【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板。
技术介绍
1、随着信息技术的快速发展，有机电致发光二极管的显示器因其具有视角广，清晰度高，厚度薄，可制备柔性器件等优点在显示面板行业有很好的发展。显示器中薄膜晶体管(thin film transistor，tft)的电学参数会极大地影响面板质量。
2、然而，目前薄膜晶体管的性能较低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，以解决现有技术中薄膜晶体管的载流子迁移率较低的问题。
2、本申请第一方面提供了一种薄膜晶体管，包括叠层设置的衬底基板和有源层，有源层包括沟道区以及位于沟道区两侧的导体化区；其中，有源层还包括叠层设置的第一氧化物层和第二氧化物层，第一氧化物层包括第一子部，第一子部位于沟道区；在由导体化区指向沟道区的方向上，第三子部的长度小于沟道区的长度；第一氧化物层的电子浓度大于第二氧化物层的电子浓度。
3、在一个实施例中，导体化区包括第一导体化子区和第二导体化子区，第一导体化子区和第二导体化子区分别位于沟道区的相对两侧，第一氧化物层还包括位于第一导体化子区的第二子部和/或位于第二导体化子区的第三子部，第一子部与第二子部和/或第三子部相间隔；优选的，第一子部与第二子部和第三子部相间隔；优选的，第一氧化物层在衬底基板上的正投影位于第二氧化物层在衬底基板上的正投影内，第二氧化物层包括本体部和填充部，本体部位于第一氧化层背
4、在一个实施例中，还包括第一栅极，第一栅极位于有源层背离衬底基板的一侧，且第二氧化物层位于第一栅极和第一氧化物层之间；优选的，还包括位于有源层和第一栅极之间的第一栅极绝缘层。
5、在一个实施例中，还包括第三氧化物层，第一氧化物层位于第三氧化物层和第二氧化物层之间，且第一氧化物在衬底基板上的正投影位于第三氧化物层在衬底基板上的正投影内；其中，第一氧化物层的电子浓度大于第三氧化物层的电子浓度。
6、在一个实施例中，还包括第二栅极，第一栅极位于有源层背离衬底基板的一侧，第二栅极位于有源层靠近衬底基板的一侧，且第三氧化物层位于第二栅极和第一氧化物层之间，有源层在衬底基板上的正投影位于第二栅极在衬底基板上的正投影内；优选的，还包括位于有源层和第二栅极之间的第二栅极绝缘层。
7、本申请第二方面提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供衬底基板，衬底基板包括第一区域和位于第一区域相对两侧的第二区域；在衬底基板上制备第一氧化物层，第一氧化物层包括第一子部，第一子部在衬底基板上的正投影位于第一区域内；在由第二区域指向第一区域的方向上，第一子部的长度小于第一区域的长度；在第一氧化物层背离衬底基板的表面制备第二氧化物层，第二氧化物层至少覆盖于第一子部的侧面，第一氧化物层的电子浓度大于第二氧化物层的电子浓度；在第二氧化物层背离衬底基板的表面上依次制备第一栅极绝缘层和第一栅极；在第一栅极远离衬底基板一侧依次制备层间绝缘层，以及源极和漏极；对第二区域的有源层进行导体化处理，得到薄膜晶体管。
8、在一个实施例中，在所述衬底基板上制备第一氧化物层包括：在所述衬底基板上制备第一氧化物材料层，并对所述第一氧化物材料层进行图案化处理，得到所述第一氧化物层；优选的，第一氧化物层包括相间隔的第一子部、第二子部和第三子部，第二子部和第三子部在衬底基板上的正投影位于第二区域内，并分别位于第一子部的相对两侧；第一氧化物层在衬底基板上的正投影位于第二氧化物层在衬底基板上的正投影内；第二氧化物层包括本体部和填充部，本体部位于第一氧化层背离衬底基板的一侧，填充部位于第一子部和第二子部，以及第一子部和第三子部之间的间隔中。
9、在一个实施例中，在在衬底基板上制备第一氧化物层之前，在提供衬底基板之后，该方法还包括：在衬底基板上制备第二栅极材料层，并对第二栅极材料层进行图案化处理得到第二栅极；在第二栅极背离衬底基板的表面制备第三氧化物层；其中，第一氧化物在衬底基板上的正投影位于第三氧化物层在衬底基板上的正投影内；第三氧化物层在衬底基板上的正投影位于第二栅极层在衬底基板上的正投影内；第一氧化物层的电子浓度大于第三氧化物层的电子浓度。
10、本申请第三方面提供了一种阵列基板，包括上述的薄膜晶体管。
11、本申请第四方面体提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。
12、本申请提供的薄膜晶体管，有源层包括叠层设置的第一氧化物层和第二氧化物层，第一氧化物层包括位于沟道区的第一子部，在由导体化区指向沟道区的方向上，第一子部的长度小于沟道区的长度；第一氧化物层的电子浓度大于第二氧化物层的电子浓度。如此，第一氧化物层在提高沟道区的电子浓度，增大薄膜晶体管的载流子迁移率的同时，由于沟道区的第一氧化物层的长度小于沟道区的长度，可以阻断电子的遂穿或漂移，避免薄膜晶体管出现导通或者阈值电压偏负的情况。
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1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导体化区包括第一导体化子区和第二导体化子区，所述第一导体化子区和所述第二导体化子区分别位于所述沟道区的相对两侧，所述第一氧化物层还包括位于所述第一导体化子区的第二子部和/或位于所述第二导体化子区的第三子部，所述第一子部与所述第二子部和/或所述第三子部相间隔；
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括第一栅极，所述第一栅极位于所述衬底基板靠近所述有源层的一侧，且所述第二氧化物层位于所述第一栅极和所述第一氧化物层之间；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括第三氧化物层，所述第一氧化物层位于所述第三氧化物层和所述第二氧化物层之间，且所述第一氧化物层在所述衬底基板上的正投影位于所述第三氧化物层在所述衬底基板上的正投影内；
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括第二栅极，所述第一栅极位于所述有源层背离所述衬底基板的一侧，所述第二栅极位于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧，且所述第三氧化物层位于所
6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上制备第一氧化物层包括：
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述衬底基板上制备第一氧化物层之前，在所述提供衬底基板之后，所述方法还包括：
9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导体化区包括第一导体化子区和第二导体化子区，所述第一导体化子区和所述第二导体化子区分别位于所述沟道区的相对两侧，所述第一氧化物层还包括位于所述第一导体化子区的第二子部和/或位于所述第二导体化子区的第三子部，所述第一子部与所述第二子部和/或所述第三子部相间隔；
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括第一栅极，所述第一栅极位于所述衬底基板靠近所述有源层的一侧，且所述第二氧化物层位于所述第一栅极和所述第一氧化物层之间；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括第三氧化物层，所述第一氧化物层位于所述第三氧化物层和所述第二氧化物层之间，且所述第一氧化物层在所述衬底基板上的正投影位于所述第三氧化物层在所述衬底基板上的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李胜斌，康国飞，孟冰，李静，张露，
申请(专利权)人：合肥维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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