【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子电路，尤其涉及一种高压预调制电路。
技术介绍
1、在论文：刘雷.高压ldo的研究与设计[d].电子科技大学,2021.和论文：杨琴,黄正午,覃川,杨汉飞,罗逍.基于lin总线的车载电子钟控制系统设计与研发[j].时代汽车,2022(03):116-118.记载道：车载lin总线芯片的电源电压往往由汽车锂电池提供，该电源噪声大电压高无法直接为lin总线芯片内部例如带隙基准、低压差线性稳压器等模块提供一个稳压的电源，所以高压预调制电路被设计作为汽车锂电池与lin总线芯片之间的缓冲级。汽车锂电池产生的差电源通过高压预调电路预处理后可以输出一个相对良好的电源电压，该电压往往作为高压场景下的内部电源为带隙基准等模块供电。但目前还存在着可输入电源电压范围窄、线性度较差、温度漂移较大、电源抑制比低的问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种高压预调制电路。解决现有技术可输入电源电压范围窄、线性度较差、温度漂移较大、电源抑制比低的问题，具有电源抑制比更高，随温度变化幅度小的优点。
2、为了实现上述技术目的，本技术采用技术方案具体为：
3、一种高压预调制电路，由电源vdd，场效应管p1、场效应管p2、场效应管p3、场效应管hn1、场效应管hn2、场效应管hn3、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电阻r6、电阻r7、电阻r8、电阻r9、电阻r10、场效应管hp1、场效应管hp2、场效应管n1、场效应管n2、场效应管n3、场效应管n4、场效应
4、偏置电路由场效应管p1、场效应管p2、场效应管p3、电阻r4、场效应管hn3、场效应管n4、场效应管n5构成：
5、场效应管p1的s极接电源vdd，g极和d极相连，并连接到场效应管p2的s极，场效应管p2的g极和d极相连，并连接到场效应管p3的s极，场效应管p3的g极和d极相连，并连接到场效应管hn3的s极，场效应管hn3的g极连接到场效应管n4的g极，d极连接到场效应管n5的s极，场效应管n5的g极和场效应管n4的g极相连，电阻r4一端连接到电源vdd，另一端连接到场效应管n4的d极，场效应管n4的s极接地。
6、高压运放电路由电阻r1、电阻r2、电阻r3、场效应管hp1、场效应管hp2、场效应管hn2、场效应管n1、场效应管n2、三极管npn1、三极管npn2、场效应管n3、电阻r10构成：
7、电阻r1一端接vdd，另一端分别接到电阻r2和电阻r3，电阻r2接到场效应管hp1的s极，g极和d极相连，并连到场效应管hn2的d极，并连接到电阻p3的g极，场效应管nh2的s极接到场效应管n1的d极，s极接三极管npn1的集电极，三极管npn1的基极接vref，发射极接场效应管n3的d极以及电阻r10，电阻r10一端接地，场效应管n3的s极接地，g极接场效应管n4的d极，电阻r3连接到场效应管hp2的s极，g极连接到场效应管hp1的g极，场效应管hp2的d极连接到场效应管n2的d极，场效应管n2的s极连接三极管npn2的集电极，场效应管n2的g极接场效应管n1的g极，三极管npn2的发射极连接三极管npn1的发射极。
8、调整管为n型场效应管hn1。
9、电阻反馈网络由电阻r5、电阻r6、电阻r7、电阻r8、电阻r9构成：
10、电阻r5一端接vdd，另一端接场效应管hn1的d极，g极接场效应管hp2的d极，s极接电阻r6以及场效应管hn2的g极，电阻r6一端接电阻r7以及场效应管n2的g极，电阻r7一端接电阻r9以及电阻r8，电阻r9一端接三极管npn2的基极，电阻r8一端接地。
11、电源vdd电压至少大于12v。
12、与现有技术相比，本技术的有益效果为：
13、1.为车载芯片提供电源电压的是车载锂电池，锂电池的电压至少在12v以上，使用了高压工艺(high voltage process)，所以可以实现高耐压，可承受高达55v的电压。
14、2.相对传统的预降压电路，本技术的预降压电路输出的电压更加线性、平滑、稳定。
15、3.相对传统的预降压电路，本技术的预降压电路，可选择的输入的电源电压范围更宽。
16、4.相对传统的预降压电路，本技术的预降压电路，电源抑制比更高。
17、5.相对传统的预降压电路，本技术的预降压电路，随温度变化幅度小。
18、6.使用类型为n型场效应管hn1作为ldo的调整管，优点1，nmos和反馈电阻等效为缓冲器驱动能力更强。优点2，nmos的多数载流子为电子pmos的多数载流子为空穴。而电子的迁移率是空穴的数倍，所以nmos做调整管的导电能力更强。优点3，pmos的源极接电源其工作状态很容易受电源电压的变化而变化，所以nmos比pmos的电源抑制比更好。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高压预调制电路，其特征在于，由电源VDD，场效应管P1、场效应管P2、场效应管P3、场效应管HN1、场效应管HN2、场效应管HN3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、场效应管HP1、场效应管HP2、场效应管N1、场效应管N2、场效应管N3、场效应管N4、场效应管N5、三极管NPN1、三极管NPN2组成，包括：偏置电路、高压运放电路、调整管、电阻反馈网络构成，偏置电路为高压运放提供电流电压偏置，高压运放输出控制调整管G端，然后调整管S端与电阻R6相连返回高压运放的输入端，最终，构成负反馈，在调整管的S端输出预降压的电压提供给芯片内部。
2.根据权利要求1所述的一种高压预调制电路，其特征在于，偏置电路由场效应管P1、场效应管P2、场效应管P3、电阻R4、场效应管HN3、场效应管N4、场效应管N5构成：
3.根据权利要求1所述的一种高压预调制电路，其特征在于，高压运放电路由电阻R1、电阻R2、电阻R3、场效应管HP1、场效应管HP2、场效应管HN2、场效应管N1、场效应管N2、三极管NP
4.根据权利要求1所述的一种高压预调制电路，其特征在于，调整管为N型场效应管HN1。
5.根据权利要求1所述的一种高压预调制电路，其特征在于，电阻反馈网络由电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9构成：
6.根据权利要求1所述的一种高压预调制电路，其特征在于，电源VDD电压至少大于12V。
...【技术特征摘要】
1.一种高压预调制电路，其特征在于，由电源vdd，场效应管p1、场效应管p2、场效应管p3、场效应管hn1、场效应管hn2、场效应管hn3、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、电阻r5、电阻r6、电阻r7、电阻r8、电阻r9、电阻r10、场效应管hp1、场效应管hp2、场效应管n1、场效应管n2、场效应管n3、场效应管n4、场效应管n5、三极管npn1、三极管npn2组成，包括：偏置电路、高压运放电路、调整管、电阻反馈网络构成，偏置电路为高压运放提供电流电压偏置，高压运放输出控制调整管g端，然后调整管s端与电阻r6相连返回高压运放的输入端，最终，构成负反馈，在调整管的s端输出预降压的电压提供给芯片内部。
2.根据权利要求1所述的一种高压预调制电路，其特征在于，偏置电路...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。