【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体零部件的，尤其涉及一种延长蚀刻装置寿命的处理方法。
技术介绍
1、在半导体芯片生产的蚀刻工艺中，晶圆片表面蚀刻胶受高能粒子轰击-飞溅-转移-粘附的全过程，最终会逐渐累积到腔体部件表面，且逐渐加厚，为保证产品安全，需周期性对腔体内壁进行清理，因此整个腔体设备会经常需要拆装，中断生产，影响效率，同时后续的清洗工艺也会对腔体设备造成损伤，降低其使用寿命，所以造成生产成本的极大浪费。
2、另外，由于高能粒子轰击晶圆片表面会造成大面积的蚀刻胶材料飞溅，溅出的蚀刻胶会逐渐粘附到机台内腔的四周，且逐渐累积。当材料积累到一定程度时，重力超出与腔体内壁件间的附着力，最终掉落到生产中的晶圆上造成损伤。
3、考虑到该方面不足，一方面，若是清理不及时，极易造成产品损伤报废，影响产品整体质量；另一方面，若是保证产品安全，则需要经常性停产，对整个腔室部件拆除清洁，影响生产效率，总体上芯片正常生产就会增加更多的额外费用，也不利于大规模连续生产。
4、为延长蚀刻反应腔室部件的使用寿命，提高整体的生产效率，目前工艺中会对基体增加阳极氧化的表面处理，提高表面耐磨性能，提高各部件的使用寿命，提升溅射出的蚀刻胶与腔体内壁表面间的结合强度。
5、但采用阳极氧化改进还存在以下缺点：效果单一，单纯依靠喷砂带来的粗糙度，粗糙度较低；喷砂外形为不规则圆形凹坑，该结构下无法提供更强的抓持力，结果是飞溅粘附的蚀刻胶易掉落影响产品质量，或需要经常性停产更换清洗，影响生产效率。
6、综上所述，针对上述问题，
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种延长蚀刻装置寿命的处理方法，所述处理方法提高了蚀刻部件与溅射蚀刻胶的结合强度，延长其粘滞时间，避免其轻易掉落影响产品质量，保证生产安全和产品质量，同时也降低了蚀刻腔室部件的更换清洗频率，提高生产效率，节约生产成本。
2、为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种延长蚀刻装置寿命的处理方法，所述处理方法包括：
4、采用滚花轮由内到外对所述蚀刻装置的内壁表面进行滚花处理，形成花纹结构；
5、本专利技术中，对所述蚀刻装置的内壁上半表面进行滚花处理(如图1所示)。
6、本专利技术所述由内到外中的内外指的是蚀刻装置z方向的内外。
7、本专利技术所述处理方法改进了滚花轮的碾压方向，设置滚花轮由内到外进行滚花，采用滚花刀在蚀刻腔体部件内的关键位置利用滚花轮由内到外碾压成型的方式，增大开始时的吃刀压力，减少滚花刀表面接触面积，避免乱花导致产品异常，同时碾压成型的花纹具有一定的深度及外型，能够提升蚀刻装置表面与溅射蚀刻胶间的粘附结合力，使之不易脱落，避免其轻易掉落影响产品质量，保证生产安全和产品质量，同时也避免较高频次更换部件带来的生产效率的降低。
8、作为本专利技术优选的技术方案，所述花纹的结构包括四棱台型。
9、优选地，所述花纹的外表面设置有褶皱，且花纹的外表面粗糙度为5-15μm，例如可以是6μm、8μm、10μm、12μm、13μm或14μm等，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
10、值得说明的是，本专利技术得到的为四棱台型花纹，且外表面设置有褶皱，可以进一步提升蚀刻装置表面与溅射蚀刻胶间的粘附结合力，使之不易脱落，且其没有尖端，大大降低了尖端放电的频率。
11、作为本专利技术优选的技术方案，所述花纹的深度为0.35-0.5mm，例如可以是0.37mm、0.39mm、0.4mm、0.42mm、0.44mm、0.45mm、0.46mm或0.48mm等，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
12、本专利技术将花纹深度控制在特定范围内，使得蚀刻装置的内壁表面粗糙度适中，避免蚀刻胶掉落，同时避免发生尖端放电的现象。
13、优选地，所述花纹的密度为15-20tpi，例如可以是16tpi、17tpi、18tpi或19tpi等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
14、作为本专利技术优选的技术方案，所述滚花轮与所述蚀刻装置之间的夹角为90°。
15、优选地，所述滚花轮的下压量为4-4.2mm，例如可以是4.02mm、4.05mm、4.07mm、4.09mm、4.1mm、4.12mm、4.15mm或4.17mm等，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
16、优选地，所述滚花轮的底部形状为梯形。
17、值得说明的是，本专利技术采用底部特定结构的滚花轮，结合特定的下压量，使得每次加工出来的花纹深度都均匀一致，且通过滚花轮挤压使得花纹的外表面有褶皱，提升了蚀刻装置表面与溅射蚀刻胶间的粘附结合力；同时加工出的一定花纹深度，也进一步提升了蚀刻装置表面与溅射蚀刻胶间的粘附结合力，使之不易脱落。
18、作为本专利技术优选的技术方案，所述蚀刻装置的内壁表面滚花区域的宽度为140-160mm，例如可以是142mm、144mm、145mm、146mm、148mm、150mm、152mm、154mm、155mm、156mm或158mm等，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
19、作为本专利技术优选的技术方案，所述滚花处理中蚀刻装置的转速为30-40rpm，例如可以是31rpm、32rpm、33rpm、34rpm、35rpm、36rpm、37rpm、38rpm或39rpm等，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
20、优选地，所述滚花处理中蚀刻装置的进给量为0.3-0.4mm，例如可以是0.31mm、0.32mm、0.32mm、0.33mm、0.34mm、0.35mm、0.37mm或0.39mm等，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
21、本专利技术中，通过使蚀刻装置旋转，结合将蚀刻装置的转速和进给量控制在特定范围内，通过滚花轮对蚀刻装置表面产生压力，使得蚀刻装置表面压出花纹。
22、作为本专利技术优选的技术方案，所述滚花处理过程中同时喷淋润滑液与冷却液。
23、优选地，所述润滑液包括甘油、硅油或煤油中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性的有：甘油和硅油的组合，硅油和煤油的组合或甘油、硅油和煤油的组合等。
24、优选地，所述冷却液包括水、乙二醇或甲醇中的任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性的有：水和乙二醇的组合，乙二醇和甲醇的组合或水、乙二醇和甲醇的组合等。
25、作为本专利技术优选的技术方案，在进行所述滚花处理前还包括：将所述蚀刻装置固定于加工平台的夹具上，对所述蚀刻装置的圆度和平本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种延长蚀刻装置寿命的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：采用滚花轮由内到外对所述蚀刻装置的内壁表面进行滚花处理，形成花纹结构。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述花纹的结构包括四棱台型；
3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述花纹的深度为0.35-0.5mm；
4.根据权利要求1-3任一项所述的处理方法，其特征在于，所述滚花轮与所述蚀刻装置之间的夹角为90°；
5.根据权利要求1-4任一项所述的处理方法，其特征在于，所述蚀刻装置的内壁表面滚花区域的宽度为140-160mm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的处理方法，其特征在于，所述滚花处理中蚀刻装置的转速为30-40rpm；
7.根据权利要求1-6任一项所述的处理方法，其特征在于，所述滚花处理过程中同时喷淋润滑液与冷却液；
8.根据权利要求1-7任一项所述的处理方法，其特征在于，在进行所述滚花处理前还包括：将所述蚀刻装置固定于加工平台的夹具上，对所述蚀刻装置的圆度和平面度进行确认。
9.根据
10.根据权利要求1-9任一项所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种延长蚀刻装置寿命的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：采用滚花轮由内到外对所述蚀刻装置的内壁表面进行滚花处理，形成花纹结构。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述花纹的结构包括四棱台型；
3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述花纹的深度为0.35-0.5mm；
4.根据权利要求1-3任一项所述的处理方法，其特征在于，所述滚花轮与所述蚀刻装置之间的夹角为90°；
5.根据权利要求1-4任一项所述的处理方法，其特征在于，所述蚀刻装置的内壁表面滚花区域的宽度为140-160mm。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，沈洪立，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。