【技术实现步骤摘要】
本专利技术申请属于无机复合材料,具体公开了一种多孔双层状cuo-mno2/g-c3n4复合材料及其制备方法。
技术介绍
1、cuo(带隙值为1.7ev)和mno2(带隙值为0.25ev)作为过渡金属氧化物的典型代表,也是一种重要的p型半导体材料,因其具有窄带隙、环保、低成本的优点而被广泛应用于光催化领域中。同样的,g-c3n4(带隙值为2.7ev)是一种无毒、低廉、稳定的半导体材料,具有稳定性高和良好的电子传输能力,是一种前景广阔的光催化剂,但其比表面积较小,表面活性位点少且光生载流子复合率高,因此研究者一直致力于对g-c3n4进行改性。目前主要通过元素掺杂、g-c3n4的共聚合、构建异质结结构和微观形貌调整改性g-c3n4。通过表面形貌改良制备多孔g-c3n4增加比表面积和引入铜锰元素提高可见光吸收。但是,通过表面形貌改性很难得到形貌均一的g-c3n4是一大难点,此外,铜氧化物和锰氧化物的物种组成和结构分布也是一个巨大的挑战。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种多孔双层状cu
...【技术保护点】
1.一种多孔双层状CuO-MnO2/g-C3N4复合材料及其制备方法,其特征在于:该CuO-MnO2/g-C3N4复合材料的比表面积为60~120m2/g,孔径为8~12nm,CuO与MnO2粒子的尺寸均一,两种过渡金属氧化物相对含量可控且均匀分布在g-C3N4上的多孔双层状CuO-MnO2/g-C3N4复合材料。
2.一种多孔双层状CuO-MnO2/g-C3N4复合材料及其制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
3.根据权利2所述的一种多孔双层状CuO-MnO2/g-C3N4复合材料的制备方法,其特征在于:步骤2中的将研磨好的粉末在5 min中
...【技术特征摘要】
1.一种多孔双层状cuo-mno2/g-c3n4复合材料及其制备方法,其特征在于:该cuo-mno2/g-c3n4复合材料的比表面积为60~120m2/g,孔径为8~12nm,cuo与mno2粒子的尺寸均一,两种过渡金属氧化物相对含量可控且均匀分布在g-c3n4上的多孔双层状cuo-mno2/g-c3n4复合材料。
2.一种多孔双层状cuo-mno2/g-c3n4复合材料及其制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
3.根据权利2所述的一种多孔双层状cuo-mno2/g-c3n4复合材料的制备方法,其特征在于:步骤2中的将研磨好的粉末在5 min中内达到所设置好的高温状态。
4.根据权利2所述的一种多孔双层状cuo-mno2/g-c3n4复合材料的制备方法,其特征在于:步骤2中在高温处理研磨好的粉末之前,先在设置好的温度下稳定2 h。
5.根据权利2所述的一种多孔双层状cuo-mno2/g-c3n4复合材料的制备...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨娜,杨淇,宋钰婷,杜秋月,张海东,
申请(专利权)人:重庆工商大学,
类型:发明
国别省市:
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