单层碳纳米管以及取向单层碳纳米管块结构体以及它们的制造方法、装置以及用途制造方法及图纸

本发明专利技术涉及含有多个取向单层碳纳米管的集合体、高度在１０微米以上的取向单层碳纳米管.块状体，以及含有多个取向单层碳纳米管的集合体、形状被图形化为规定形状的取向单层碳纳米管.块状体。将该结构体是在金属催化剂的存在下，在反应气氛中添加氧化剂、优选水，使碳纳米管进行化学气相成长（ＣＶＤ）进行制造的。本发明专利技术提供高纯度、长度或者高度达到飞跃地大尺寸化的取向单层碳纳米管块结构体以及其制造方法以及制造装置。

【技术实现步骤摘要】

本申请专利技术涉及碳纳米管(CNT)以及取向单层碳纳米管块结构体(aligned single-walled carbon nanotube bulk structure)以及它们的制造方法、装置以及应用， 进一步详细的说，涉及以前没有的实现高纯度化、高比表面积化、大尺寸化、图形化的碳纳 米管以及取向单层碳纳米管块结构体以及它们的制造方法、装置以及应用。
技术介绍
对于期待着作为新的电子器件材料和光学元件材料、导电性材料、生物体关连材 料等的功能性材料发展的碳纳米管(CNT)，正在投入精力地进行其收率、品质、用途、生产 力、制造方法等的研究。作为制造碳纳米管的方法之一，有化学气相成长(CVD)法(以下也称为CVD法)， 该方法在适合于大量合成上受到关注。该CVD法特征是在约50(TC IOOiTC的高温下使 成为碳源的碳化合物与催化剂的金属微粒接触，通过催化剂的种类和配置、碳化合物的 种类和操作条件可以进行各种的变化，可以制造单层碳纳米管(SWCNT)和多层碳纳米管 (MWCNT)的任一个。此外，有下述优点，通过把催化剂配置在基板上，使与基板面垂直取向的 碳纳米管成长。但是，以前在本文档来自技高网...

【技术保护点】
单层碳纳米管，其特征在于，具备比表面积在８００～２５００ｍ↑［２］／ｇ，以及利用荧光Ｘ射线测定的纯度在９８％以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：畠贤治，饭岛澄男，汤村守雄，DN弗塔巴，
申请(专利权)人：独立行政法人产业技术综合研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]