System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 液晶移相器及天线装置制造方法及图纸_技高网

液晶移相器及天线装置制造方法及图纸

技术编号:40599059 阅读:7 留言:0更新日期:2024-03-12 22:02
一种液晶移相器及天线装置。液晶移相器包含第一晶体管、存储电容、相位调制电极以及共电极。第一晶体管的第一端电性耦接源极线,第一晶体管的栅极端用以接收第一控制信号。存储电容的第一端电性耦接该第一晶体管的第二端,存储电容的第二端电性耦接一辅助源极线。相位调制电极电性耦接该晶体管的第二端。共电极与该相位调制电极形成一液晶电容,并且共电极用以接收接地电压。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种液晶移相器及天线装置,特别涉及一种关于液晶天线的液晶移相器及天线装置。


技术介绍

1、现今,天线能够被应用诸多领域,例如,高级驾驶辅助系统雷达、视距外无人机飞行、远程生命体征监测和情绪识别、无线电传输、5g通信等。随着阵列天线的应用越来越广泛,如何提高天线的精度并且降低制作成本为本领域中重要的议题。


技术实现思路

1、本公开文件提供一种液晶移相器。液晶移相器包含第一晶体管、存储电容、相位调制电极以及共电极。第一晶体管的第一端电性耦接源极线,第一晶体管的栅极端用以接收第一控制信号。存储电容的第一端电性耦接第一晶体管的第二端,存储电容的第二端电性耦接一辅助源极线。相位调制电极电性耦接该晶体管的第二端。共电极与该相位调制电极形成一液晶电容,并且共电极用以接收接地电压。

2、本公开文件提供一种液晶移相器。液晶移相器包含相位控制阵列、第一源极线、第一辅助源极线以及共电极。相位控制阵列包含多个第一移相电路排列在一阵列的多个列,该些第一移相电路包含多个第一晶体管、多个第一存储电容以及电性耦接该些第一存储电容的第一端的多个第一相位调制电极。第一源极线电性耦接该些第一晶体管的第一端,其中该些第一晶体管的第二端分别与该些第一存储电容的第一端电性耦接。第一辅助源极线电性耦接该些第一存储电容的第二端。共电极与该些第一相位调制电极形成多个第一液晶电容,并且其中共电极用以接收接地电压。

3、本公开文件提供一种天线装置。天线装置包含馈电板以及液晶移相器。馈电板包含电路板、微带馈电线以及接地层。接地层与微带馈电线设置于电路板的相对侧。液晶移相器与馈电板贴合,并且覆盖微带馈电线的一部分。液晶移相器包含第一基板、相位控制阵列、液晶层、第二基板以及共电极。相位控制阵列形成于第一基板。共电极形成于第二基板,液晶层配置于相位控制阵列以及共电极之间。共电极电性耦接该接地层。

4、综上所述,本公开将液晶移相器的共电极配置以接收接地电压,从而作为微带天线的接地板使用,进而降低工艺成本并且提高精度。

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【技术保护点】

1.一种液晶移相器,包含:

2.如权利要求1所述的液晶移相器,还包含:

3.如权利要求2所述的液晶移相器,其中:

4.如权利要求3所述的液晶移相器,其中由该源极驱动电路提供的该第一电压以及该第二电压大于或等于该参考电压,并且其中该参考电压为0伏特。

5.如权利要求2所述的液晶移相器,其中在该正半周期的一正电压期间以及在该负半周期的一负电压期间,该第一晶体管依据该第一控制信号关断,该第三晶体管依据该第三控制信号关断,该第二晶体管依据该第二控制信号导通,以将该接地电压传送至该存储电容的第二端,并且其中在该负半周期的该负电压期间,在该存储电容的第二端自该第二电压变化至该接地电压的一电压变化通过电容耦合至该存储电容的第一端。

6.一种液晶移相器,包含:

7.如权利要求6所述的液晶移相器,其中该些第一晶体管的栅极端分别用以接收多个第一控制信号,其中该相位控制阵列还包含:

8.如权利要求7所述的液晶移相器,其中该相位控制阵列还包含:

9.一种天线装置,包含:

【技术特征摘要】

1.一种液晶移相器,包含:

2.如权利要求1所述的液晶移相器,还包含:

3.如权利要求2所述的液晶移相器,其中:

4.如权利要求3所述的液晶移相器,其中由该源极驱动电路提供的该第一电压以及该第二电压大于或等于该参考电压,并且其中该参考电压为0伏特。

5.如权利要求2所述的液晶移相器,其中在该正半周期的一正电压期间以及在该负半周期的一负电压期间,该第一晶体管依据该第一控制信号关断,该第三晶体管依据该第三控制信号关断,该第二晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员:林承德
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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