【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学气相沉积，尤其涉及一种多步化学气相沉积衬底样品隔离装置。
技术介绍
1、过渡金属硫族化合物(tmds)二维异质结在低功耗、高性能和柔性电光器件中具有巨大的应用潜力；虽然可以通过范德瓦尔斯堆叠不同的二维材料堆叠垂直异质结，但制备具有多个结的高质量面内异质结(超晶格)仍是一个挑战。
2、化学气相沉积(cvd)是一种常用的制备二维材料和异质结的方法，利用高温使石英管内的反应源分解并在衬底上发生反应，形成薄膜材料，具有生长速度快、均匀性好、可控性强等优点。
3、利用cvd系统制备tmds面内异质结(超晶格)的方法分大体为两类：一步法和多步法。一步cvd法关键于材料在生长条件上必须具有明显差异，利于这一差异通过调控生长条件，达到在不取出样品的前提下生长出二维面内异质结的目的。然而，这个方法的不足在于必须有某种条件作为面内异质结生长的“开关”，否则一步生长无法达成，而且一步cvd法生长的异质结的界面处不够锐利，存在明显的合金化。多步cvd法进行多结面内异质结的合成时需要多次更换反应源或石英管，优点是设计好生...
【技术保护点】
1.一种多步化学气相沉积衬底样品隔离装置，其特征在于，所述多步化学气相沉积衬底样品隔离装置包括管式炉、真空组件、板阀、隔离腔和传样杆；
2.根据权利要求1所述的多步化学气相沉积衬底样品隔离装置，其特征在于，所述传样杆包括第一端和第二端，所述第一端位于所述管式炉的内部，所述第二端位于所述管式炉的外部；所述第一端上设有夹具，通过所述第二端控制所述夹具的开合。
3.根据权利要求2所述的多步化学气相沉积衬底样品隔离装置，其特征在于，所述真空组件为真空法兰，所述真空法兰上设有圆孔，使得所述传样杆可以倾斜角度移动，从而调整所述夹具的位置。
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【技术特征摘要】
1.一种多步化学气相沉积衬底样品隔离装置，其特征在于，所述多步化学气相沉积衬底样品隔离装置包括管式炉、真空组件、板阀、隔离腔和传样杆；
2.根据权利要求1所述的多步化学气相沉积衬底样品隔离装置，其特征在于，所述传样杆包括第一端和第二端，所述第一端位于所述管式炉的内部，所述第二端位于所述管式炉的外部；所述第一端上设有夹具，通过所述第二端控制所述夹具的开合。
3.根据权利要求2所述的多步化学气相沉积衬底样品隔离装置，其特征在于，所述真空组件为真空法兰，所述真空法兰上设有圆孔，使得所述传样杆可以倾斜角度移动，从而调整所述夹具的位置。
4.根据权利要求2所述的多步化学气相沉积衬底样品隔离装置，其特征在于，所述多步化学气相沉积衬底样品隔离装置还包括用于放置所述衬底样品的容器，所述容器置于所述石英管中，所述容器...
【专利技术属性】
技术研发人员：申德振，邓祺鑫，景鹏涛，詹达，闫家旭，鲍洋，徐辑廉，徐海，刘雷，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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