【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体设备领域，具体涉及一种托盘结构及其外延生长设备。
技术介绍
1、在半导体器件生产过程中，通常需要进行大量的微加工。目前常采用化学气相沉积、物理气相沉积等工艺方式对半导体工艺件或衬底进行微加工，例如制造柔性显示屏、平板显示器、发光二极管、太阳能电池等。微加工制造包含多种不同的工艺和步骤，其中，应用较为广泛的为化学气相沉积工艺，该工艺可以沉积多种材料，包括大范围的绝缘材料、大多数金属材料和金属合金材料，例如将诸如硅、碳化硅、氧化锌等材料沉积在衬底或其它表面上。
2、在衬底处理过程中，多种工艺条件都会对基片表面处理质量造成影响，例如在外延生长半导体材料的过程中，衬底所在基座的转速、衬底的加热温度场情况、反应腔内气体流动情况等，它们直接决定了外延生长的质量。在实际应用中，反应腔内的工艺条件往往较为复杂，很难实现各类因素的最优条件协同。例如业内通常采用高转速以保证衬底外延生长的均匀性和一致性，并辅以高温以提升外延生长的质量。然而在高温高速旋转的环境下，衬底的上表面与背面所面临的气流压力有所不同，且较高的转速会使衬底具有较大的离心力，多种因素综合使得衬底在工艺进程中的稳定性无法保证，很容易发生飞片现象。因此，目前的薄膜处理装置仍无法满足对薄膜处理质量的要求，需要对其进行改进以满足相应的生产需求。
3、可以理解的是，上述陈述仅提供与本技术有关的
技术介绍
，而并不必然地构成现有技术。
技术实现思路
1、基于前述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种托盘结构及其
2、为了达到上述目的，本技术通过以下技术方案实现：
3、一种用于外延生长设备的托盘结构，包含：
4、基座，其可设置于一旋转座上，所述基座的上表面包含一限位结构，所述限位结构包围形成一凹陷部；
5、衬底支撑件，至少部分地位于所述凹陷部内，用于承载一衬底，所述衬底支撑件包括一倾斜上表面，所述倾斜上表面包括环绕所述衬底的内圈区域，至少部分所述内圈区域的高度高于所述衬底上表面的高度。
6、可选的，所述衬底支撑件包括支撑结构和环绕所述支撑结构的基体环，所述基体环和所述支撑结构一体设置，所述支撑结构用于支撑衬底，所述基体环环绕设置在所述衬底的外围，所述基体环的上表面包括所述倾斜上表面。
7、可选的，所述衬底支撑件包含：
8、承载件，其设置于所述凹陷部内，用于支撑衬底；
9、内环，其设置于所述承载件上方，所述内环环绕设置在所述衬底的外围，所述内环的上表面包括所述倾斜上表面。
10、可选的，所述内环包括环绕衬底的内侧壁和靠近所述限位结构的外侧壁，所述外侧壁的高度大于所述内侧壁的高度；
11、或，所述内环的下表面为水平面。
12、可选的，所述承载件的上表面设有若干防飞片件，所述内环对应开设有若干开口，所述防飞片件穿过所述开口伸出所述内环的上表面。
13、可选的，当所述衬底置于所述衬底支撑件内时，所述衬底支撑件靠近所述衬底边缘的上表面与所述衬底的上表面高度差小于或等于2mm。
14、可选的，所述衬底支撑件的上表面设有若干防飞片件，所述防飞片件的上表面高于所述衬底的上表面。
15、可选的，当所述衬底置于所述衬底支撑件内时，所述衬底支撑件靠近所述衬底边缘的至少部分内圈区域低于或等于所述衬底的上表面。
16、可选的，所述防飞片件均匀或非均匀地沿所述衬底支撑件周向设置。
17、可选的，所述防飞片件为柱体或环形柱体或锥体或多面柱体或不规则立方体。
18、可选的，所述衬底支撑件的内侧壁包围形成容纳衬底的容纳槽，所述衬底支撑件的内侧壁的至少部分区域包括一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述容纳槽的底部表面之间的夹角小于90°。
19、可选的，所述衬底支撑件的内侧壁的至少部分区域包括一竖直侧壁，所述竖直侧壁的一端与所述倾斜侧壁相连，其另一端与所述容纳槽的底部表面相连。
20、可选的，所述衬底支撑件的内侧壁与所述衬底支撑件的上表面之间设置一弧形倒角。
21、可选的，所述衬底支撑件的下表面和所述凹陷部的至少部分上表面之间设置有间隙。
22、可选的，所述衬底支撑件、所述衬底支撑件与所述基座之间、所述基座中的任意一个或多个上开设有第一气体通道，所述第一气体通道贯通衬底背面与衬底上表面之间的空间。
23、可选的，所述基座、所述基座与所述旋转座之间、所述旋转座中的任意一个或多个上开设有第二气体通道，所述第二气体通道贯通所述旋转座内部与外部的空间。
24、可选的，所述托盘结构的至少两个相邻部件之间包含限位组件，所述限位组件用于防止两相邻部件之间发生相互滑动。
25、可选的，所述衬底支撑件的上表面包含应力释放结构。
26、可选的，所述衬底支撑件包括定位匹配结构，所述定位匹配结构靠近所述衬底的定位边或定位槽设置，用于限制衬底相对于衬底支撑件转动。
27、可选的，所述衬底支撑件包含设置于所述限位结构上方的覆盖环。
28、可选的，还包含：
29、外圈盖板，其至少部分区域环绕覆盖所述基座的外周边缘。
30、可选的，一种外延生长设备，包含：
31、反应室；
32、前述的用于承载衬底的托盘结构，其设置于所述反应室内。
33、本技术与现有技术相比具有以下优点：
34、本技术的一种托盘结构及其外延生长设备中，该托盘结构对衬底支撑件进行了改进，通过衬底支撑件的倾斜上表面进一步降低了衬底飞片的可能性，增加了衬底在工艺过程中的稳定性，有助于提高工艺成功率，降低破片的风险。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于外延生长设备的托盘结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
3.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，所述衬底支撑件包含：
4.如权利要求3所述的托盘结构，其特征在于，
5.如权利要求3所述的托盘结构，其特征在于，
6.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
7.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
8.如权利要求7所述的托盘结构，其特征在于，
9.如权利要求7所述的托盘结构，其特征在于，
10.如权利要求5或7所述的托盘结构，其特征在于，
11.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
12.如权利要求11所述的托盘结构，其特征在于，
13.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
14.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
15.如权利要求1或14所述的托盘结构，其特征在于，
16.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
17.如权
18.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
19.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
20.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
21.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，还包含：
22.一种外延生长设备，其特征在于，包含：
...【技术特征摘要】
1.一种用于外延生长设备的托盘结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
3.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，所述衬底支撑件包含：
4.如权利要求3所述的托盘结构，其特征在于，
5.如权利要求3所述的托盘结构，其特征在于，
6.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
7.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
8.如权利要求7所述的托盘结构，其特征在于，
9.如权利要求7所述的托盘结构，其特征在于，
10.如权利要求5或7所述的托盘结构，其特征在于，
11.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：张昭，郑振宇，王家毅，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。