System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 发声模组、耳机、扬声器及电子设备制造技术_技高网

发声模组、耳机、扬声器及电子设备制造技术

技术编号:40593802 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-12 21:55
本公开是关于一种发声模组、耳机、扬声器及电子设备。发声模组包括:发声膜片,包括沿第一方向相互叠加设置的至少一层发声薄膜层;所述发声膜片包括沿所述第一方向相对设置的第一侧和第二侧。具有导电性能的支撑层,连接于所述发声膜片的第一侧。电极层,包括第一电极和第二电极,所述第一电极连接于所述发声膜片的第二侧,所述第二电极连接于所述支撑层远离所述发声膜片的一侧。通过电极层的第一电极和第二电极将发声膜片和支撑层固定在一起,形成的叠层结构厚度薄,减小了发声模组的结构空间体积,能够满足小型化的设计需求。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及发声模组,尤其涉及一种发声模组、耳机、扬声器及电子设备


技术介绍

1、目前,应用于耳机、扬声器、电子设备的发声模组,大多采用动圈喇叭或者动铁喇叭,或者是两者的组合。采用单动圈喇叭的发声模组,高频部分效果较差。采用单动铁喇叭的发声模组,低频部分效果较差。采用动圈喇叭和动铁喇叭的组合的发声模组,体积大,占用结构空间。


技术实现思路

1、本公开提供一种发声模组、耳机、扬声器及电子设备,以解决相关技术中的不足。

2、第一方面,本公开实施例提供一种发声模组,包括:

3、发声膜片,包括沿第一方向相互叠加设置的至少一层发声薄膜层;所述发声膜片包括沿所述第一方向相对设置的第一侧和第二侧;

4、具有导电性能的支撑层,连接于所述发声膜片的第一侧;

5、电极层,包括第一电极和第二电极,所述第一电极连接于所述发声膜片的第二侧,所述第二电极连接于所述支撑层远离所述发声膜片的一侧。

6、可选地,所述第一电极的中部形成有第一镂空部,所述发声膜片的第二侧的中间结构自所述第一镂空部露出,所述发声膜片的第二侧沿周向的边缘结构被所述第一电极遮挡;

7、所述第二电极的中部形成有第二镂空部,所述支撑层远离所述发声膜片的一侧的中间结构自所述第二镂空部露出,所述支撑层远离所述发声膜片的一侧沿周向的边缘结构被所述第二电极遮挡。

8、可选地,所述第一电极包括第一围合部和第一极耳,所述第一极耳连接于所述第一围合部的外侧部;所述第一围合部的中部形成有所述第一镂空部,所述第一围合部沿所述发声膜片的周向围合于所述发声膜片的第二侧的边缘;

9、所述第二电极包括第二围合部和第二极耳,所述第二极耳连接于所述第二围合部的外侧部;所述第二围合部的中部形成有所述第二镂空部,所述第二围合部沿所述支撑层的周向围合于所述支撑层远离所述发声膜片的一侧的边缘;

10、可选地,在与所述第一方向垂直的投影面内,所述第一极耳和所述第二极耳的投影位于所述发声膜片的投影沿第二方向的相对两侧,并均凸出于所述发声膜片的投影的外侧部;其中,所述第二方向与所述第一方向垂直。

11、可选地,所述发声薄膜层包括压电薄膜层和两个薄膜电极层,所述两个薄膜电极层分别连接于所述压电薄膜层沿所述第一方向的相对两侧。

12、可选地,所述压电薄膜层包括高分子压电薄膜材料、压电陶瓷薄膜材料、高分子压电薄膜材料与压电陶瓷材料沉积的薄膜材料、高分子压电薄膜与压电陶瓷的复合薄膜材料中的一种。

13、可选地,所述高分子压电薄膜材料包括聚偏二氟乙烯、三氟乙烯共聚物、聚偏二氟乙烯的共聚物、聚四氟乙烯中的一种或多种。

14、可选地,所述薄膜电极包括金属镀层。

15、可选地,所述金属镀层通过涂布工艺、溅射工艺、蒸镀工艺、物理沉积工艺、化学沉积工艺中的其中一种工艺与所述发声薄膜层连接;和/或

16、所述金属镀层包括银浆层、含银离子浆料层、铜膜层、铝膜层、钛膜层中的一种。

17、可选地,所述发声薄膜层还包括保护层和过渡层中的至少一种,连接于所述压电薄膜层与所述金属镀层之间。

18、可选地,所述保护层包括镍保护层;和/或

19、所述过渡层包括铬过渡层。

20、可选地,所述第一电极与所述发声薄膜层之间、所述发声薄膜层与所述支撑层之间、所述支撑层与所述第二电极之间均设有具有导电性能的胶膜层;和/或

21、所述发声薄膜层的数量为大于等于两层,所述第一电极与所述发声薄膜层之间、所述发声薄膜层与所述支撑层之间、所述支撑层与所述第二电极之间、任意相邻的两层所述发声薄膜层之间均设有具有导电性能的胶膜层。

22、第二方面,本公开实施例提供一种耳机,包括:如第一方面所述的发声模组。

23、第三方面,本公开实施例提供一种扬声器,包括:如第一方面所述的发声模组。

24、第四方面,本公开实施例提供一种电子设备,包括:如第三方面所述的扬声器。

25、本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:

26、由上述实施例可知,本公开的发声模组,通过电极层的第一电极和第二电极将发声膜片和支撑层固定在一起,形成的叠层结构厚度薄,减小了发声模组的结构空间体积,能够满足小型化的设计需求。

27、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。

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【技术保护点】

1.一种发声模组,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的发声模组,其特征在于,所述第一电极的中部形成有第一镂空部,所述发声膜片的第二侧的中间结构自所述第一镂空部露出,所述发声膜片的第二侧沿周向的边缘结构被所述第一电极遮挡;

3.根据权利要求2所述的发声模组,其特征在于,所述第一电极包括第一围合部和第一极耳,所述第一极耳连接于所述第一围合部的外侧部;所述第一围合部的中部形成有所述第一镂空部,所述第一围合部沿所述发声膜片的周向围合于所述发声膜片的第二侧的边缘;

4.根据权利要求3所述的发声模组,其特征在于,在与所述第一方向垂直的投影面内,所述第一极耳和所述第二极耳的投影位于所述发声膜片的投影沿第二方向的相对两侧,并均凸出于所述发声膜片的投影的外侧部;其中,所述第二方向与所述第一方向垂直。

5.根据权利要求1所述的发声模组,其特征在于,所述发声薄膜层包括压电薄膜层和两个薄膜电极层,所述两个薄膜电极层分别连接于所述压电薄膜层沿所述第一方向的相对两侧。

6.根据权利要求5所述的发声模组,其特征在于,所述压电薄膜层包括高分子压电薄膜材料、压电陶瓷薄膜材料、高分子压电薄膜材料与压电陶瓷材料沉积的薄膜材料、高分子压电薄膜与压电陶瓷的复合薄膜材料中的一种。

7.根据权利要求6所述的发声模组,其特征在于,所述高分子压电薄膜材料包括聚偏二氟乙烯、三氟乙烯共聚物、聚偏二氟乙烯的共聚物、聚四氟乙烯中的一种或多种。

8.根据权利要求5所述的发声模组,其特征在于,所述薄膜电极包括金属镀层。

9.根据权利要求8所述的发声模组,其特征在于,所述金属镀层通过涂布工艺、溅射工艺、蒸镀工艺、物理沉积工艺、化学沉积工艺中的其中一种工艺与所述发声薄膜层连接;和/或

10.根据权利要求8所述的发声模组,其特征在于,所述发声薄膜层还包括保护层和过渡层中的至少一种,连接于所述压电薄膜层与所述金属镀层之间。

11.根据权利要求10所述的发声模组,其特征在于,所述保护层包括镍保护层;和/或

12.根据权利要求1所述的发声模组,其特征在于,所述第一电极与所述发声薄膜层之间、所述发声薄膜层与所述支撑层之间、所述支撑层与所述第二电极之间均设有具有导电性能的胶膜层;和/或

13.一种耳机,其特征在于,包括:如权利要求1至12中任一项所述的发声模组。

14.一种扬声器,其特征在于,包括:如权利要求1至12中任一项所述的发声模组。

15.一种电子设备,其特征在于,包括:如权利要求14所述的扬声器。

...

【技术特征摘要】

1.一种发声模组,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的发声模组,其特征在于,所述第一电极的中部形成有第一镂空部,所述发声膜片的第二侧的中间结构自所述第一镂空部露出,所述发声膜片的第二侧沿周向的边缘结构被所述第一电极遮挡;

3.根据权利要求2所述的发声模组,其特征在于,所述第一电极包括第一围合部和第一极耳,所述第一极耳连接于所述第一围合部的外侧部;所述第一围合部的中部形成有所述第一镂空部,所述第一围合部沿所述发声膜片的周向围合于所述发声膜片的第二侧的边缘;

4.根据权利要求3所述的发声模组,其特征在于,在与所述第一方向垂直的投影面内,所述第一极耳和所述第二极耳的投影位于所述发声膜片的投影沿第二方向的相对两侧,并均凸出于所述发声膜片的投影的外侧部;其中,所述第二方向与所述第一方向垂直。

5.根据权利要求1所述的发声模组,其特征在于,所述发声薄膜层包括压电薄膜层和两个薄膜电极层,所述两个薄膜电极层分别连接于所述压电薄膜层沿所述第一方向的相对两侧。

6.根据权利要求5所述的发声模组,其特征在于,所述压电薄膜层包括高分子压电薄膜材料、压电陶瓷薄膜材料、高分子压电薄膜材料与压电陶瓷材料沉积的薄膜材料、高分子压电薄膜与压电陶瓷的复合薄膜材料中的一种。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈静
申请(专利权)人:北京小米移动软件有限公司
类型:发明
国别省市:

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