【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中的描述总体上涉及图案化过程。更特别地，本专利技术包括用于增加可用公差的光刻工具的设备、方法和计算机程序产品。
技术介绍
1、光刻投影设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。可以通过诸如经由图案形成装置上的图案辐照目标部分的方法来将与ic的单层相对应的图案(“设计布局”)转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)上，所述目标部分已涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层。通常，单个衬底包括多个相邻目标部分，通过光刻投影设备连续地将图案转印至所述多个相邻目标部分上，一次一个目标部分。在这种类型的光刻投影设备中，整个图案形成装置上的图案一次性转印至一个目标部分上；这种设备也可以称作步进器。在替代设备中，步进扫描设备可以使得投影束在给定参考方向(“扫描”方向)上扫描图案形成装置，同时平行或反向平行于这种参考方向同步地移动衬底。图案形成装置上的图案的不同部分逐渐地转印至一个目标部分。由于通常，光刻投影设备将具有减小比率m(例如，4)，因此衬底移动的速度f将是投影束扫描图案形成装置的速度的1/m倍。关于光刻设备的更多信息可以在例如以引用的方式并入本文中的us 6,046,792中找到。
2、在将图案从图案形成装置转印至衬底之前，衬底可以经历各种工序，诸如上底漆、涂覆抗蚀剂和软焙烤。在曝光之后，衬底可以经受其它工序(“曝光后工序”)，诸如曝光后焙烤(peb)、显影、硬焙烤和对所转印的图案的测量/检查。这种工序阵列用作制得装置(例如ic)的单层的基础。衬底可以接着经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、
3、因此，制造器件(诸如半导体器件)通常涉及使用一定数目个制造过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成装置的各种特征和多个层。通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械研磨和离子注入来制造和处理这样的层和特征。可以在衬底上的多个管芯上制造多个器件，并且接着将所述器件分离成单独的器件。这种器件制造过程可以被视为图案化过程。图案化过程涉及使用光刻设备中的图案形成装置进行图案化步骤，诸如光学和/或纳米压印光刻术，以将图案形成装置上的图案转印至衬底，并且所述图案化过程通常但可选地涉及一个或更多个相关图案处理步骤，诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用焙烤工具来焙烤衬底、使用蚀刻设备来使用图案进行蚀刻等。
4、如提及的，光刻是在诸如ic的装置的制造时的中心步骤，其中，形成在衬底上的图案限定装置的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片等。类似光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(mems)和其它装置成及2d和/或3d增材制造。
5、随着半导体制造过程继续进步，几十年来，功能元件的尺寸已不断地减小，而每个器件的诸如晶体管之类的功能元件的量已在稳定地增加，这遵循称为“莫耳定律”的趋势。在当前技术状态下，使用光刻投影设备来制造器件的层，所述光刻投影设备使用来自深紫外照射源的照射将设计布局投影至衬底上，从而产生尺寸远低于100nm(即，小于来自照射源(例如，193nm照射源)的辐射的波长的一半)的单独的功能元件。
6、用于印制尺寸小于光刻投影设备的经典分辨率极限的特征的这种过程根据分辨率公式cd＝k1×λ/na可以被称为低k1光刻，其中，λ为所采用的辐射的波长(例如，248nm或193nm)，na是光刻投影设备中的投影光学器件的数值孔径，cd是“临界尺寸”(通常是所印制的最小特征大小)，并且k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，则在衬底上再现类似于由设计者规划的形状和尺寸以便实现特定电功能性和性能的图案变得越困难。为了克服这些困难，将复杂的微调步骤应用于光刻投影设备、设计布局或图案形成装置。这些步骤包括例如但不限于na和光学相干设置的优化、定制照射方案、相移图案形成装置的使用、设计布局中的光学邻近效应校正(opc，有时也称作“光学和过程校正”)，或通常定义为“分辨率增强技术”(ret)的其它方法。如本文中所使用的术语“投影光学器件”应广义地解释为涵盖各种类型的光学系统，包括例如折射型光学部件、反射型光学部件、光阑和反射折射型光学部件。术语“投影光学器件”也可以包括根据这些设计类型中的任一设计类型来操作以用于共同地或单个地引导、成形或控制投影辐射束的部件。术语“投影光学器件”可以包括光刻投影设备中的任何光学部件，无论光学部件位于光刻投影设备的光学路径上的何处。投影光学器件可以包括用于在来自源的辐射通过图案形成装置之前成形、调整和/或投影所述辐射的光学部件，和/或用于在辐射通过图案形成装置之后成形、调整和/或投影所述辐射的光学部件。投影光学器件通常排除源和图案形成装置。
技术实现思路
1、披露了用于与光刻工具一起使用的方法、系统和计算机程序。在一个方面中，一种方法包括：相对于第一微透镜阵列(mla)和第二mla来扫描衬底，第一微透镜阵列(mla)和第二mla中的每个具有多行小透镜。所述第一mla具有功能性小透镜和额外的小透镜。所述扫描包括经由所述第一mla和所述第二mla的所述小透镜将光传递至所述衬底。所述传递包括：经由所述功能性小透镜传递光以在所述衬底上形成图案，所述图案具有由所述第一mla与所述第二mla的所述功能性小透镜之间的位置错位或旋转错位引起的间隙。光接着经由所述额外的小透镜传递以填充所述图案中的所述间隙。
2、在一些变型中，所述第一mla与所述第二mla的位置错位超过公差可能引起所述间隙。所述额外的小透镜可以在所述第一mla的额外的行中。可以增加所述额外的小透镜的额外的行的数目以按比例增加所述公差。例如，所述mla的三个额外的行可以专用于填充所述间隙，由此将所述公差从10nm至500nm增加至1um至10um。
3、在其它变型中，可以按照第二扫描角度执行所述扫描，所述第二扫描角度可以由于利用所述额外的小透镜来用于填充所述间隙而从第一扫描角度减小。而且，可以将光传递至拼接区，所述拼接区位于所述第一mla的第一扫描图案与所述第二mla的第二扫描图案重叠的位置处。另外，可以将光传递至端部间隙，所述端部间隙位于所述图案的一区域中，所述第一mla的第一扫描图案与所述第二mla的第二扫描图案在所述区域中不重叠。
4、在另外的其它变型中，所述方法可以包括在所述光的所述传递期间通过在扫描方向上继续对所述衬底的所述扫描以填充所述图案中的所述间隙来进行过扫描，由此进一步增加在所述扫描方向上的所述公差。所述间隙可以至少部分地由所述第一mla与所述第二mla的位置错位引起，并且在所述位置错位的由于利用所述额外的小透镜而增加的位置公差内进行所述扫描。而且，所述间隙可以至少部分地由所述第一mla与所述第二mla的旋转错位引起，并且在所述旋转错位的由于利用所述额外的小透镜而增加的旋转公差内执本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于光刻工具的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一MLA与所述第二MLA的超过公差的位置错位引起所述间隙。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述额外的小透镜位于所述第一MLA的额外的行中。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：增加所述额外的小透镜的额外的行的数目以按比例增加所述公差。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：以第二扫描角度执行所述扫描，由于利用所述额外的小透镜来用于填充所述间隙，所述第二扫描角度从第一扫描角度减小。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述光传递至拼接区，所述拼接区位于所述第一MLA的第一扫描图案与所述第二MLA的第二扫描图案重叠的位置处。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述光传递至端部间隙，所述端部间隙位于所述图案的一区域中，所述第一MLA的第一扫描图案与所述第二MLA的第二扫描图案在所述区域中不重叠。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过在扫描方向上继续进行对所述衬底的所述扫描以填充所述图案中的所述间
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙至少部分地由所述第一MLA与所述第二MLA的位置错位引起，并且在所述位置错位的由于利用所述额外的小透镜而增加的位置公差内进行所述扫描。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙至少部分地由所述第一MLA与所述第二MLA的旋转错位引起，并且在所述旋转错位的由于利用所述额外的小透镜而增加的旋转公差内执行所述扫描。
11.根据权利要求1所述的方法，还包括：以一公差扫描所述衬底，所述公差是位置公差和旋转公差的组合，其中，在由于利用所述额外的小透镜而都被增加的所述位置公差和所述旋转公差两者内执行所述扫描。
12.一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括其上记录有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实施根据上述权利要求中的任一项所述的方法。
13.一种光刻系统，包括：
14.根据权利要求13所述的光刻系统，其中，所述第一MLA和所述第二MLA相对于所述衬底处于从第一扫描角度减小的第二扫描角度，其中，所述第二扫描角度是由于利用所述额外的小透镜来用于填充所述间隙而产生的。
15.根据权利要求13所述的光刻系统，其中，所述第一MLA和所述第二MLA相对于所述衬底以一扫描角度定向，以具有由于利用所述额外的小透镜而增加的位置公差。
16.根据权利要求13所述的光刻系统，其中，所述第一MLA和所述第二MLA相对于所述衬底以一扫描角度定向，以具有由于利用所述额外的小透镜而增加的旋转公差。
17.根据权利要求13所述的光刻系统，其中，所述第一MLA和所述第二MLA相对于所述衬底以一扫描角度定向，以具有由于利用所述额外的小透镜而都增加的位置公差和旋转公差两者。
18.根据权利要求17所述的光刻系统，其中，所述增加在所述位置公差与所述旋转公差之间是被大致相等地划分的。
19.根据权利要求13所述的光刻系统，其中，所述第一MLA具有100个行，并且所述100个行中的三个行包括通过填充所述间隙而将公差从10nm至500nm增加至1um至10um的所述额外的小透镜。
20.根据权利要求13所述的光刻系统，其中，所述光刻系统被配置成制造平板显示器。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于光刻工具的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一mla与所述第二mla的超过公差的位置错位引起所述间隙。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述额外的小透镜位于所述第一mla的额外的行中。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：增加所述额外的小透镜的额外的行的数目以按比例增加所述公差。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：以第二扫描角度执行所述扫描，由于利用所述额外的小透镜来用于填充所述间隙，所述第二扫描角度从第一扫描角度减小。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述光传递至拼接区，所述拼接区位于所述第一mla的第一扫描图案与所述第二mla的第二扫描图案重叠的位置处。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述光传递至端部间隙，所述端部间隙位于所述图案的一区域中，所述第一mla的第一扫描图案与所述第二mla的第二扫描图案在所述区域中不重叠。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过在扫描方向上继续进行对所述衬底的所述扫描以填充所述图案中的所述间隙而在所述光的所述传递期间进行过扫描，由此进一步增加在所述扫描方向上的所述公差。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙至少部分地由所述第一mla与所述第二mla的位置错位引起，并且在所述位置错位的由于利用所述额外的小透镜而增加的位置公差内进行所述扫描。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙至少部分地由所述第一mla与所述第二mla的旋转错位引起，并且在所述旋转错位的由于利用所述额外的小透镜而增加的旋转公差内执行所述扫描。
11.根据权利要求1所述的方法，还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·温特斯，E·J·范沃特，M·J·范德兰斯，P·W·H·德亚格尔，E·A·范德芬，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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