氟代芳基磺酸聚合物化合物及其利用制造技术

包含由下述式(1)表示的重复单元的氟代芳基磺酸聚合物化合物作为有机EL元件等中使用的掺杂剂物质是合适的。[式中，ArF表示氟代亚芳基，X表示O、S、NH、CONH或NHCO，ArS表示在环上具有至少一个SO3R基的芳基(R表示氢原子或碱金属原子。)。]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及氟代芳基磺酸聚合物化合物及其利用。

技术介绍

1、在有机电致发光(以下称为有机el)元件中，使用包含有机化合物的有机功能膜作为发光层、电荷注入层。特别是空穴注入层承担阳极与空穴传输层或发光层的电荷的授受，为了实现有机el元件的低电压驱动和高亮度而发挥重要的功能。

2、空穴注入层的形成方法大致分为以蒸镀法为代表的干法和以旋涂法为代表的湿法，如果将这些各方法进行比较，则湿法能够大面积地高效率地制造平坦性高的薄膜。因此，在有机el显示器的大面积化发展的现在，希望有可采用湿法形成的空穴注入层，报道了与可采用湿法成膜的空穴注入材料有关的技术(专利文献1)。

3、鉴于这样的实际情况，本申请人开发了可应用于各种湿法、同时在应用于有机el元件的空穴注入层时形成能够实现优异的el元件特性的薄膜的电荷传输性材料、作为对于其中使用的有机溶剂显示溶解性的电荷传输性物质、掺杂剂合适的化合物(参照专利文献2～6)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：国际公开第2008/032616号

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【技术保护点】

1.氟代芳基磺酸聚合物化合物，其特征在于，包含由下述式(1)表示的重复单元，

2.根据权利要求1所述的氟代芳基磺酸聚合物化合物，其还包含由下述式(2)表示的重复单元，

3.根据权利要求2所述的氟代芳基磺酸聚合物化合物，其中，所述R’为氟代芳基。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的氟代芳基磺酸聚合物化合物，其中，所述ArF为全氟亚芳基。

5.根据权利要求4所述的氟代芳基磺酸聚合物化合物，其中，所述ArF为四氟亚苯基。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的氟代芳基磺酸聚合物化合物，其中，所述ArS为在环上具有2个以上的所述SO3R...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.氟代芳基磺酸聚合物化合物，其特征在于，包含由下述式(1)表示的重复单元，

2.根据权利要求1所述的氟代芳基磺酸聚合物化合物，其还包含由下述式(2)表示的重复单元，

3.根据权利要求2所述的氟代芳基磺酸聚合物化合物，其中，所述r’为氟代芳基。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的氟代芳基磺酸聚合物化合物，其中，所述arf为全氟亚芳基。

5.根据权利要求4所述的氟代芳基磺酸聚合物化合物，其中，所述arf为四氟亚苯基。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的氟代芳基磺酸聚合物化合物，其中，所述ars为在环上具有2个以上的所述so3r基的芳基。

7.根据权利要求6所述的氟代芳基磺酸聚合物化合物，其中，所述ars为在环上具有2个以上的所述so3r基的萘基。

【专利技术属性】
技术研发人员：仓田阳介，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：

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