感光性树脂组合物为化学放大型感光性树脂组

10.根据权利要求7至9中一项或多项所述的制造抗蚀剂图案的方法，其中，一个电路单元中的抗蚀剂图案的最小空间尺寸为10～30nm。

11.一种制造器件的方法，其包括根据权利要求7至10中任一项所述的制造抗蚀剂图案的方法。

12.根据权利要求11所述的制造器件的方法，其进一步包括：将用根据权利要求7至10中一项或多项所述的方法所制造的抗蚀剂图案作为掩模进行蚀刻，以对基板进行加工。

13.根据权利要求11或12所述的制造器件的方法，其进一步包括：在经加工的基板上形成布线。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种电子器件制造用水溶液，其包含烷基羧酸化合物(a)、及溶剂(b)：其中，烷基羧酸化合物(a)以式(a)表示；且溶剂(b)包含水；

2.根据权利要求1所述的电子器件制造用水溶液，其进一步包含含氮化合物(c)。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件制造用水溶液，其中，以电子器件制造用水溶液为基准，烷基羧酸化合物(a)的含量为0.01～10质量％；

4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的电子器件制造用水溶液，其进一步包含含羟基化合物(d)；优选地，进一步包含表面活性剂(e)。

5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的电子器件制造用水溶液，其进一步包含添加物(f)；

6.根据权利要求1至5中一项或多项所述的电子器件制造用水溶液，其为半导体制造用水溶液：

7.一种抗蚀剂图案的制造方法，其使用权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本和磨，八嶋友康，石井牧，柳田浩志，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人