一种高宽带低损耗抗弯曲多模光纤制造技术

技术编号:40601313 阅读:27 留言:0更新日期:2024-03-12 22:05
本发明专利技术公开了一种高宽带低损耗抗弯曲多模光纤,包括芯层和包层,芯层折射率呈抛物线形,所述包层由内到外依次为第一内包层,第二内包层,第一凹陷包层,第二凹陷包层与外包层,所述芯层的分布指数α为1.93~2.15,芯层中心位最大相对折射率差Δ<subgt;1</subgt;为0.71%~1.13%,第一内包层相对折射率差Δ<subgt;2</subgt;为‑0.23%~‑0.02%;第二内包层最高相对折射率差Δ<subgt;3</subgt;为‑0.8%~0%。本发明专利技术的第一内包层和第二内包层的折射率为负值,可以有效的减弱光纤内传输光高级模的模式色散;芯‑包界面处采用连续可调节剖面结构,该结构不仅可以减小芯层和凹陷包层粘度差对光纤性能的影响,而且还可以通过界面结构的调节,非常有效地改变高阶模的时延,消除凹陷对光纤带宽性能的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高宽带低损耗抗弯曲多模光纤,属于光纤。


技术介绍

1、多模光纤以其低廉的系统成本优势,当前已成为短距离高速率传输网络的优质解决方案,被广泛应用于数据中心、办公中心、高性能计算中心等多种场合。多模光纤在使用过程中,一般要求光纤具备足够小的弯曲半径以满足各种配置的弯曲情况;在光纤使用过程中,往往会由于弯曲而产生宏弯损耗,当光源在弯曲的光纤中从传输超过临界曲率时,光功率损耗模式发生转变,产生宏弯损耗,宏弯损耗是光纤产生衰减的重要原因,而控制光纤的折射率成为目前的主流方法,这些方法中典型的有通过掺杂来控制折射率及通过设计下包层结构来改变光纤的带宽性能,但元素掺杂方案往往会破坏玻璃整体高温粘度失配,最终加剧光纤残余应力,造成光纤的波长敏感性高;在光纤剖面方面,往往由于凹陷界面元素扩散导致剖面应力急剧改变,素致使包层和纤芯折射率改变,影响光纤稳定性,这些问题都需要进行克服,如何解决残余应力问题导致的波长适应性不足和由于光纤本身结构设计引起的元素扩散问题成研究重点。


技术实现思路

1、为了解决上述技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高宽带低损耗抗弯曲多模光纤,其特征在于:包括芯层和包层,芯层折射率呈抛物线形,所述包层由内到外依次为第一内包层,第二内包层,第一凹陷包层,第二凹陷包层与外包层,所述芯层的分布指数α为1.93~2.15,芯层中心位最大相对折射率差Δ1为0.71%~1.13%,第一内包层相对折射率差Δ2为-0.23%~-0.02%;第二内包层最高相对折射率差Δ3为-0.8%~0.2%。

2.根据权利要求1所述的一种高宽带低损耗抗弯曲多模光纤,其特征在于:所述纤芯半径R1为23μm~26μm,所述第一内包层半径为R2与纤芯半径R1之间单边径向宽度(R2-R1)为1.5μm~10.0μm,所...

【技术特征摘要】

1.一种高宽带低损耗抗弯曲多模光纤,其特征在于:包括芯层和包层,芯层折射率呈抛物线形,所述包层由内到外依次为第一内包层,第二内包层,第一凹陷包层,第二凹陷包层与外包层,所述芯层的分布指数α为1.93~2.15,芯层中心位最大相对折射率差δ1为0.71%~1.13%,第一内包层相对折射率差δ2为-0.23%~-0.02%;第二内包层最高相对折射率差δ3为-0.8%~0.2%。

2.根据权利要求1所述的一种高宽带低损耗抗弯曲多模光纤,其特征在于:所述纤芯半径r1为23μm~26μm,所述第一内包层半径为r2与纤芯半径r1之间单边径向宽度(r2-r1)为1.5μm~10.0μm,所述第二内包层半径r3与第一内包层半径为r2之间内包层单边径向宽度(r3-r2)为0.5μm~4μm,所述第一凹陷包层半径r4与第二内包层半径r3之间第一凹陷包层单边径向宽度(r4-r3)为3μm~9μm,所述第二凹陷包层半径r5与第一凹陷包层半径r4之间内包层单边径向宽度(r5-r4)为2μm~10μm。

3.根据权利要求1所述的一种高宽带低损耗抗弯曲多模光纤,其特征在于:所述第一凹陷包层相对折射率差δ4为-0.6%~-0.5%;第二凹陷包层最高相对折射率差δ5为-0.8%~0.4%。

4.根据权利要求1所述的一种高宽带低损耗抗弯曲多模光纤,其特征在于:所述外包层半径r6为6...

【专利技术属性】
技术研发人员:涂峰赵启超朱筱冉张广北沈建鑫李浩洁梁伟李鑫鑫向德成
申请(专利权)人:远东通讯有限公司
类型:发明
国别省市:

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