【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种双n沟道场效应晶体管阵列的试验电路。
技术介绍
1、双n沟道场效应晶体管阵列产品，由两只n-沟道小功率mosfet构成，使用氮化铝陶瓷表贴封装，阵列共2路，每路场效应晶体管保持极低的栅极电荷，具有开关速度快，驱动简单等良好的性能。
2、双n沟道场效应晶体管阵列产品成品需进行产品老炼筛选，对产品进行可靠性验证。出于实际使用考虑，对双n沟道场效应晶体管阵列使用图腾柱电连接方式驱动控制外围电路，目前老炼方案没有任何现有资源和经验可以借鉴，需自主设计相关老炼电路。为对该产品进行有效的老炼筛选，根据产品的性能指标，合理设计全动态功能功率老炼筛选系统对产品开关功能及可靠性进行试验验证。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种双n沟道场效应晶体管阵列的试验电路。
2、本专利技术通过以下技术方案得以实现。
3、本专利技术提供的一种双n沟道场效应晶体管阵列的试验电路，包括供电模块、保护模块、产品功率可调模块、警报模块、显示模块、工作电流检测模块，所述供电模块分别与保护模块、产品功率可调模块、警报模块连接，保护模块、产品功率可调模块、警报模块分别与场效应晶体管阵列芯片u1连接，场效应管阵列输出端分别与显示模块和工作电流检测模块连接。
4、所述保护模块包括模式管q1，mos管q1的栅极与的电阻r2连接，电阻r2的另一端与恒流管crd6并联接入pwm信号，mos管q1的漏极通过恒流管crd1与电源vcc1连接连接，mos
5、所述产品功率可调电路包括可调电阻rz2和可调电阻rz1，可调电阻rz2的一端与电阻r4连接，电阻r4与恒流管crd6连接，可调电阻rz1的另一端及其滑动触电均接地，所述可调电阻rz1的一端与电阻r3连接，电阻r3与二极管d4的负极连接，二极管d4的正极与mos管q1的漏极连接，滑动电阻rz1的另一端及其滑动触电与场效应晶体管整列芯片u1的4、6引脚连接。
6、所述显示模块包括发光管d3、发光管d2、发光管d1，发光管d3一端通过恒流管crd3与电源vcc1连接，另一端与场效应晶体管阵列的3引脚连接；
7、发光管d2的正极与恒流管crd4连接，发光管d2的负极与恒流管crd4的另一端分别与恒流管crd5的两端连接，恒流管crd5的一端与场效应晶体管整列芯片u1的4、6引脚连接，另一端与电源vcc2连接；
8、发光管d1的负极与恒流管crd7连接，发光管d1的正极与恒流管crd7的另一端分别与恒流管crd8的两端连接，恒流管crd8的一端与场效应晶体管整列芯片u1的4、6引脚连接，另一端与电源vcc2连接。
9、所述电源vcc2与恒流管crd8及恒流管crd5之间正向连接有二极管d8，二极管d8负极还分别与并联的电容c1和c2、并联的电容c3和c4连接，并联的电容c1和c2另一端与电源vcc1连接，并联的电容c3和c4的另一端接地，所述电源vcc1与场效应晶体管整列芯片u1的3引脚之间还连接有恒流管crd2。
10、所述工作电流检测模块包括电阻rt1和电阻rt2，电阻rt1和电阻rt2的一端与分别与二极管d5的负极、二极管d7的正极连接，另一端分别与恒流管crd5和恒流管crd8连接，二极管d5的正极、二极管d7的负极均分别与场效应晶体管整列芯片u1的4、6引脚连接。
11、本专利技术的有益效果在于：
12、(1)考虑全动态功能老炼系统板面大小设计以及电源走线，全动态功能功率老炼板设计为4层板，使整个板面更集中化、更小型化，方便后续老炼工作。
13、(2)采用恒流管设计电路取代保险管保护作用，避免了熔断失效保险管的更换，使得电路工作更加高效、稳定。
14、(3)拥有短路保护、过流保护以及正常老炼指示和短路状态指示功能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种双N沟道场效应晶体管阵列的试验电路，其特征在于：包括供电模块、保护模块、产品功率可调模块、警报模块、显示模块、工作电流检测模块，所述供电模块分别与保护模块、产品功率可调模块、警报模块连接，保护模块、产品功率可调模块、警报模块分别与场效应晶体管阵列芯片U1连接，场效应管阵列输出端分别与显示模块和工作电流检测模块连接。
2.如权利要求1所述的双N沟道场效应晶体管阵列的试验电路，其特征在于：所述保护模块包括模式管Q1，MOS管Q1的栅极与的电阻R2连接，电阻R2的另一端与恒流管CRD6并联接入PWM信号，MOS管Q1的漏极通过恒流管CRD1与电源VCC1连接连接，MOS管Q1的源极接地。
3.如权利要求1所述的双N沟道场效应晶体管阵列的试验电路，其特征在于：所述产品功率可调电路包括可调电阻RZ2和可调电阻RZ1，可调电阻RZ2的一端与电阻R4连接，电阻R4与恒流管CRD6连接，可调电阻RZ1的另一端及其滑动触电均接地，所述可调电阻RZ1的一端与电阻R3连接，电阻R3与二极管D4的负极连接，二极管D4的正极与MOS管Q1的漏极连接，滑动电阻RZ1的另一端及
4.如权利要求1所述的双N沟道场效应晶体管阵列的试验电路，其特征在于：所述显示模块包括发光管D3、发光管D2、发光管D1，发光管D3一端通过恒流管CRD3与电源VCC1连接，另一端与场效应晶体管阵列的3引脚连接；
5.如权利要求4所述的双N沟道场效应晶体管阵列的试验电路，其特征在于：所述电源VCC2与恒流管CRD8及恒流管CRD5之间正向连接有二极管D8，二极管D8负极还分别与并联的电容C1和C2、并联的电容C3和C4连接，并联的电容C1和C2另一端与电源VCC1连接，并联的电容C3和C4的另一端接地，所述电源VCC1与场效应晶体管整列芯片U1的3引脚之间还连接有恒流管CRD2。
6.如权利要求1所述的双N沟道场效应晶体管阵列的试验电路，其特征在于：所述工作电流检测模块包括电阻RT1和电阻RT2，电阻RT1和电阻RT2的一端与分别与二极管D5的负极、二极管D7的正极连接，另一端分别与恒流管CRD5和恒流管CRD8连接，二极管D5的正极、二极管D7的负极均分别与场效应晶体管整列芯片U1的4、6引脚连接。
...【技术特征摘要】
1.一种双n沟道场效应晶体管阵列的试验电路，其特征在于：包括供电模块、保护模块、产品功率可调模块、警报模块、显示模块、工作电流检测模块，所述供电模块分别与保护模块、产品功率可调模块、警报模块连接，保护模块、产品功率可调模块、警报模块分别与场效应晶体管阵列芯片u1连接，场效应管阵列输出端分别与显示模块和工作电流检测模块连接。
2.如权利要求1所述的双n沟道场效应晶体管阵列的试验电路，其特征在于：所述保护模块包括模式管q1，mos管q1的栅极与的电阻r2连接，电阻r2的另一端与恒流管crd6并联接入pwm信号，mos管q1的漏极通过恒流管crd1与电源vcc1连接连接，mos管q1的源极接地。
3.如权利要求1所述的双n沟道场效应晶体管阵列的试验电路，其特征在于：所述产品功率可调电路包括可调电阻rz2和可调电阻rz1，可调电阻rz2的一端与电阻r4连接，电阻r4与恒流管crd6连接，可调电阻rz1的另一端及其滑动触电均接地，所述可调电阻rz1的一端与电阻r3连接，电阻r3与二极管d4的负极连接，二极管d4的正极与mos管q1的漏极连接，滑动电阻rz1的另一端及其滑动...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴凯丽，罗建明，王佳佳，李珏，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：发明
国别省市：
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