System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电荷产生层、叠层发光器件其制备方法和应用技术_技高网

电荷产生层、叠层发光器件其制备方法和应用技术

技术编号:40630506 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-13 21:16
本申请涉及一种电荷产生层、叠层发光器件其制备方法和应用。该电荷产生层包括层叠设置的p型材料层和n型材料层;p型材料层的材料包括钨氧化物和钼氧化物中的至少一种;n型材料层包括层叠设置的第一n型材料子层和第二n型材料子层;第一n型材料子层靠近p型材料层,或,第二n型材料子层靠近p型材料层;第一n型材料子层的材料包括n型半导体氧化物和富勒烯;第二n型材料子层的材料包括Mg。该电荷产生层中各材料的匹配程度较好,其电子迁移率和电子注入的平衡较好;Mg为低功函数金属,能使该电荷产生层具有较高的电荷产生能力。该电荷产生层能够高效地向上下器件分别注入电子和空穴,进而能够得到发光效率和使用寿命较好的叠层发光器件。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及发光器件,特别是涉及一种电荷产生层、叠层发光器件其制备方法和应用


技术介绍

1、有机发光二极管(oled)在全色显示、背光源及固态照明等方面有着广阔的应用前景。oled由于具有器件结构简单、成本低、容易实现大面积制作等优势受到青睐,但其器件性能仍需进一步提升。

2、叠层oled器件结构是实现oled效率和寿命提升的有效手段,具体是由垂直层叠两个或多个电致发光单元构成一个器件,各发光单元之间有电荷产生层(cgl)连接;当从外部电极注入载流子,叠层器件中的电荷产生层能够分别向底层器件注入电子和向顶层器件注入空穴,实现了每个发光单元独立的发光,电流效率达到了单层器件的两倍,器件寿命也有大幅度提高。

3、传统的电荷产生层向上下器件注入电子和空穴的能力较差,制备所得的oled器件的发光效率和器件寿命较低。


技术实现思路

1、基于此,有必要提供一种电荷产生层、叠层发光器件其制备方法和应用,该电荷产生层向上下器件注入电子和空穴的能力较强,能够制备得到发光效率和器件寿命较高的叠层oled器件。

2、第一方面,本申请提供一种电荷产生层,包括层叠设置的p型材料层和n型材料层;

3、所述p型材料层的材料包括钨氧化物和钼氧化物中的至少一种;

4、所述n型材料层包括层叠设置的第一n型材料子层和第二n型材料子层;所述第一n型材料子层靠近所述p型材料层,或,所述第二n型材料子层靠近所述p型材料层;

5、所述第一n型材料子层的材料包括n型半导体氧化物和富勒烯;

6、所述第二n型材料子层的材料包括mg。

7、在一些实施例中,所述n型半导体氧化物包括zno和tio2中的至少一种。

8、在一些实施例中,所述富勒烯包括c20、c60、c70、c76和c80中的至少一种。

9、在一些实施例中,所述第一n型材料子层包括层叠设置的n型半导体氧化物子层和富勒烯子层;

10、或者,所述第一n型材料子层为n型半导体氧化物富勒烯掺杂子层。

11、在一些实施例中,所述n型半导体氧化物富勒烯掺杂子层中,n型半导体氧化物和富勒烯的质量比为1:5~5:1。

12、在其中一个实施例中,所述n型半导体氧化物子层的厚度为10nm~30nm。

13、在其中一个实施例中,所述富勒烯子层的厚度为1nm~5nm。

14、在其中一个实施例中,所述n型半导体氧化物富勒烯掺杂子层的厚度为10nm~30nm。

15、在其中一个实施例中,所述第二n型材料子层的厚度为5nm~15nm。

16、在其中一个实施例中,所述p型材料层子的厚度为10nm~30nm。

17、第二方面,本申请提供一种叠层发光器件,包括依次层叠设置的基板、第一电极层、第一载流子功能层、第一发光层、上述任一所述的电荷产生层、第二发光层、第二载流子功能层和第二电极层。

18、在一些实施例中,叠层发光器件包括依次层叠设置的基板、第一电极层、空穴注入层、第一发光层、第一n型材料子层、第二n型材料子层、p型材料层、第二发光层、电子注入层和第二电极层。

19、在一些实施例中,叠层发光器件包括依次层叠设置的基板、第一电极层、电子注入层、第一发光层、p型材料层、第一n型材料子层、第二n型材料子层、第二发光层、空穴注入层和第二电极层。

20、在一些实施例中,所述基板的材料包括玻璃、硅片和聚合物中的至少一种。

21、在一些实施例中,所述第一电极层的材料选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种,所述金属包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一种或多种;所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种;所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物,包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一种或多种,或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极,所述复合电极包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一种或多种。

22、在一些实施例中,所述第二电极层的材料选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种,所述金属包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一种或多种;所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种;所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物,包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一种或多种,或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极,所述复合电极包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一种或多种。

23、在一些实施例中,所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、酞菁铜、过渡金属氧化物及过渡金属硫系化合物中的一种或多种,所述过渡金属氧化物选自nio、moo2、wo3及cuo中的一种或多种,所述金属硫系化合物选自mos2、mose2、ws3、wse3及cus中的一种或多种。

24、在一些实施例中,所述第一发光层的材料选自有机发光材料或量子点发光材料;所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的tbpe荧光材料、发绿色光的ttpa荧光材料、发橙色光的tbrb荧光材料及发红色光的dbp荧光材料中的至少一种;所述量子点发光材料选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种,所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种,所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种,所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电荷产生层,其特征在于,包括层叠设置的p型材料层和n型材料层;

2.根据权利要求1所述的电荷产生层,所述n型半导体氧化物包括ZnO和TiO2中的至少一种;

3.根据权利要求1所述的电荷产生层,其特征在于,所述第一n型材料子层包括层叠设置的n型半导体氧化物子层和富勒烯子层;

4.根据权利要求3所述的电荷产生层,其特征在于,所述n型半导体氧化物富勒烯掺杂子层中,n型半导体氧化物和富勒烯的质量比为1:5~5:1。

5.根据权利要求3所述的电荷产生层,其特征在于,所述n型半导体氧化物子层的厚度为10nm~30nm;

6.根据权利要求3所述的电荷产生层,其特征在于,所述n型半导体氧化物富勒烯掺杂子层的厚度为10nm~30nm。

7.根据权利要求1~6任一所述的电荷产生层,其特征在于,所述第二n型材料子层的厚度为5nm~15nm;

8.一种叠层发光器件,其特征在于,包括依次层叠设置的基板、第一电极层、第一载流子功能层、第一发光层、权利要求1~7任一所述的电荷产生层、第二发光层、第二载流子功能层和第二电极层。

9.根据权利要求8所述的叠层发光器件,其特征在于,包括依次层叠设置的基板、第一电极层、空穴注入层、第一发光层、第一n型材料子层、第二n型材料子层、p型材料层、第二发光层、电子注入层和第二电极层;

10.根据权利要求9所述的叠层发光器件,其特征在于,所述基板的材料包括玻璃、硅片和聚合物中的至少一种;

11.一种叠层发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

12.根据权利要求11所述的叠层发光器件的制备方法,其特征在于,所述在所述第一发光层上制备权利要求1~7任一所述的电荷产生层包括:

13.根据权利要求12所述的叠层发光器件的制备方法,其特征在于,所述p型材料层通过溶液法制备;

14.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求8~10任一所述的叠层发光器件或权利要求11~13任一所述的制备方法制备的叠层发光器件。

15.一种电子产品,其特征在于,包括权利要求14所述的显示面板。

...

【技术特征摘要】

1.一种电荷产生层,其特征在于,包括层叠设置的p型材料层和n型材料层;

2.根据权利要求1所述的电荷产生层,所述n型半导体氧化物包括zno和tio2中的至少一种;

3.根据权利要求1所述的电荷产生层,其特征在于,所述第一n型材料子层包括层叠设置的n型半导体氧化物子层和富勒烯子层;

4.根据权利要求3所述的电荷产生层,其特征在于,所述n型半导体氧化物富勒烯掺杂子层中,n型半导体氧化物和富勒烯的质量比为1:5~5:1。

5.根据权利要求3所述的电荷产生层,其特征在于,所述n型半导体氧化物子层的厚度为10nm~30nm;

6.根据权利要求3所述的电荷产生层,其特征在于,所述n型半导体氧化物富勒烯掺杂子层的厚度为10nm~30nm。

7.根据权利要求1~6任一所述的电荷产生层,其特征在于,所述第二n型材料子层的厚度为5nm~15nm;

8.一种叠层发光器件,其特征在于,包括依次层叠设置的基板、第一电极层、第一载流子功能层、第一发光层、权利要求1~7任...

【专利技术属性】
技术研发人员:余磊
申请(专利权)人:广东聚华印刷显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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