一种具有N个频率梳齿的谐振响应MEMS集成声压/振速敏感芯片制造技术

本发明专利技术属于传感器技术领域，公开了一种具有N个频率梳齿的谐振响应MEMS集成声压/振速敏感芯片及其工作方法。所述框架基座(1)上设置N个频率梳齿单元(2)，所述N个频率梳齿单元(2)之间以及N个频率梳齿单元(2)与框架基座(1)之间设有间隙(3)；所述频率梳齿单元(2)包括力学敏感结构(2‑A)和力电转换敏感结构(2‑B)，所述力学敏感结构(2‑A)上设置力电转换敏感结构(2‑B)。采用此频率梳芯片即可以实现谐振频率点附近窄带特征信号的高灵敏检测，还能够实现基于多个特征信息联合的声源的稳健传感检测，并实现声源特征信息的识别。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于传感器，具体涉及一种具有n个频率梳齿的谐振响应mems集成声压/振速敏感芯片及其工作方法。

技术介绍

1、无论测量还是检测都需要通过传感器技术实现，测量与检测本质上是有区别的。测量重在要保证测量结果能够精确的反应真值，传感器的考核指标包括精度、非线性、重复性、迟滞、零漂、温漂偏差、稳定性等；检测则重在判断目标信号有无，对传感器的静态测量精度并没有太苛刻的要求，但对动态特性要求较高。在大部分的实际应用中都是以测量为主，因此希望传感器的各项指标，包括精度、线性度、温漂、重复性等等都要达到一定的技术要求，因此对于传感器的设计而言，敏感结构的敏感特性一般都会选在线性区域。对于水下涉及目标检测与识别和各种探测应用方面，很多时候更重要的是希望通过声传感器所获得的信息判断目标信号的有无，需要传感器的动态特性非常良好，并不追求极高的精度指标，基于此，本专利技术在声传感器的设计方面考虑在mems敏感芯片及传感器设计模式上有所突破。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种具有n个频率梳齿的谐振响应mems集成声压/振本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有N个频率梳齿的谐振响应MEMS集成声压/振速敏感芯片，其特征在于，所述敏感芯片包括框架基座(1)、N个频率梳齿单元(2)和间隙(3)；

2.根据权利要求1所述一种具有N个频率梳齿的谐振响应MEMS集成声压/振速敏感芯片，其特征在于，所述N个频率梳齿单元(2)，包括第1个频率梳齿单元(2-1)、第2个频率梳齿单元(2-2)、……、第N个梳齿单元(2-N)，其中N为自然数，N个梳齿根据空间优化合理排列。

3.根据权利要求1所述一种具有N个频率梳齿的谐振响应MEMS集成声压/振速敏感芯片，其特征在于，所述力电转换敏感结构(2-B)包括底电极(2-B-1)、压...

【技术特征摘要】

1.一种具有n个频率梳齿的谐振响应mems集成声压/振速敏感芯片，其特征在于，所述敏感芯片包括框架基座(1)、n个频率梳齿单元(2)和间隙(3)；

2.根据权利要求1所述一种具有n个频率梳齿的谐振响应mems集成声压/振速敏感芯片，其特征在于，所述n个频率梳齿单元(2)，包括第1个频率梳齿单元(2-1)、第2个频率梳齿单元(2-2)、……、第n个梳齿单元(2-n)，其中n为自然数，n个梳齿根据空间优化合理排列。

3.根据权利要求1所述一种具有n个频率梳齿的谐振响应mems集成声压/振速敏感芯片，其特征在于，所述力电转换敏感结构(2-b)包括底电极(2-b-1)、压电敏感层(2-b-2)和上电极(2-b-3)，所述底电极(2-b-1)和上电极(2-b-3)通过电极布线引出至位于框架基座上的焊点(2-c)处，焊点(2-c)包含信号引出焊点(4-1)和地线焊点(4-2)，每个所述频率梳齿单元(2-i)之间存在间隙(3)。

4.根据权利要求3所述一种具有n个频率梳齿的谐振响应mems集成声压/振速敏感芯片，其特征在于，所述间隙(3)为微米级间隙。

5.根据权利要求1所述一种具有n个频率梳齿的谐振响应mems集成声压/振速敏感芯片，其特征在于，所述底电极(2-b-1)和上电极(2-b-3)分布于压电敏感层两侧和压电敏感层一起形成检测电容，压电敏感层包含并覆盖任何可mems化的压电敏感材料。

6.根据权利要求1所述一种具有n个频率梳齿的谐振响应mems集成声...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴胜春，葛宣佐，张强，龚李佳，雷亚辉，曲彦达，陈丽洁，
申请(专利权)人：哈尔滨工程大学，
类型：发明
国别省市：