System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 触控面板和显示装置制造方法及图纸_技高网

触控面板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:40636878 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-13 21:20
本申请公开了一种触控面板和显示装置,触控面板包括衬底、多个第一触控电极、连接件、多个第二触控电极、桥接件和静电释放件,第一触控电极包括多个第一子电极;连接件与第一触控电极同层设置,并连接相邻两第一子电极;第二触控电极与第一触控电极同层设置,第二触控电极包括多个第二子电极,第二子电极与连接件绝缘;桥接件与第一触控电极异层设置,桥接件连接相邻两第二子电极,桥接件在衬底上的正投影与连接件在衬底上的正投影部分重叠,桥接件与连接件绝缘;静电释放件与桥接件、连接件两者中的至少一者同层设置,且位于桥接件、连接件两者中的至少一者的外围。本申请减小了静电释放对触控面板的影响,提高了触控面板的抗静电能力。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及触控,具体涉及一种触控面板和显示装置


技术介绍

1、触控面板常常应用于显示装置(智能手机、平板电脑),目前获得较多使用的触控面板为电容式触控面板。电容式触控面板是一种利用手指接近触控面板时产生的电容变化,获取手指在触控面板上的触控坐标以实现触控操作的装置。

2、但触控面板在生产和使用过程中会受到静电释放(electro-static discharge,esd)的影响,导致触控面板产生触控失灵的现象。

3、故,有必要提出一种新的技术方案,以解决上述技术问题。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种触控面板和显示装置,减小了静电释放对触控面板的影响,提高了触控面板的抗静电能力。

2、为解决上述问题,本申请的技术方案如下:

3、第一方面,本申请提出了一种触控面板,包括:

4、衬底;

5、多个第一触控电极,设于所述衬底上,所述第一触控电极包括多个沿第一方向间隔设置的第一子电极,其中,多个所述第一触控电极沿第二方向间隔设置,相邻两个所述第一触控电极绝缘,所述第二方向与所述第一方向相交;

6、连接件,与所述第一触控电极同层设置,并位于相邻两所述第一子电极之间,其中,同一所述第一触控电极的多个所述第一子电极在所述第一方向上通过所述连接件电连接;

7、多个第二触控电极,与所述第一触控电极同层设置,并与所述第一触控电极绝缘,所述第二触控电极包括多个沿所述第二方向间隔设置的第二子电极,相邻两所述第二子电极之间设有所述连接件,所述第二子电极与所述连接件绝缘,其中,多个所述第二触控电极沿所述第一方向间隔设置,相邻两个所述第二触控电极绝缘;

8、桥接件,与所述第一触控电极异层设置,所述桥接件在所述衬底上的正投影与所述连接件在所述衬底上的正投影部分重叠,所述桥接件与所述连接件绝缘,其中,同一所述第二触控电极的多个所述第二子电极在所述第二方向上通过所述桥接件电连接;和

9、静电释放件,与所述桥接件、所述连接件两者中的至少一者同层设置,且位于所述桥接件、所述连接件两者中的至少一者的外围。

10、在本申请的一实施例中,所述静电释放件包括:

11、第一释放件,与所述连接件同层设置,并位于所述连接件的外围,所述第一释放件与所述连接件绝缘;和

12、第二释放件,与所述桥接件同层设置,并位于所述桥接件的外围,所述第二释放件与所述桥接件绝缘。

13、在本申请的一实施例中,所述第一释放件包括多个间隔设置的第一导电块,所述第二释放件包括多个第二导电块;

14、其中,所述第一导电块位于所述连接件的一侧,并与所述连接件绝缘,所述第一导电块在所述衬底上的正投影与所述桥接件在所述衬底上的正投影不重叠;

15、所述第二导电块位于所述桥接件的一侧,并与所述桥接件绝缘,所述第二导电块在所述衬底上的正投影与所述连接件在所述衬底上的正投影不重叠。

16、在本申请的一实施例中,所述第一导电块在所述衬底上的正投影位于所述连接件在所述衬底上的正投影与所述桥接件在所述衬底上的正投影的重叠部分的外围,所述第二导电块在所述衬底上的正投影位于所述连接件在所述衬底上的正投影与所述桥接件在所述衬底上的正投影的重叠部分的外围。

17、在本申请的一实施例中,所述连接件在所述衬底上的正投影和所述桥接件在所述衬底上的正投影的二者之一位于相邻的两个所述第一导电块在所述衬底上的正投影之间;

18、所述连接件在所述衬底上的正投影和所述桥接件在所述衬底上的正投影的二者之一位于相邻的两个所述第二导电块在所述衬底上的正投影之间。

19、在本申请的一实施例中,所述连接件的一侧设有凸出部,所述凸出部的外端到所述第一导电块的距离小于所述连接件的侧面到所述第一导电块的距离。

20、在本申请的一实施例中,所述第一导电块在所述衬底上的正投影和所述第二导电块在所述衬底上的正投影至少部分重叠。

21、在本申请的一实施例中,所述触控面板还包括第一绝缘层和第二绝缘层;

22、所述桥接件和所述第二释放件间隔设置在所述衬底上,其中,所述第一绝缘层设置在衬底上,并覆盖所述桥接件和所述第二释放件,所述第一绝缘层的一部分设于所述桥接件和所述第二释放件之间,所述桥接件和所述第二释放件的间距小于所述桥接件的宽度;

23、所述连接件和所述第一释放件间隔设置在所述第一绝缘层上,其中,所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上,并覆盖所述连接件和所述第一释放件,所述第二绝缘层的一部分设于所述连接件和所述第一释放件之间,所述连接件和所述第一释放件的间距小于所述连接件的宽度。

24、在本申请的一实施例中,所述静电释放件与所述桥接件同层设置,所述静电释放件与所述桥接件绝缘;或,所述静电释放件与所述连接件同层设置,所述静电释放件与所述连接件绝缘。

25、第二方面,本申请提出了一种显示装置,显示装置包括触控面板,触控面板包括:衬底;第一触控电极,设于所述衬底上,包括多个沿第一方向间隔设置的第一子电极;连接件,与所述第一触控电极同层设置,并位于相邻两所述第一子电极之间,所述连接件连接相邻两所述第一子电极;第二触控电极,与所述第一触控电极同层设置,并与所述第一触控电极绝缘,所述第二触控电极包括多个沿第二方向间隔设置的第二子电极,相邻两所述第二子电极之间设有所述连接件,所述第二子电极与所述连接件绝缘,其中,所述第二方向与所述第一方向相交;桥接件,与所述第一触控电极异层设置,所述桥接件连接相邻两所述第二子电极,所述桥接件在所述衬底上的正投影与所述连接件在所述衬底上的正投影部分重叠,所述桥接件与所述连接件绝缘;和静电释放件,与所述桥接件、所述连接件两者中的至少一者同层设置。

26、在本申请中,桥接件和连接件两者中的至少一者同层设置有静电释放件,当静电释放件与桥接件同层设置时,同层的静电释放件与桥接件形成静电释放路径;当静电释放件与连接件同层设置时,同层的静电释放件与连接件形成静电释放路径。当触控面板发生静电释放时,新增的静电释放路径能提高静电释放效率,避免异层设置的连接件和桥接件之间的绝缘层被击穿,防止连接件和桥接件因静电击穿而炸伤,减小了静电释放对触控面板的影响,提高了触控面板抗静电能力。

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【技术保护点】

1.一种触控面板,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的触控面板,其特征在于,所述静电释放件包括:

3.如权利要求2所述的触控面板,其特征在于,所述第一释放件包括多个间隔设置的第一导电块,所述第二释放件包括多个第二导电块;

4.如权利要求3所述的触控面板,其特征在于,所述第一导电块在所述衬底上的正投影位于所述连接件在所述衬底上的正投影与所述桥接件在所述衬底上的正投影的重叠部分的外围,所述第二导电块在所述衬底上的正投影位于所述连接件在所述衬底上的正投影与所述桥接件在所述衬底上的正投影的重叠部分的外围。

5.如权利要求4所述的触控面板,其特征在于,所述连接件在所述衬底上的正投影和所述桥接件在所述衬底上的正投影的二者之一位于相邻的两个所述第一导电块在所述衬底上的正投影之间;

6.如权利要求5所述的触控面板,其特征在于,所述连接件的一侧设有凸出部,所述凸出部的外端到所述第一导电块的距离小于所述连接件的侧面到所述第一导电块的距离。

7.如权利要求3所述的触控面板,其特征在于,所述第一导电块在所述衬底上的正投影和所述第二导电块在所述衬底上的正投影至少部分重叠。

8.如权利要求2所述的触控面板,其特征在于,所述触控面板还包括第一绝缘层和第二绝缘层;

9.如权利要求1所述的触控面板,其特征在于,所述静电释放件与所述桥接件同层设置,所述静电释放件与所述桥接件绝缘;或,

10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的触控面板。

...

【技术特征摘要】

1.一种触控面板,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的触控面板,其特征在于,所述静电释放件包括:

3.如权利要求2所述的触控面板,其特征在于,所述第一释放件包括多个间隔设置的第一导电块,所述第二释放件包括多个第二导电块;

4.如权利要求3所述的触控面板,其特征在于,所述第一导电块在所述衬底上的正投影位于所述连接件在所述衬底上的正投影与所述桥接件在所述衬底上的正投影的重叠部分的外围,所述第二导电块在所述衬底上的正投影位于所述连接件在所述衬底上的正投影与所述桥接件在所述衬底上的正投影的重叠部分的外围。

5.如权利要求4所述的触控面板,其特征在于,所述连接件在所述衬底上的正投影和所述桥接件在所述衬底上的正投影的二者之一位于相...

【专利技术属性】
技术研发人员:巩厚富王正攀靳增建
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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