一种碳化硅功率器件及其制作方法技术

本申请公开了一种碳化硅功率器件及其制作方法。该碳化硅功率器件包括：N型衬底；外延层，设置于N型衬底上，且在外延层上形成有相间隔的第一有源区和第二有源区；两个栅极，分别对应设置于第一有源区和第二有源区上；P型多晶硅，与外延层层叠接触且位于两个所述栅极之间；源极，层叠设置于第一有源区、第二有源区、栅极及P型多晶硅上；漏极，设置于N型衬底背离外延层的一侧。通过上述器件结构，本申请能够有效地实现对碳化硅功率器件低成本和低空间占用的反向续流，提升了器件的导通速度和开关频率，降低了续流开启电压和损耗。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，尤其涉及一种碳化硅功率器件及其制作方法。

技术介绍

1、在传统硅（si）基功率器件性能方面难以获得大幅优化的背景下，碳化硅（sic）材料以其宽禁带宽度、高临界击穿电压、高导热率以及高饱和电子漂移速度等优异的电学性能，奠定了以其为体材料制作的碳化硅功率器件在高温、高压、高速以及强辐射等应用领域的优势。

2、其中，碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管) 器件凭借其开关速度快，开关损耗低、导通电阻小和工作温度范围广等特点，已成为当前碳化硅功率器件领域的研究热点。在众多的碳化硅mosfet器件结构中，超结mosfet器件（super junction mosfet，sj-mos）相比于传统的垂直mosfet器件，其具有独特的超结结构，能够表现出高耐压、低导通电阻和高可靠性等优势，成为了碳化硅 mosfet设计的主流结构之一。

3、然而，碳化硅mosfet器件的实际应用电路中常具有电感元件，会形成较大的反向电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述P型多晶硅的宽度为0.1至0.4μm。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述P型多晶硅的掺杂浓度在1×1019cm-3以上。

4.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述外延层包括两个P柱和位于所述两个P柱之间的N型漂移区，所述N型漂移区的一部分位于所述第一有源区和所述第二有源区之间，所述P型多晶硅与所述N型漂移区层叠接触。

5.根据权利要求4所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述N型漂移区的掺杂浓度不超过...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述p型多晶硅的宽度为0.1至0.4μm。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述p型多晶硅的掺杂浓度在1×1019cm-3以上。

4.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述外延层包括两个p柱和位于所述两个p柱之间的n型漂移区，所述n型漂移区的一部分位于所述第一有源区和所述第二有源区之间，所述p型多晶硅与所述n型漂移区层叠接触。

5.根据权利要求4所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述n型漂移区的掺杂浓度不超过1×1017cm-3。

6.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件，其特征在于，所述外延层包括n型漂移区和电荷存储层，所述电荷存储层位于所述第一有源区和所述第二有源区之间，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔凯，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：