半导体结构、射频前端模组、电源转换模组、电子设备制造技术

本申请实施例提供一种半导体结构及制备方法、射频前端模组、电源转换模组、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高半导体结构中宽禁带器件的抗静电性能。半导体结构可以是PA芯片、LNA芯片、电源转换芯片带静电放电防护的芯片等。半导体结构包括硅衬底和设置在硅衬底上的外延层。外延层具有露出硅衬底的开口，开口是通过刻蚀工艺形成，围成开口的轮廓面上的原子呈非晶态或者多晶态排布。电极，设置于外延层上、与外延层构成宽禁带器件。硅基器件作为静电放电防护器件，位于开口内、且伸入硅衬底中。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构、射频前端模组、电源转换模组、电子设备。

技术介绍

1、硅(si)材料因为性质稳定、制备成本低等优良特性，成为了半导体产业中使用最为广泛的材料。但随着工业智能化的推进，越来越多的应用场景(如射频、功率电子等领域)对芯片提出了诸如更快速度、更高耐压的要求。si材料由于其材料本身的限制，无法同时满足上述需求。而部分宽禁带化合物半导体如碳化硅(sic)、砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)等恰好拥有高载流子迁移率、更高载流子密度和更高耐压的性能优势，逐渐被广泛的应用于半导体产业中。

2、然而，采用宽禁带化合物半导体制备而成的宽禁带半导体器件中通常存在异质结(不同材料层叠而成)，而异质结界面上不同材料的热膨胀系数和压电系数不同，导致宽禁带半导体器件在静电放电(esd event)的高压、大电流条件下易发生异质结界面损坏。因此，目前宽禁带半导体器件的抗静电(esd immunity)性能大都较弱。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种半导体结构、射频前端模组、电源转本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述开口具有上端口和下端口，所述下端口相对所述上端口靠近所述硅衬底；

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述上端口的第一轮廓与所述下端口的第二轮廓之间的间距大于200nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述轮廓面与所述外延层底面的夹角的取值范围为45°～88°。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述硅衬底朝向所述外延层的表面为平面。

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述开口具有上端口和下端口，所述下端口相对所述上端口靠近所述硅衬底；

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述上端口的第一轮廓与所述下端口的第二轮廓之间的间距大于200nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述轮廓面与所述外延层底面的夹角的取值范围为45°～88°。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述硅衬底朝向所述外延层的表面为平面。

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述硅基器件的面积大于所述宽禁带器件的面积。

7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括静电放电保护器件单元，所述静电放电保护器件单元包括所述硅基器件。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述硅基器件为双极性晶体管、二极管、可控硅整流器或者金属-氧化物半导体场效应晶体管。

9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述宽禁带器件为场效应晶体管或者双极型晶体管。

10.根据权利要求1-9任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括布线叠层，所述布线叠层覆盖所述宽禁带器件单元和所述硅基器件单元；所述宽禁带器件单元和所述硅基器件单元通过所述布线叠层耦接。

11.根据权利要求1-10任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为功率放大器芯片、低噪声放大器芯片或者电...

【专利技术属性】
技术研发人员：何林峰，魏巍，张亚文，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：