基准电压生成电路制造技术

基准电压生成电路具备连接于电流源和地线之间的齐纳二极管和与齐纳二极管并联连接的电流生成电路。电流生成电路具备电阻分压电路、晶体管电路及电压控制电路，该电阻分压电路具有使电流分支成两个路径的分支部，且输出由电阻元件分压后的电压。晶体管电路具有两个NPN晶体管(BJT1、BJT2)和串联电阻电路，两个NPN晶体管(BJT1、BJT2)的集电极与上述两个路径分别连接，基极连接在一起，上述串联电阻电路是将电阻元件(R4及R5)串联连接而成，连接于晶体管(BJT1)的发射极和地线之间，晶体管(BJT2)的发射极与电阻元件(R4及R5)的公共连接点连接。电压控制电路将晶体管各自的集电极电位控制为相等。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及生成基准电压的电路。

技术介绍

1、关于生成基准电压的电路，提出了各种结构，例如有以下的结构的电路。通过电流镜电路，生成依存于双极型晶体管的结电压的、具有与绝对温度成比例的正的温度特性的iptat(proportional to absolute temperature：与绝对温度成正比)电流，并从齐纳二极管的生成电压中减去基于该电流生成的电压。其结果，齐纳二极管的生成电压的正的温度依存性被修正，可得到不依存于温度的输出电压。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国第20200218302号说明书

5、专利文献2：美国专利第10955868号

6、专利文献3：美国第20210124386号说明书

技术实现思路

1、但是，在上述结构的电路中，电流iptat容易产生误差。即，由mos电流镜生成的电流iptat和镜的原电流的比例容易有偏差，由该比例确定的电流iptat产生误差。而且，在发射极接地放大系数小的晶体管中，因为来自基极的通本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基准电压生成电路，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基准电压生成电路，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的基准电压生成电路，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的基准电压生成电路，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基准电压生成电路，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的基准电压生成电路，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的基准电压生成电路，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的基准电压生成电路，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的基准电压生成电路，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种基准电压生成电路，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基准电压生成电路，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的基准电压生成电路，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的基准电压生成电路，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基准电压生成电路，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的基准电压生成电路，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：近藤雅哉，古田善一，根塚智裕，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：